晶体生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种晶体生长装置，其包括金属坩埚、第一保温罩、加热线圈、隔热板、第二保温罩、第三保温罩、盖板及提拉杆；其中，金属坩埚位于第一保温罩内且金属坩埚与第一保温罩之间填充有保温砂；加热线圈绕在第一保温罩上；隔热板设在金属坩埚及第一保温罩的上方，隔热板上开设有过晶口；第二保温罩及第三保温罩位于隔热板上且第三保温罩套设在第二保温罩的外侧；盖板位于第二保温罩及第三保温罩上；盖板上设有提拉孔，提拉杆能够穿过提拉孔、第二保温罩及过晶口将籽晶送入金属坩埚。该晶体生长装置可用于但不限Er掺杂LuAG晶体的制备过程中，可有效避免晶体生长过程中产生的开裂问题，晶体成炉率较高。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种晶体生长装置。
技术介绍
LuAG晶体为立方晶格结构，具有密度高(6.73g/cm3)、溶点高(2010℃)、高热导率(9.6W/mK)、机械强度大、光学各向同性等优点，可以在平坦固液界面下生长，容易获得高光学质量的晶体元件。由于基质材料LuAG具备优异的光学性能，在光电子器件、近红外激光、闪烁陶瓷、阴极射线突光粉等许多领域中都发挥着很大的潜力。稀土离子Er3+在4I11/2态和4I13/2态之间跃迁产生的辐射波长位于2.7～3μm范围内，由于该波长的特殊性，此类激光器在医疗、非线性光学以及军事等方面的应用具有重大意义。多项测试结果表明，掺Er(铒)LuAG晶体极有希望成为固体激光器的增益介质材料，实现高功率激光输出，以LuAG为基质材料的掺Er晶体是一种很有发展前景的晶体材料。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种用于Er掺杂LuAG晶体生长的晶体生长装置。一种晶体生长装置，包括金属坩埚、第一保温罩、加热线圈、隔热板、第二保温罩、第三保温罩、盖板及提拉杆；其中，所述金属坩埚位于所述第一保温罩内且所述金属坩埚与所述第一保温罩之间填充有保温砂；所述加热线圈绕在所述第一保温罩上；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体生长装置，其特征在于，包括金属坩埚、第一保温罩、加热线圈、隔热板、第二保温罩、第三保温罩、盖板及提拉杆；其中，所述金属坩埚位于所述第一保温罩内且所述金属坩埚与所述第一保温罩之间填充有保温砂；所述加热线圈绕在所述第一保温罩上；所述隔热板设在所述金属坩埚及所述第一保温罩的上方，所述隔热板上开设有过晶口；所述第二保温罩及所述第三保温罩位于所述隔热板上且所述第三保温罩套设在所述第二保温罩的外侧；所述盖板位于所述第二保温罩及所述第三保温罩上；所述盖板上设有提拉孔，所述提拉杆能够穿过所述提拉孔、所述第二保温罩及所述过晶口将籽晶送入所述金属坩埚。

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括金属坩埚、第一保温罩、加热线圈、隔热板、第二保温罩、第三保温罩、盖板及提拉杆；其中，所述金属坩埚位于所述第一保温罩内且所述金属坩埚与所述第一保温罩之间填充有保温砂；所述加热线圈绕在所述第一保温罩上；所述隔热板设在所述金属坩埚及所述第一保温罩的上方，所述隔热板上开设有过晶口；所述第二保温罩及所述第三保温罩位于所述隔热板上且所述第三保温罩套设在所述第二保温罩的外侧；所述盖板位于所述第二保温罩及所述第三保温罩上；所述盖板上设有提拉孔，所述提拉杆能够穿过所述提拉孔、所述第二保温罩及所述过晶口将籽晶送入所述金属坩埚。2.如权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述金属坩埚为铱金坩埚。3.如权利要求1所述的晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：权纪亮，黄晋强，郭勇文，金宁昌，黄国伟，郭建军，刘昌锬，李汉达，
申请(专利权)人：广州半导体材料研究所，
类型：新型
国别省市：广东;44