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本实用新型涉及一种晶体生长装置，其包括金属坩埚、第一保温罩、加热线圈、隔热板、第二保温罩、第三保温罩、盖板及提拉杆；其中，金属坩埚位于第一保温罩内且金属坩埚与第一保温罩之间填充有保温砂；加热线圈绕在第一保温罩上；隔热板设在金属坩埚及第一保温...
该专利属于广州半导体材料研究所所有，仅供学习研究参考，未经过广州半导体材料研究所授权不得商用。

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