一种减少BBO晶体包络的生长工艺制造技术

技术编号:13925688 阅读:139 留言:0更新日期:2016-10-28 06:48
一种减少BBO晶体包络的生长工艺。本发明专利技术采用碳酸钡和硼酸为主要原料,氟化钠为助熔剂,自制熔盐炉和铂金坩埚为生长装置,铂金坩埚底部呈内凸圆弧形,进行低温相BBO晶体熔盐法生长,利用铂金坩埚底部呈内凸圆弧形,加强熔体对流,有效减少BBO晶体包络。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体生长领域,特别涉及一种减少BBO晶体包络的生长工艺
技术介绍
低温相偏硼酸钡是一种非常重要的新型非线性晶体,具有宽的透光范围,大的有效倍频系数,大的双折射率和高的激光损伤阈值,广泛运用于Nd:YAG和Nd:YLF激光的二、三、四、五倍频,染料激光的倍频,三倍频和混频,Ti:Sappire和Alexandrite激光的二、三、四倍频,光学参量放大器(OPA)与光学参量振荡器(OPO),氩离子、红宝石和Cu蒸汽激光器的倍频等。目前还未见有性能更好的材料取代它。熔盐法(助熔剂法)是人工晶体生长中普遍应用的一种生长方法。它通常采用将所需生长晶体的组成物质溶解于助熔剂中,通过缓慢降温来得到所需的晶体。其特点在于适用性广,对于大多数的晶体都可以找到合适的助熔剂。偏硼酸钡β-BaB2O4普遍采用的是助熔剂法生长,晶体生长至坩埚壁后,停止转动,开始降温生长,熔体主要靠自身温度梯度引起对流,平底坩埚存在底部对流不充分,存在盲区等问题,生长出来的晶体除了中心区,周围也容易带包络,影响晶体质量。
技术实现思路
本专利技术采用碳酸钡和硼酸为主要原料,氟化钠为助熔剂,自制熔盐炉和铂金坩埚为生长装置,铂金坩埚底部呈内凸圆弧形。利用坩埚底部内凸圆弧形,增加熔体对流,减少晶体包络。附图说明图1是底部呈内凸圆弧形铂金坩埚示意图。具体实施方式实施例一:称取一定量的碳酸钡、硼酸和氟化钠,满足BaB2O4:NaF=2:1(摩尔比)于原料桶中混匀。将混好的料于1000℃的硅碳棒炉中熔解至反应完全。将熔好的料倒入底部呈内凸圆弧形的铂金坩锅中,然后置于熔盐炉中,升温至980℃,恒温18h,而后在饱和温度以上10℃下。将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢的下至熔液表面,4~10r/min转动,晶体开始生长,当晶体生长快至坩埚壁时,停止晶转,开始以1℃/天的速率降温,直至6个月左右,停止生长,获得BBO晶体毛坯。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高质量BBO晶体生长工艺,采用碳酸钡和硼酸为主要原料,氟化钠为助熔剂,自制熔盐炉和铂金坩埚为生长装置进行熔盐法生长,其特征在于:铂金坩埚底部呈内凸圆弧形。

【技术特征摘要】
1.一种高质量BBO晶体生长工艺,采用碳酸钡和硼酸为主要原料,氟化钠为助熔剂,自...

【专利技术属性】
技术研发人员:王昌运
申请(专利权)人:福建福晶科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:福建;35

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