【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光学器件加工领域，特别的，涉及一种应用于266nm的真零级半波片及其加工方法。
技术介绍
1、真零级波片，延迟量相对波长敏感度低，温度稳定性高，接受有效角度大。但真零级波片往往非常的薄，尤其是在紫外波段，以266nm为例，半波片的厚度约0.01234mm，四分之一波片厚度约0.00617mm，如此薄的波片在制造和使用上都会遇到很大的困难，非常容易碎裂，导致无产出。
2、在现有技术的真零件波片制备方法中，或者无法加工出超薄的真零级波片；或者在装配方式中采用了环氧树脂胶，紫外波段吸收大且透过率低，损伤性能极低，不适用于紫外波段的应用；或者工艺复杂，产品成品率低；或者牢固度不够，抗损伤能力较差。
3、因此，如何能够克服现有技术中存在的上述问题，进一步提高真零级波片的制备质量和效率，提高产品的综合性能指标，便于加工，成为现有技术亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提出一种应用于266nm的真零级半波片及其加工方法，能够简化生产工艺，提高制备效率，产品牢固，在紫外波段吸收均比较小，具有较高的损伤能力，具有较好的综合性能指标。
2、为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、一种应用于266nm的真零级半波片加工方法，选取基底和波片，将其双抛至指定厚度，在所述波片的其中一个面镀光胶膜，将所述基底和所述波片进行特殊处理，并将所述波片的镀膜面与所述基底的其中一个面均进行活化处理后进行光胶组合；然后再进行高温深化
4、可选的，所述基底采用融石英材质，波片采用石英晶体制成，用于光胶键合的光胶膜为二氧化硅，光胶前需对光胶装配的两个面进行活化处理。
5、可选的，基底厚度为0.6±0.1mm，平行度小于1秒,石英波片厚度为0.5±0.05mm，两者的透射波前小于λ/8；
6、光胶膜的膜层厚度150～200nm。
7、可选的，所述基底采用康宁7980 krf级材料。
8、可选的，所述特殊处理为对所述基底与所述波片均用300℃高温退火1500分钟；所述活化处理为用50～80nm粒径的氧化锆或者氧化硅抛光液进行表面活化处理。
9、可选的，所述高温深化键合为，以（0.15～0.25）℃/分钟进行温控升温直至最高温度，再恒温一段时间；其中最高温度为160℃～200℃，恒温时间为1500～2000分钟。
10、可选的，所述对所述波片的通光表面进行研磨抛光，加工至266nm波长真零级的厚度具体为：首先对波片进行精密研磨，然后再进行高抛，在过程中不加压。
11、可选的，所述精密研磨为：仅靠光胶板自重无需加压，先用w28砂粗磨，研磨去除尺寸0.2～0.23mm，研磨速率0.008mm/分钟；再用w7砂经磨，研磨去除尺寸0.1～0.12mm，研磨速率0.006mm/分钟；所述高抛为：高抛去除尺寸0.15～0.18mm，抛光去除尺寸速率0.004mm/分钟，高抛后波片的相位延迟在190度～192度。
12、本专利技术进一步公开了一种应用于266nm的真零级半波片，利用上述的加工方法制备而成。
13、可选的，所述基底的厚度为0.6±0.1mm，平行度小于1秒；
14、所述波片制备过程以相位延迟角度为首要指标，厚度为0.01234±0.0012mm，在波长266nm的相位延迟精度大于λ/100。
15、本专利技术具有如下的优点：
16、1、利用光胶键合的方案，搭配在深紫外波段具有高性能的康宁7980 krf级材料，降低吸收率，提高真零级波片综合性能，拓宽应用领域。
17、2、通过光胶前的特殊处理与键合程序，提升键合牢固度，选用的辅料在紫外波段吸收均比较小，降低因辅料残留对光胶层的弱吸收影响，提高损伤能力。
18、3、通过特定的基片再组合加工，简化工程步骤，实现超薄真零级半波片工业化产出，提高产品效率，应用于深紫外266nm领域。
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1.一种应用于266nm的真零级半波片加工方法，其特征在于：选取基底和波片，将其双抛至指定厚度，在所述波片的其中一个面镀光胶膜，将所述基底和所述波片进行特殊处理，并将所述波片的镀膜面与所述基底的其中一个面均进行活化处理后进行光胶组合；然后再进行高温深化键合；在键合后以所述基底为基准光胶固定至光胶板上；对所述波片的外表面进行研磨抛光，加工至266nm波长真零级的厚度，下盘后进行清洗，再在基底和波片的外表面镀上266nm增透膜，制备得到266nm超薄光胶真零级半波片。
2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：所述基底采用融石英材质，波片采用石英晶体制成，用于光胶键合的光胶膜为二氧化硅，光胶前需对光胶装配的两个面进行活化处理。
3.根据权利要求2所述的加工方法，其特征在于：基底厚度为0.6±0.1mm，平行度小于1秒,石英波片厚度为0.5±0.05mm，两者的透射波前小于λ/8；光胶膜的膜层厚度150～200nm。
4.根据权利要求3所述的加工方法，其特征在于：所述基底采用康宁7980 KrF级材料。
5.根据权利要求1所述的加工方
6.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：所述高温深化键合为，以（0.15～0.25）℃/分钟进行温控升温直至最高温度，再恒温一段时间；其中最高温度为160℃～200℃，恒温时间为1500～2000分钟。
7.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：所述对所述波片的通光表面进行研磨抛光，加工至266nm波长真零级的厚度具体为：首先对波片进行精密研磨，然后再进行高抛，在过程中不加压。
8.根据权利要求7所述的加工方法，其特征在于：所述精密研磨为：仅靠光胶板自重无需加压，先用W28砂粗磨，研磨去除尺寸0.2～0.23mm，研磨速率0.008mm/分钟；再用W7砂经磨，研磨去除尺寸0.1～0.12mm，研磨速率0.006mm/分钟；所述高抛为：高抛去除尺寸0.15～0.18mm，抛光去除尺寸速率0.004mm/分钟，高抛后波片的相位延迟在190度～192度。
9.一种应用于266nm的真零级半波片，利用权利要求1-8中任意一条所述的加工方法制备而成。
10.根据权利要求9所述的真零级半波片，其特征在于：所述基底的厚度为0.6±0.1mm，平行度小于1秒；所述波片制备过程以相位延迟角度为首要指标，厚度为0.01234±0.0012mm，在波长266nm的相位延迟精度大于λ/100。
...【技术特征摘要】
1.一种应用于266nm的真零级半波片加工方法，其特征在于：选取基底和波片，将其双抛至指定厚度，在所述波片的其中一个面镀光胶膜，将所述基底和所述波片进行特殊处理，并将所述波片的镀膜面与所述基底的其中一个面均进行活化处理后进行光胶组合；然后再进行高温深化键合；在键合后以所述基底为基准光胶固定至光胶板上；对所述波片的外表面进行研磨抛光，加工至266nm波长真零级的厚度，下盘后进行清洗，再在基底和波片的外表面镀上266nm增透膜，制备得到266nm超薄光胶真零级半波片。
2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：所述基底采用融石英材质，波片采用石英晶体制成，用于光胶键合的光胶膜为二氧化硅，光胶前需对光胶装配的两个面进行活化处理。
3.根据权利要求2所述的加工方法，其特征在于：基底厚度为0.6±0.1mm，平行度小于1秒,石英波片厚度为0.5±0.05mm，两者的透射波前小于λ/8；光胶膜的膜层厚度150～200nm。
4.根据权利要求3所述的加工方法，其特征在于：所述基底采用康宁7980 krf级材料。
5.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：所述特殊处理为对所述基底与所述波片均用300℃高温退火1500分钟；所述活化处理为用50～80nm粒径的氧化锆或者氧化硅抛光液进行表面活化处理。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：付相辉，章尚岱，黄楚弘，廖洪平，陈秋华，张星，陈伟，
申请(专利权)人：福建福晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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