用于碳化硅晶体高速生长的原料及碳化硅晶体的生长方法技术

本发明专利技术涉及一种用于碳化硅晶体高速生长的原料及碳化硅晶体的生长方法，属于半导体技术领域。为了解决现有的碳化硅晶体生升速度差和效率低的问题，提供一种用于碳化硅晶体高速生长的原料及碳化硅晶体高速生长的方法，该原料含有碳化硅粒子，且所述碳化硅粒子的平均粒径小于5μm或采用至少两种不同形状和/或至少两种不同粒径的碳化硅粒子混合而形成的混合原料，且所述原料中至少含有一种平均粒径小于5μm的碳化硅粒子。且碳化硅晶体生长方法包括将上述原料放入坩埚内，加热坩埚使坩埚内的原料升华后再结晶，得到碳化硅晶体。能够达到提高升华速度和效率的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于碳化硅晶体高速生长的原料及碳化硅晶体的生长方法，属于半导体

技术介绍
碳化硅单晶具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大和介电常数小及物理和化学性能稳定等独特的特性，被认为是制造光电子器件、高频大功率器件等理想的半导体材料。以往，作为碳化硅晶体的制造方法，一般通过在高温条件下使原料碳化硅粉末进行升华再结晶，在碳化硅籽晶上生长而形成碳化硅的单晶体或多晶体。众所周知，作为原料的碳化硅粉末对于升华与结晶的速度有着及其重要的地位。而为了在单晶生长条件下维持速度快且稳定的升华速度和再现性，大多通过采用微颗粒形状规则、大小均一，且形状和大小均分布集中的微粉末作为相应的原料。一般普通的方式为了获得更大的比表面积，大多会采用粒径细小的碳化硅粉末，然而，现有技术中存在的技术偏见是认为由于采用越细小、形状规则的碳化硅粒子的话，堆积在一起的密度就会变的越高，从而使表面以下的碳化硅粉末难以升华，并不能从本质上提高升华的速度和效率。因此，大多采用形状相对较完整的碳化硅粒子作为原料，一般采用100μmm以上的碳化硅粒子，即使选用较细的碳化硅粒子也需要预先本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，该原料含有碳化硅粒子，且所述碳化硅粒子的平均粒径小于5μm。

【技术特征摘要】
1.一种用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，该原
料含有碳化硅粒子，且所述碳化硅粒子的平均粒径小于5μm。
2.根据权利要求1所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，其
特征在于，所述碳化硅粒子的比表面积大于等于0.5m2/g。
3.根据权利要求1所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，其
特征在于，所述碳化硅粒子中的一部分或者全部为带有机械性和/
或物理性损伤的碳化硅粒子。
4.根据权利要求1或2或3所述用于碳化硅晶体高速生长的
原料，其特征在于，所述原料中还混有在2400℃以下的高温条件
下不气化或不熔解的固体物质使形成混合原料。
5.根据权利要求4所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，其
特征在于，所述在2400℃以下的高温条件下不气化或不熔解的固
体物质选自钨、钼、碳、钽、碳化钽、氧化锆和氧化镁中的一种
或几种。
6.根据权利要求4所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，其
特征在于，所述在2400℃以下的高温条件下不气化或不熔解的固
体物质占原料总质量的1.0wt％～40wt％。
7.根据权利要求4或6所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，
其特征在于，所述固体物质的平均粒径大于原料中碳化硅粒子的
最小平均粒径。
8.一种用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，该原
料为采用至少两种不同形状和/或至少两种不同粒径的碳化硅粒
子混合而形成的混合原料，且所述原料中至少含有一种平均粒径
小于5μm的碳化硅粒子。
9.根据权利要求8所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，其
特征在于，所述碳化硅粒子中至少含有一种比表面积大于等于
0.5m2/g的碳化硅粒子。
10.根据权利要求8或9所述用于碳化硅晶体高速生长的原

\t料，其特征在于，所述混合原料的形状分布不同。
11.根据权利要求8或9所述用于碳化硅晶体高速生长的原
料，其特征在于，所述不同粒径的碳化硅粒子为粒径大小分布不
同的碳化硅粒子，且所述混合原料的粒径分布曲线中显示至少2
个主粒径分布峰值。
12.根据权利要求8或9所述用于碳化硅晶体高速生长的原
料，其特征在于，所述碳化硅粒子中的一部分或者全部为采用带
有机械性和/或物理性损伤的碳化硅粒子。
13.根据权利要求11所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，
其特征在于，所述碳化硅粒子中的一部分或...

【专利技术属性】
技术研发人员：星野政宏，张乐年，
申请(专利权)人：台州市一能科技有限公司，星野政宏，
类型：发明
国别省市：浙江;33