一种提高碳化硅单晶生长过程中温度测量准确性的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种提高碳化硅单晶生长过程中温度测量准确性的装置，包括：带气孔的圆环形管路、进气管法兰、玻璃视窗、测温孔和红外测温仪，其中所述圆环形管路两端各连一支进气管，所述进气管一端连接圆环形管路，另一端贯穿法兰，与外部的进气管路相连，保持气体流通顺畅，所述气孔位于圆环形管路内侧管壁，其开孔方向与水平面夹角范围为0度到90度，使气体直接吹扫玻璃视窗内侧表面，同时，产生的气流阻止粉尘向视窗方向运动，保证了视窗内表面的洁净度。本实用新型专利技术解决了测温窗口粉末聚集影响测温准确度的问题，提高了红外测温仪测量温度时的准确性和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种提高碳化硅单晶生长过程中温度测量准确性的装置
本技术属于碳化硅单晶制造造设领域，涉及一种提高碳化硅生长过程中温度测量准确性的检测装置。
技术介绍
作为第三代半导体材料，碳化硅单晶具有禁带宽度大，抗辐射能力强，击穿电场高，介电常数小，热导率大，电子饱和漂移速度高，化学稳定性高等独特的特性，可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件，被认为是制造光电子器件、高频大功率器件、电力电子器件理想的半导体材料。在白光照明、光存储、屏幕显示、航天航空、高温辐射环境、石油勘探、自动化、雷达与通信、汽车电子化等方面有广泛应用，尤其在国防军事上有着重要的战略地位，因此受到各国的高度重视。目前，生长SiC晶体最有效的方法是物理气相传输法，其基本原理是通过感应线圈的功率调整来控制反应室温度的高低，从而控制碳化硅单晶的生长，由于生长过程中坩埚内部温度较高，部分升华后的气相组分从坩埚内逸出，分布于炉腔内，当遇到低温部分部件时会凝结成粉末固体，附着于部件表面。在实际的生产过程中，由于测温窗口粉末聚集影响测温准确度的问题较为常见，影响对碳化硅晶体的生长温度检测。现有技术中，关于提高碳化硅单晶生长过程中温度测量准确性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高碳化硅单晶生长过程中温度测量准确性的装置，其特征在于，包括：吹扫器、法兰、玻璃视窗、测温孔和红外测温仪，其中，所述吹扫器固定于测温孔处的法兰内侧，所述法兰位于测温孔的上方，所述玻璃视窗位于所述法兰上侧，所述红外测温仪位于所述玻璃视窗上方并与测温孔相对应，其中：所述吹扫器包括：带气孔的圆环形管路和进气管，所述圆环形管路两端各连一支进气管，所述进气管一端连接圆环形管路，另一端贯穿所述法兰与外部的进气管路相连，所述气孔位于所述圆环形管路内侧管壁，其开孔方向与水平面夹角范围为0‑90度，用于使气体直接吹扫玻璃视窗内侧表面，产生的气流阻止粉尘向视窗方向运动，保证视窗内表面的洁净度。

【技术特征摘要】
1.一种提高碳化硅单晶生长过程中温度测量准确性的装置，其特征在于，包括：吹扫器、法兰、玻璃视窗、测温孔和红外测温仪，其中，所述吹扫器固定于测温孔处的法兰内侧，所述法兰位于测温孔的上方，所述玻璃视窗位于所述法兰上侧，所述红外测温仪位于所述玻璃视窗上方并与测温孔相对应，其中：所述吹扫器包括：带气孔的圆环形管路和进气管，所述圆环形管路两端各连一支进气管，所述进气管一端连接圆环形管路，另一端贯穿所述法兰与外部的进气管路相连，所述气孔位于所述圆环形管路内侧管壁，其开孔方向与水平面夹角范围为0-90度，用于使气体直接吹扫玻璃视窗内侧表面，产生的气流阻止粉尘向视窗方向运动，保证视窗内表面的洁净度。2.根据权利要求1所述的一种提高碳化硅单晶生长过程中温度测量准确性的装置，其特征在于，所述吹扫器通过焊接的方式固定于法兰上。3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛晓龙，杨昆，高宇，郑清超，
申请(专利权)人：河北同光晶体有限公司，
类型：新型
国别省市：河北,13