一种用于SiC晶体生长的装炉定位工具制造技术

本实用新型专利技术公开一种用于SiC晶体生长的装炉定位工具，包括定位环外圈，所述定位环外圈上固定有若干个定位机构，所述定位机构包括石墨螺杆、固定套筒、伸缩件和定位环内圈，所述定位环外圈上开设有若干个通孔，所述固定套筒安装在定位环外圈外表面上，所述石墨螺杆通过定位环外圈的通孔旋接在所述固定套筒上，所述定位环内圈与所述定位环外圈通过伸缩件固定连接，所述石墨螺杆包括端部和螺杆部，所述端部与螺杆部固定连接，所述螺杆部的表面上固定有刻度尺；本实用新型专利技术的装炉定位工具在SiC单晶装炉过程中保证了坩埚和中频感应线圈同心，使生长的SiC单晶界面良好，边缘薄厚均匀。

【技术实现步骤摘要】
一种用于SiC晶体生长的装炉定位工具
本技术涉及SiC单晶装炉过程中使用的定位工具，特别是涉及一种用于SiC晶体生长的装炉定位工具。
技术介绍
作为第三代宽带隙半导体材料的代表，碳化硅(SiC)单晶材料具有禁带宽度大(Si的3倍)、热导率高(Si的3.3倍或GaAs的10倍)、电子饱和迁移速率高(Si的2.5倍)和击穿电场高(Si的10倍或GaAs的5倍)等性质。SiC的这些性能使其成为高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件的优选材料，可用于核反应堆系统的监控、原油勘探、环境监测和大功率的电子转换器以及极端和恶劣环境下；正因为其诸多优良的特性，使其成为当前广泛研究的材料之一，目前国际上主流生长SiC的方法为物理气相输运(PVT)法，采用PVT法生长SiC，在SiC单晶装炉过程中，可能会出现一些问题，如果坩埚与中频感应线圈不能同心，导致所生长的SiC单晶边缘厚度不均匀，增加后续加工的难度和工作量，减少晶锭切片的数量，严重的可能导致籽晶边缘烧蚀，降低了产品的合格率，浪费人力物力，提高了产品的成本；因此，需要提供一种定位工具，在SiC单晶装炉过程中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于SiC晶体生长的装炉定位工具，其特征在于：包括定位环外圈(1)，所述定位环外圈(1)上固定有若干个定位机构，所述定位机构包括石墨螺杆(4)、固定套筒(5)、伸缩件(3)和定位环内圈(2)，所述定位环外圈(1)上开设有若干个通孔(19)，所述固定套筒(5)安装在定位环外圈(1)外表面上，所述固定套筒(5)内表面上设置有螺纹，所述石墨螺杆(4)与所述固定套筒(5)螺纹连接，所述定位环内圈(2)与所述定位环外圈(1)通过伸缩件(3)固定连接，所述石墨螺杆(4)包括端部(6)和螺杆部(7)，所述端部(6)与螺杆部(7)固定连接，所述端部(6)固定有可伸缩刻度尺(11)，所述可伸缩刻度尺(1...

【技术特征摘要】
1.一种用于SiC晶体生长的装炉定位工具，其特征在于：包括定位环外圈(1)，所述定位环外圈(1)上固定有若干个定位机构，所述定位机构包括石墨螺杆(4)、固定套筒(5)、伸缩件(3)和定位环内圈(2)，所述定位环外圈(1)上开设有若干个通孔(19)，所述固定套筒(5)安装在定位环外圈(1)外表面上，所述固定套筒(5)内表面上设置有螺纹，所述石墨螺杆(4)与所述固定套筒(5)螺纹连接，所述定位环内圈(2)与所述定位环外圈(1)通过伸缩件(3)固定连接，所述石墨螺杆(4)包括端部(6)和螺杆部(7)，所述端部(6)与螺杆部(7)固定连接，所述端部(6)固定有可伸缩刻度尺(11)，所述可伸缩刻度尺(11)的另一端固定在固定套筒(5)上。


2.根据权利要求1所述的用于SiC晶体生长的装炉定位工具，其特征在于：所述螺杆部(7)上开设有若干个第一凹槽(8)，所述第一凹槽(8)内安...

【专利技术属性】
技术研发人员：董永洋，杨昆，张福生，路亚娟，刘新辉，牛晓龙，
申请(专利权)人：河北同光晶体有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13