一种用于晶体生长的防遮挡测温装置制造方法及图纸

技术编号:24793450 阅读:33 留言:0更新日期:2020-07-07 20:14
一种用于晶体生长的防遮挡测温装置,属于坩埚温控技术领域,本发明专利技术为了解决传统坩埚测温结构上的测温窗表面容易被遮蔽,影响测温,影响晶体生长质量的问题。坩埚上设有坩埚盖,测温法兰通过导向筒与坩埚内部连通,测温法兰内设有测温通路,测温通路顶部设有反光镜,反光镜呈45°倾斜设置,且与反光镜相对的水平方向上设有测温孔,测温通路的两侧分别通过进气导向通路和出气导向通路与进气通路和出气通路相连通,进气通路和出气通路分别与测温法兰两侧的进气口和出气口相连通。本发明专利技术的一种用于晶体生长的防遮挡测温装置改善了进气路径,优化了炉体内的流场,使测温更加准确。

【技术实现步骤摘要】
一种用于晶体生长的防遮挡测温装置
本专利技术涉及一种测温装置,具体涉及一种用于晶体生长的防遮挡测温装置,属于坩埚温控

技术介绍
在使用PVT法进行氮化铝或碳化硅晶体生长过程中,设备温度一般都在2000℃以上,在如此高的温度下,一般接触式的测温部件难以承受,只能依靠光学测温。常用的测温方法是在设备顶端开孔,使用玻璃或石英观察窗,通过红外测温仪接受透出的光线进行测温。但现有的晶体生长炉在工作过程中,由于内部温度过高,所用的保温材料极易容易挥发起尘,在温度相对较低的测温窗表面进行沉积,将其遮蔽,影响测温的准确性,进而影响温度控制,使生长出的晶体产生质量缺陷,造成损失。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用于晶体生长的防遮挡测温装置,以解决传统坩埚测温结构上的测温窗表面容易被遮蔽,影响测温,影响晶体生长质量的问题一种用于晶体生长的防遮挡测温装置包括坩埚、坩埚盖、导向筒、测温法兰、和反光镜;坩埚上设有坩埚盖,测温法兰通过导向筒与坩埚内部连通,测温法兰内设有测温通路,测温通路顶部设有反光镜,反光镜呈45°倾斜设置,且与反光镜相对的水平方向上设有测温孔,测温通路的两侧分别通过进气导向通路和出气导向通路与进气通路和出气通路相连通,进气通路和出气通路分别与测温法兰两侧的进气口和出气口相连通。优选的:进气导向通路呈45°倾斜设置,且轴线与反光镜的镜面垂直。本专利技术与现有产品相比具有以下效果:在顶端设置一倾斜45°角的反光镜,将光线水平导出进行测温,其倾斜的设计区别于传统的水平测温窗,可达到防沉积的效果;气体从法兰边缘进入,通过进气导向通路,进气的同时吹扫反光镜,防止杂质沉积在反光镜表面,随后气体通过另一侧的路径排出,并带走杂质。法兰盘与坩埚盖之间设置一导向筒,防止炉体内的挥发杂质进入气路内,同时起到光线导向的作用,便于测温对焦;可有效杜绝测温窗的遮挡问题,使得晶体生长过程中始终处于准确的温度控制,克服了测温不准,可重复性差的缺点,并改善了进气路径,优化了炉体内的流场。附图说明图1是本专利技术的一种用于晶体生长的防遮挡测温装置的结构示意图。图中:1-坩埚、2-坩埚盖、3-导向筒、4-测温法兰、5-进气口、6-进气通路、7-进气导向通路、8-测温通路、9-出气通路、10-出气导向通路、11-出气口、12-反光镜、13-测温孔。具体实施方式下面根据附图详细阐述本专利技术优选的实施方式。如图1所示,本专利技术所述的一种用于晶体生长的防遮挡测温装置包括坩埚1、坩埚盖2、导向筒3、测温法兰4、和反光镜12;坩埚1上设有坩埚盖2,测温法兰4通过导向筒3与坩埚1内部连通,测温法兰4内设有测温通路8,测温通路8顶部设有反光镜12,反光镜12呈45°倾斜设置,且与反光镜12相对的水平方向上设有测温孔13,测温通路8的两侧分别通过进气导向通路7和出气导向通路10与进气通路6和出气通路9相连通,进气通路6和出气通路9分别与测温法兰4两侧的进气口5和出气口11相连通。进一步:进气导向通路7呈45°倾斜设置,且轴线与反光镜12的镜面垂直。炉体顶部法兰盘采用特殊的结构设计,在顶端设置一倾斜45°角的反光镜,将光线水平导出进行测温,其倾斜的设计区别于传统的水平测温窗,可达到防沉积的效果。气体从法兰边缘进入,通过特殊路径(路径与放光镜垂直),进气的同时吹扫反光镜,放置杂质沉积在表面,随后气体通过另一侧的路径排出,并带走杂质。法兰盘与坩埚盖之间设置一导向筒,防止炉体内的挥发杂质进入气路内,同时起到光线导向的作用,便于测温对焦。导向筒与坩埚盖接触部分留有1-2mm间隙,避免材料之间的接触性热传递,影响测温效果和使用寿命,具体可通过点连接的方式固定导向筒,测温孔为开放式或测温孔内设有玻璃板均可,设置玻璃可防止气体溢出,开放式可调节测温孔孔径,减少气体排出。本实施方式只是对本专利的示例性说明,并不限定它的保护范围,本领域技术人员还可以对其局部进行改变,只要没有超出本专利的精神实质,都在本专利的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于晶体生长的防遮挡测温装置,其特征在于:包括坩埚(1)、坩埚盖(2)、导向筒(3)、测温法兰(4)、和反光镜(12);/n所述坩埚(1)上设有坩埚盖(2),测温法兰(4)通过导向筒(3)与坩埚(1)内部连通,测温法兰(4)内设有测温通路(8),测温通路(8)顶部设有反光镜(12),反光镜(12)呈45°倾斜设置,且与反光镜(12)相对的水平方向上设有测温孔(13),测温通路(8)的两侧分别通过进气导向通路(7)和出气导向通路(10)与进气通路(6)和出气通路(9)相连通,进气通路(6)和出气通路(9)分别与测温法兰(4)两侧的进气口(5)和出气口(11)相连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于晶体生长的防遮挡测温装置,其特征在于:包括坩埚(1)、坩埚盖(2)、导向筒(3)、测温法兰(4)、和反光镜(12);
所述坩埚(1)上设有坩埚盖(2),测温法兰(4)通过导向筒(3)与坩埚(1)内部连通,测温法兰(4)内设有测温通路(8),测温通路(8)顶部设有反光镜(12),反光镜(12)呈45°倾斜设置,且与反光镜(12)相对的水平方向上设有测温孔(...

【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人
申请(专利权)人:哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
类型:发明
国别省市:黑龙;23

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