【技术实现步骤摘要】
一种用于晶体生长的防遮挡测温装置
本专利技术涉及一种测温装置,具体涉及一种用于晶体生长的防遮挡测温装置,属于坩埚温控
技术介绍
在使用PVT法进行氮化铝或碳化硅晶体生长过程中,设备温度一般都在2000℃以上,在如此高的温度下,一般接触式的测温部件难以承受,只能依靠光学测温。常用的测温方法是在设备顶端开孔,使用玻璃或石英观察窗,通过红外测温仪接受透出的光线进行测温。但现有的晶体生长炉在工作过程中,由于内部温度过高,所用的保温材料极易容易挥发起尘,在温度相对较低的测温窗表面进行沉积,将其遮蔽,影响测温的准确性,进而影响温度控制,使生长出的晶体产生质量缺陷,造成损失。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用于晶体生长的防遮挡测温装置,以解决传统坩埚测温结构上的测温窗表面容易被遮蔽,影响测温,影响晶体生长质量的问题一种用于晶体生长的防遮挡测温装置包括坩埚、坩埚盖、导向筒、测温法兰、和反光镜;坩埚上设有坩埚盖,测温法兰通过导向筒与坩埚内部连通,测温法兰内设有测温通路,测温通路顶部设有反光镜,反光镜呈45°倾斜设置,且与反光镜相对的水平方向上设有测温孔,测温通路的两侧分别通过进气导向通路和出气导向通路与进气通路和出气通路相连通,进气通路和出气通路分别与测温法兰两侧的进气口和出气口相连通。优选的:进气导向通路呈45°倾斜设置,且轴线与反光镜的镜面垂直。本专利技术与现有产品相比具有以下效果:在顶端设置一倾斜45°角的反光镜,将光线水平导出进行测温,其倾斜的设计 ...
【技术保护点】
1.一种用于晶体生长的防遮挡测温装置,其特征在于:包括坩埚(1)、坩埚盖(2)、导向筒(3)、测温法兰(4)、和反光镜(12);/n所述坩埚(1)上设有坩埚盖(2),测温法兰(4)通过导向筒(3)与坩埚(1)内部连通,测温法兰(4)内设有测温通路(8),测温通路(8)顶部设有反光镜(12),反光镜(12)呈45°倾斜设置,且与反光镜(12)相对的水平方向上设有测温孔(13),测温通路(8)的两侧分别通过进气导向通路(7)和出气导向通路(10)与进气通路(6)和出气通路(9)相连通,进气通路(6)和出气通路(9)分别与测温法兰(4)两侧的进气口(5)和出气口(11)相连通。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于晶体生长的防遮挡测温装置,其特征在于:包括坩埚(1)、坩埚盖(2)、导向筒(3)、测温法兰(4)、和反光镜(12);
所述坩埚(1)上设有坩埚盖(2),测温法兰(4)通过导向筒(3)与坩埚(1)内部连通,测温法兰(4)内设有测温通路(8),测温通路(8)顶部设有反光镜(12),反光镜(12)呈45°倾斜设置,且与反光镜(12)相对的水平方向上设有测温孔(...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:黑龙;23
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