【技术实现步骤摘要】
一种晶体制备装置
本申请涉及半导体设备
，特别涉及一种晶体制备装置。
技术介绍
半导体晶体（例如，碳化硅单晶）具有优异的物理化学性能，因此成为制造高频率和大功率器件的重要材料。物理气相传输法（PhysicalVaporTransport，PVT）是一种常用的用于制备半导体晶体的方法，具体地，将籽晶粘接在生长腔体顶部，将物料置于生长腔体底部，腔体外部缠绕加热元件（例如，感应线圈），用于加热生长腔体。物料在高温条件下分解升华为气相组分，气相组分在轴向温度梯度驱动下传输至低温区的籽晶处，并在籽晶表面沉积生成晶体。然而，在晶体的生长过程中，不仅存在轴向温度梯度，还存在径向温度梯度。在生长大尺寸的晶体时，较大的径向温度梯度会导致晶体生长缺陷，降低晶体的质量和产率；此外，由于物料覆盖区域的径向温度梯度较大，使得升华的各个气相组分的摩尔比沿径向分布不均匀，不利于晶体的稳定生长。因此，有必要提供一种改进的晶体制备装置，用于制备大尺寸、高质量的晶体。
技术实现思路
本申请的一个方面提供一种晶体制备装置。所述装置包括：...
【技术保护点】
1.一种晶体制备装置，其特征在于，包括：/n生长腔体，用于放置籽晶和源材料；/n加热组件，用于加热所述生长腔体；以及/n温度补偿组件，用于在晶体生长过程中提供温度补偿，其中，/n所述温度补偿组件位于所述生长腔体上表面和/或下表面，以及/n所述温度补偿组件包括至少一个加热单元。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种晶体制备装置，其特征在于，包括：
生长腔体，用于放置籽晶和源材料；
加热组件，用于加热所述生长腔体；以及
温度补偿组件，用于在晶体生长过程中提供温度补偿，其中，
所述温度补偿组件位于所述生长腔体上表面和/或下表面，以及
所述温度补偿组件包括至少一个加热单元。
2.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，所述至少一个加热单元包括至少一个高阻石墨单元。
3.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，所述温度补偿组件还包括固定框架，所述固定框架包括至少一个固定单元，所述至少一个固定单元用于放置所述至少一个加热单元。
4.根据权利要求3所述的晶体制备装置，其特征在于，所述固定框架为氧化锆陶瓷板。
5.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，所述温度补偿组件还包括至少一个第一电极、至少一个第二电极以及电极固定板，其中：
所述电极固定板包括至少一个第一孔洞以及至少一个第二孔洞；
所述至少一个第一电极穿过所述至少一个第一孔洞，固定在所述至少一个加热单元上；以及
所述至少一个第二电极穿过所述至少一个第二孔洞，固定在所述生长腔体上表面或下表面。
技术研发人员：王宇，杨田，梁振兴，
申请(专利权)人：眉山博雅新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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