一种碳化硅单晶生长热场结构中的石墨板涂层的制备方法技术

本发明专利技术的碳化硅单晶生长热场结构中的石墨板涂层的制备方法，包括如下步骤：1)制备TaCl

Method for preparing graphite plate coating in thermal field structure of silicon carbide single crystal growth

The invention relates to a method for preparing a graphite plate coating in a silicon carbide single crystal growth thermal field structure, comprising the following steps: 1) preparing TaCl;

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅单晶生长热场结构中的石墨板涂层的制备方法
本专利技术属于碳化硅单晶制备领域，涉及一种碳化硅单晶生长热场结构，特别涉及一种碳化硅单晶生长热场结构中的石墨板涂层的制备方法。
技术介绍
碳化硅单晶具有禁带宽度大，抗辐射能力强，击穿电场高，介电常数小，热导率大，电子饱和漂移速度高，化学稳定性高等独特的特性，在白光照明、光存储、屏幕显示、航天航空、高温辐射环境、石油勘探、自动化、雷达与通信、汽车电子化等方面有广泛应用，尤其在国防军事上有着重要的战略地位。在典型碳化硅生产技术中，PVT法生长碳化硅单晶过程，颗粒状原料位于坩埚底部，籽晶位于坩埚顶部，原料温度高于籽晶温度，原料受热升华后在热驱动力作用下迁移到籽晶表面，籽晶表面的碳化硅蒸汽处于过饱和状态从而在籽晶表面沉积，晶体随之长大。颗粒状原料碳化后的细小碳颗粒也在热驱动力作用下迁移到晶体生长界面，存留在晶体内形成碳包裹物缺陷。目前传统的解决办法是在原料表面覆盖多孔石墨，多孔石墨作用相当于筛子，碳化硅蒸汽可以穿过多孔石墨，但大部分碳颗粒被多孔石墨截留，不能穿过，从而减少碳化硅晶体内的碳包裹物数量。但仍然存在以下问题：1）仍有少量碳颗粒穿过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化硅单晶生长热场结构中的石墨板涂层的制备方法，其中，所述石墨板位于颗粒状原料的上方，用于过滤碳化硅蒸汽中的碳颗粒,其特征在于，所述涂层的制备方法包括如下步骤：1)制备TaCl

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅单晶生长热场结构中的石墨板涂层的制备方法，其中，所述石墨板位于颗粒状原料的上方，用于过滤碳化硅蒸汽中的碳颗粒,其特征在于，所述涂层的制备方法包括如下步骤：1)制备TaCl5正丁醇溶液；2)将多孔石墨板浸入上述溶液内，使多孔石墨板空隙表面完全被饱和溶液浸润；3)将浸润后的多孔石墨板烘干；4)将步骤3)制备好的多孔石墨板放入真空炉内，进行升温煅烧，从而使浸润到多孔石墨表面的TaCl5与多孔石墨发生反应，生成TaC层；5)重复步骤1)-4)的过程，多孔石墨表面形成致密的TaC涂层；6)将步骤5)制备好的多孔石墨板放入真空炉内，煅烧5-10小时，从而使原有的Ta在石墨体系内全部转化为TaC晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：高宇，杨继胜，杨昆，郑清超，
申请(专利权)人：河北同光晶体有限公司，
类型：发明
国别省市：河北,13