单晶碳化硅薄膜的制造方法及制造设备技术

一种制造单晶碳化硅薄膜的设备，包括适于接受成膜用的ＳＯＩ基材１００的成膜室２００、向成膜室２００提供制造单晶碳化硅薄膜所需的各种气体Ｇ１－Ｇ４的供气装置３００、用于处理供给成膜室２００的作为惰性气体Ｇ１的氩气、作为烃基气体Ｇ２的丙烷气体、作为载气Ｇ３的氢气和氧气Ｇ４的气体处理装置５００和控制成膜室２００温度的温控装置４００。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种单晶碳化硅制造方法以及制造设备。现有技术由于单晶碳化硅(SiC)不仅具有优良的热稳定性和化学稳定性，而且机械强度和耐射线辐射性优良，作为用于下一代半导体器件材料的氮化镓外延生长用的基材以及光发射器件的基材，一直引起人们的注意。对这样的单晶碳化硅薄膜的制造方法，有使用碳化硅晶种的升华重结晶法、等离子体CVD法等成为主要方法。然而，传统的升华重结晶法除了必须有高纯度碳化硅晶种外还要求在1700℃左右的超高温过程。而在等离子体CVD法中，要求成膜室在成膜过程中保持高真空。即，两种方法在成本和时间上都存在相当的问题。而且，这些传统方法很难满足制造大直径的要求。本专利技术考虑上述情况，目的是提供能经济和方便制造单晶碳化硅薄膜的方法以及制造设备。
技术实现思路
本专利技术的单晶碳化硅薄膜制造方法是，通过在成膜室固定用于成膜的SOI(绝缘体上硅(silicon-on-insulator))基材并将成膜室的温度升高至1200-1405℃，同时通入氢气还通入烃基气体进行化学反应，烃气体与氢气的比例保持在1-5％(体积)，将在成膜用的SOI基材表面的硅层转变为单晶碳化硅薄膜。本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造单晶碳化硅薄膜的方法，所述方法通过化学反应将用于成膜的ＳＯＩ基材表面上的硅层转变为单晶碳化硅薄膜来制造单晶碳化硅薄膜，所述的方法包括下列步骤：将所述用于形成薄膜的ＳＯＩ基材固定在成膜室中，增加成膜室内部的室温至１２００－１４０５℃，同时通入氢气和烃基气体，烃基气体与氢气的比例保持在１－５％体积。

【技术特征摘要】
JP 2001-6-6 2001-1711261.一种制造单晶碳化硅薄膜的方法，所述方法通过化学反应将用于成膜的SOI基材表面上的硅层转变为单晶碳化硅薄膜来制造单晶碳化硅薄膜，所述的方法包括下列步骤将所述用于形成薄膜的SOI基材固定在成膜室中，增加成膜室内部的室温至1200-1405℃，同时通入氢气和烃基气体，烃基气体与氢气的比例保持在1-5％体积。2.如权利要求1所述的制造单晶碳化硅薄膜的方法，其特征在于所述化学反应在常压下进行。3.如权利要求1或2所述的制造单晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：泉胜俊，中尾基，大林义昭，峯啓治，条邊文彦，
申请(专利权)人：大阪府，星电器制造株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]