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大阪府专利技术
大阪府共有11项专利
对禽流感病毒的特异性快速诊断法制造技术
本发明提供一种检测禽流感病毒的方法,其利用免疫学测定法,使用对人流感A型病毒H1亚型、H2亚型、H3亚型及人流感B型病毒不显示反应性,而对禽流感病毒的多种亚型显示反应性的抗流感病毒抗体,检测出禽流感病毒。本发明提供一种运用于此的免疫层析...
用于鞋底的静电消除工具,静电消除的鞋底和方法技术
一用于鞋类鞋底的静电消除工具,其包括: 一在其内表面具有一用于鞋类鞋底的地面接触面的附连装置的基板; 一静电消除片,其中,电晕放电形成为静电消除装置; 一比静电消除片的厚度深的凹陷部分,其形成在基板的地面接触面内;以及...
局部存在有单晶氮化镓的基底及其制备方法技术
局部存在有单晶氮化镓的基底,在其单晶硅基底上包括局部生长有单晶氮化镓的区域。
碳素薄膜的蚀刻方法和蚀刻设备技术
本发明的目的在于,在用于去除形成在试样表面上的碳素薄膜时防止损伤试样、且免去提供为等离子蚀刻所需的特殊装置(诸如真空泵)的必要性。本发明的蚀刻设备包括:密封反应室(100A),其表面上形成有碳素薄膜(510)的试样(500)设置在该反应...
单晶碳化硅薄膜的制造方法及制造设备技术
一种制造单晶碳化硅薄膜的设备,包括适于接受成膜用的SOI基材100的成膜室200、向成膜室200提供制造单晶碳化硅薄膜所需的各种气体G1-G4的供气装置300、用于处理供给成膜室200的作为惰性气体G1的氩气、作为烃基气体G2的丙烷气体...
埋置绝缘体型半导体碳化硅衬底的制作方法和制作装置制造方法及图纸
本发明的目的是在SOI衬底上廉价且方便地形成单晶碳化硅薄膜。第一步是,把表面硅层薄膜130厚度不大于10nm并且带有埋置绝缘体120的SOI衬底100放置到加热炉200中,通过将氢气G1和碳氢气体G2的混合气体(G1+G2)输送到上述加...
制造埋入的绝缘层型的单晶碳化硅基体用的方法和设备技术
本发明的目的是提供一种制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体用的方法和一种用于实现该方法的制造设备,用于制造在绝缘层接触的界面内具有一较高平面度的一埋入的绝缘层型半导体碳化硅基体。一制造设备A是在一薄膜形成室200内放置一具有一位于一硅基体...
聚酰胺酸和聚酰亚胺微细颗粒以及它们的制备方法技术
本发明提供一种生产聚酰亚胺微粒的方法,该方法可易于控制颗粒形态分布。本发明还提供具有良好单分散性能的微粒状的聚酰胺酸和聚酰亚胺。本发明还提供一种由四羧酸酐和二胺化合物制备聚酰亚胺的方法,该方法包括:(a)第一步,其包括制备含有四羧酸酐的...
热固型酰胺酸微粒、热固型酰亚胺微粒和交联酰亚胺微粒及其制备方法技术
本发明提供了可控制颗粒形状、粒度分布等的热固型酰胺酸微粒、热固型酰亚胺微粒和交联酰亚胺微粒,并提供了从将含四羧酸酐和具有碳碳双键的酸酐的第一溶液和含二胺化合物的第二溶液混合得到的混合溶液中析出热固型酰胺酸微粒,再由得到的热固型酰胺酸微粒...
官能化聚酰胺酸微细颗粒,官能化聚酰亚胺微细颗粒,以及它们的生产方法技术
本发明涉及从四羧酸酐和二胺化合物合成至少在表面带官能团的聚酰胺酸颗粒的方法,其特征在于包括(a)第一步,包括提供四羧酸酐和二胺化合物,它们当中至少一种带有官能团,以及制备含有四羧酸酐的第一种溶液和含有二胺化合物的第二种溶液和(b)第二步...
产生彩虹色的加工方法、呈现彩虹色反射光泽的制品的制造方法以及呈现彩虹色反射光泽的制品技术
本发明涉及一种使待处理制品产生彩虹色的加工方法以及一种制造由铝或其合金构成的呈现彩虹色反射光泽的制品的方法。制备作为待处理制品(1)的基体(2)的铝板。通过无电镀膜法在此铝基体(2)的表面形成镍-磷合金沉积物(3)。接着在空气中于150...
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