The invention relates to a carbon / carbon composite material surface HfC nanowires toughened the ablation resistant ceramic coating and preparation method thereof, which aims to solve the existing preparation method of ablation resistance of ceramic coating and the substrate bonding force is low, easy to crack, in preparation and technical problems in the ablation process of spalling. The technical scheme is to prepare the HfC nanowire porous layer on the carbon / carbon composite surface by chemical vapor deposition firstly, and then prepare the HfC coating by chemical vapor deposition. HfC nanowires with HfC coating is homogeneous material, has good physical and chemical compatibility, HfC nanowires as reinforcement into HfC ceramic coating HfC coating can improve the toughness, reduce coating cracking and improve the erosion resistance of coating.
【技术实现步骤摘要】
碳/碳复合材料表面HfC纳米线增韧抗烧蚀陶瓷涂层及制备方法
本专利技术属于碳/碳(C/C)复合材料表面抗烧蚀涂层及制备方法,涉及一种碳/碳复合材料表面HfC纳米线增韧抗烧蚀陶瓷涂层及制备方法。
技术介绍
高温易氧化、易烧蚀是C/C复合材料在实际应用中最难突破的瓶颈问题,涂层技术是解决该问题的有效手段。超高温陶瓷具有高熔点、高硬度以及良好的抗氧化、抗烧蚀性能。其中HfC熔点高达3890℃,是最难熔的超高温陶瓷,是C/C复合材料理想的抗烧蚀涂层材料。然而,HfC陶瓷涂层的热膨胀系数(6.6×10-6K-1)远远高于C/C基体(1.2×10-6K-1),热膨胀失配会导致涂层在制备和烧蚀过程中开裂、剥落,致使涂层失效。为了缓解陶瓷涂层开裂的趋势,复合涂层以及引入第二相增韧涂层技术引起了研究人员的极大关注。文献1“SiC/HfC/SiCablationresistantcoatingforcarbon/carboncomposites,YongjieWang,HejunLi,QiangangFu,HengWu,DongjiaYao,HailiangLi,Surface&CoatingsTechnology,2012(206):3883-3887”公开了一种制备复合抗烧蚀涂层的方法,首先采用包埋法在C/C复合材料表面制备SiC内涂层;其次采用化学气相沉积(CVD)法制备HfC涂层,最后采用CVD法制备SiC外涂层。该复合涂层技术尽管在一定程度上缓解了HfC涂层与C/C基体之间的热膨胀失配,减少了HfC涂层在制备和烧蚀过程中的开裂,但是HfC涂层与SiC涂层(4 ...
【技术保护点】
一种碳/碳复合材料表面HfC纳米线增韧抗烧蚀陶瓷涂层,其特征在于包括内涂层和外涂层;所述内涂层为HfC纳米线多孔层,外涂层为HfC涂层且HfC外涂层围绕HfC纳米线形核填充多孔层的孔隙,得到致密的HfC纳米线增韧HfC陶瓷涂层。
【技术特征摘要】
1.一种碳/碳复合材料表面HfC纳米线增韧抗烧蚀陶瓷涂层,其特征在于包括内涂层和外涂层;所述内涂层为HfC纳米线多孔层,外涂层为HfC涂层且HfC外涂层围绕HfC纳米线形核填充多孔层的孔隙,得到致密的HfC纳米线增韧HfC陶瓷涂层。2.一种权利要求1所述碳/碳复合材料表面HfC纳米线增韧抗烧蚀陶瓷涂层的制备方法,其特征在于步骤如下:步骤1:将处理后的C/C复合材料放入浓度为0.5mol/L的Ni(NO3)2乙醇溶液中浸泡5h,然后取出放在80℃的烘箱中烘干,得到表面附有Ni(NO3)2的C/C基体;步骤2、CVD法制备HfC纳米线:将表面附有Ni(NO3)2的C/C基体悬挂于立式电阻炉的高温区,将HfCl4粉末置于低温区,电阻炉抽真空至2kPa后保真空30min确定炉体不漏气后再打开真空泵,通入H2作为还原气体,以8~10℃/min的升温速度将炉温升至1100~1200℃;当炉内温度达到设定温度时,通入CH4和Ar,将炉内压力控制在2kPa~12kPa;沉积时间2h后停止通入CH4和Ar,将炉内压力控制在2kPa,关闭加热电源自然降温,整个降温过程通H2保护,得到表面含HfC纳米线多孔层的C/C复合材料;所述H2流量为1000~2000ml/min;所述H2和Ar的总流量为3000ml/min,其中CH4的流量为100~400ml/min;所述H2和Ar的体积比1:2~2:1;步骤3、CVD法制备HfC涂层:将表面含HfC纳米线多孔层的C...
【专利技术属性】
技术研发人员:张雨雷,任金翠,李贺军,张鹏飞,李涛,
申请(专利权)人:西北工业大学,
类型:发明
国别省市:陕西,61
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