光致抗蚀剂组合物制造技术

本发明专利技术提供一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含：具有由式(I)表示的结构单元的树脂：其中，R

Photoresist composition

The present invention provides a photoresist composition comprising: a resin having a structural unit represented by a formula (I); wherein, R

【技术实现步骤摘要】
光致抗蚀剂组合物
本专利技术涉及光致抗蚀剂组合物和用于制备光致抗蚀剂图案的方法。
技术介绍
在通过半导体芯片用薄膜安装插脚的过程中，在基板上配置作为具有4至150μm高度的突起的电极。对于用于制备突起的光致抗蚀剂组合物，US2009/068342A1提到一种光致抗蚀剂组合物，其包含含有衍生自2-乙氧基乙基酰化物的结构单元的树脂。
技术实现思路
本申请提供如下的专利技术。[1]一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含：具有由式(I)表示的结构单元的树脂：其中，R1表示氢原子、卤原子、或任选具有卤原子的C1至C6烷基，且R2表示任选具有取代基的C1至C42烃基；碱溶性树脂；酸生成剂；和溶剂。[2]根据[1]所述的光致抗蚀剂组合物，其中，R2表示C1至C20直链脂族烃基、或C3至C20支链脂族烃基。[3]根据[1]或[2]所述的光致抗蚀剂组合物，其中，所述具有由式(I)表示的结构单元的树脂还具有选自由以下各项组成的组中的结构单元：由式(a2-1)表示的结构单元、由式(a2-2)表示的结构单元和由式(a2-3)表示的结构单元和具有内酯环且不具有酸不稳定基团的结构单元：其中Ra7、Ra8和Ra9各自独立地表示氢原子或甲基，Ra10各自独立地表示C1至C6烷基或C1至C6烷氧基，Ra11表示氢原子、或C1至C20伯或仲烃基，Ra12各自独立地表示C1至C6伯或仲烷基，La1各自独立地表示C2至C6烷烃二基，其中结合到氧原子的碳原子是伯或仲碳原子，m′表示0到4的整数，且n表示1到30的整数。[4]根据[3]所述的光致抗蚀剂组合物，其中，所述具有由式(I)表示的结构单元的树脂还具有选自由以下各项组成的组中的结构单元：所述由式(a2-3)表示的结构单元以及所述具有内酯环且不具有酸不稳定基团的结构单元。[5]根据[1]至[4]中任一项所述的光致抗蚀剂组合物，其中，溶剂的重量占所述光致抗蚀剂组合物的总重量的40重量％到75重量％。[6]根据[1]至[5]中任一项所述的光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物还包含具有由式(a1-2)表示的结构单元的树脂：其中，Ra1′和Ra2′各自独立地表示氢原子或C1至C12烃基，Ra3′表示C1至C20烃基，或者Ra3′结合到Ra1′或Ra2′而形成C2至C20二价杂环基，其中亚甲基可以被氧原子或硫原子代替，Ra5表示氢原子或甲基，Ra6各自独立地表示C1至C6烷基或C1至C6烷氧基，且m表示0到4的整数。[7]一种用于制备光致抗蚀剂图案的方法，所述方法包括：(1)将根据[1]至[6]中任一项所述的光致抗蚀剂组合物涂敷在基板上的步骤，(2)通过干燥所述光致抗蚀剂组合物而形成光致抗蚀剂组合物膜的步骤，(3)将所述光致抗蚀剂组合物膜曝光的步骤，和(4)将所曝光的光致抗蚀剂组合物膜显影的步骤。本专利技术的光致抗蚀剂组合物具有高的分辨率(resolution)。具体实施方式本公开的光致抗蚀剂组合物包含具有由式(I)表示的结构单元的树脂：其中，R1表示氢原子、卤原子、或任选具有卤原子的C1至C6烷基，且R2表示任选具有取代基的C1至C42烃基；碱溶性树脂；酸生成剂；和溶剂。具有由式(I)表示的结构单元的树脂有时称为“树脂(A1)”。碱溶性树脂有时称为“树脂(A2)”。光致抗蚀剂组合物可以还含有除上述树脂之外的树脂，猝灭剂，粘合改善剂，表面活性剂，等等。<树脂(A1)>树脂(A1)具有由式(I)表示的结构单元。由式(I)表示的结构单元是一种具有酸不稳定基团的结构单元，该结构单元有时称为“结构单元(a1)”。在本文中，“酸不稳定基团”意指能够通过酸的作用被消除从而形成亲水基团(如羟基或羧基)的基团，即，能够通过酸的作用增加在碱的水溶液中的溶解性的基团。酸不稳定基团的典型实例包括由表示的由-C(＝O)-O-C(Ra1)(Ra2)(Ra3)表示的基团和由-O-C(Ra1′)(Ra2′)-O-(Ra3′)表示的基团，下面要描述的由式(a1-1)和(a1-2)表示的结构单元分别具有这两种基团。树脂(A1)具有作为结构单元(a1)的由式(I)表示的结构单元，并且因此该树脂通过酸的作用增加在碱的水溶液中的溶解性。表述“通过酸的作用增加在碱的水溶液中的溶解性”意指通过接触酸增加在碱的水溶液中的溶解性。优选地，树脂(A1)在接触酸之前在碱的水溶液中不可溶或难溶，但是在接触酸之后变得在碱的水溶液可溶。树脂(A1)可以还具有已知结构单元，如除了由式(I)表示的结构单元之外的其他结构单元(a1)、不具有酸不稳定基团的结构单元(该结构单元有时称为“结构单元(a2)”)、或它们两者。由R1表示的卤原子的实例包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。由R1表示的烷基的实例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基和正己基。对于R1，具有卤原子的烷基的实例包括三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟(异丙基)、全氟丁基、全氟(仲丁基)、全氟(叔丁基)、全氟戊基、全氟己基、全氯甲基、全溴甲基和全碘甲基。R1优选表示氢原子或甲基。对于R2，烃基的实例包括C1至C20脂族烃基、C6至C42芳族烃基、和所述脂族烃基与所述芳族烃基的任一组合。对于R2，脂族烃基包括链状脂族烃基、环状脂族烃基、和这些脂族烃基的任一组合。脂族烃基可以具有碳-碳双键，其优选为饱和的脂族烃基。链状脂族烃基的实例包括C1至C20直链脂族烃基如甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基和正己基、正庚基、正辛基、正壬基和正癸基；和C3至C20支链脂族烃基如1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基和4-甲基戊基。对于R2，脂族烃基的典型实例包括C1至C20直链脂族烃基和C3至C20支链脂族烃基。对于R2，脂族烃基优选为直链脂族烃基，更优选为C1至C15直链烷基、再更优选C1至C10直链烷基。有时称为“脂环烃基”的环状脂族烃基可以是单环或多环的。脂环烃基优选具有3到20个碳原子，更优选3到12个碳原子。单环的脂族烃基的实例包括其中从由式(KA-1)至(KA-7)表示的环烷烃中的任一个移除了一个氢原子的脂族烃基。多环脂族烃基的实例包括其中从由式(KA-8)至(KA-19)表示的环烷烃中的任一个移除了一个氢原子的多环脂族烃基。芳族烃基的实例包括C6至C42芳族烃基，如苯基、萘基、蒽基(antlylgroup)、联苯基、菲基、芴基、甲苯基、二甲苯基、异丙苯基、基、2，6-二乙苯基、和2-甲基-6-乙苯基。芳族烃基优选为C6至C30芳族烃基，更优选C6至C20芳族烃基，再更优选C6至C12芳族烃基。在由R2表示的烃基上的取代基的实例包括卤原子、羟基、烷氧基、酰基、酰氧基、芳基、芳烷基和芳氧基。烷氧基的实例包括C1至C12烷氧基，如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、叔丁氧基、仲丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正癸氧基和正十二烷氧基。酰基的实例包括C2至C12酰基，如乙酰基、丙酰基、丁酰基、戊酰基(vareylgroup)、己基羰基、庚基羰基、辛基羰基、癸基羰基、十二烷基羰基和苯甲酰基。酰氧基的实例包括C2至C14酰氧基，如乙酰氧基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含：具有由式(I)表示的结构单元的树脂：

【技术特征摘要】
2015.12.09 JP 2015-2399491.一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含：具有由式(I)表示的结构单元的树脂：其中，R1表示氢原子、卤原子、或任选具有卤原子的C1至C6烷基，且R2表示任选具有取代基的C1至C42烃基；碱溶性树脂；酸生成剂；和溶剂。2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中，R2表示C1至C20直链脂族烃基、或C3至C20支链脂族烃基。3.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中，所述具有由式(I)表示的结构单元的树脂还具有选自由以下各项组成的组中的结构单元：由式(a2-1)表示的结构单元、由式(a2-2)表示的结构单元和由式(a2-3)表示的结构单元和具有内酯环且不具有酸不稳定基团的结构单元：其中，Ra7、Ra8和Ra9各自独立地表示氢原子或甲基，Ra10各自独立地表示C1至C6烷基或C1-C6烷氧基，Ra11表示氢原子、或C1至C20伯或仲烃基，Ra12各自独立地表示C1至C6伯或仲烷基，La1各自独立地表示C2至C6烷烃二基，其中结合到氧原子的碳原子是伯或仲碳原子，m′表示0到4的整数，且n表示1...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉原昌子，西村崇，坂本宏，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP