【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶体生产领域,具体涉及到一种低温晶体生长炉。
技术介绍
晶体生成的一般过程是先生成晶核,而后再逐渐长大,一般认为晶体从液相或气相中的生长有三个阶段:①介质达到过饱和、过冷却阶段;②成核阶段;③生长阶段,其原理基于物种晶相化学势与该物种在相关物相中化学势间准平衡关系的合理维持。如在溶液中的晶体生长要求在平衡溶解度附近溶质有一定适宜的过饱和度。晶体生长方法是多样的,如水热法生长人工水晶,区域熔融法生长硅、锗单晶、氢氧焰熔融法生长轴承用宝石,航天失重法培养晶体以及升华法,同质或异质外延生长法等。现有的晶体生长炉多种多样,适用于不同晶体的生长,但是现有的生长炉多为固定式放置,难以移动,缺乏灵活性,晶体生长炉对环境的要求较高,可能常需移动位置,现有的生长炉难以满足要求。
技术实现思路
基于以上背景,本技术提供了一种低温晶体生长炉,具有很好的灵活性能。为了实现以上技术效果,现采用以下技术方案:一种低温晶体生长炉,包括加热结晶装置、升降装置和机架,所述升降装置设置在加热结晶装置正下方,所述加热结晶装置与升降装置均设置在机架上,所述机架包括一支撑板以及设置在支撑板底部四角的支撑杆,所述支撑杆的底部之间垂直的设置有固定杆,所述固定杆与支撑杆相连接处设置有支撑装置,所述支撑装置可以翻折,所述固定杆的底部设置有万向滚珠。本技术提供一种低温晶体生长炉,优选地,所述固定杆设置有三根,三根所述固定杆构成一个“凵”字形的形状。本技术提供一种低温晶体生长炉,优选地,所述升降装置设置在机架内,所述加热结晶装置设置在机架上方,所述加热结晶装置的四周设置有透明的防护板,所述防护板从支撑板处 ...
【技术保护点】
一种低温晶体生长炉,包括加热结晶装置(1)、升降装置(2)和机架(3),所述升降装置(2)设置在加热结晶装置(1)正下方,所述加热结晶装置(1)与升降装置(2)均设置在机架(3)上,其特征在于,所述机架(3)包括一支撑板(31)以及设置在支撑板(31)底部四角的支撑杆(32),所述支撑杆(32)的底部之间垂直的设置有固定杆(33),所述固定杆(33)与支撑杆(32)相连接处设置有支撑装置(4),所述支撑装置(4)可以翻折,所述固定杆(33)的底部设置有万向滚珠,所述支撑装置(4)包括一固定轴(41)、设置在固定轴(41)上且可绕固定轴(41)旋转的转轴(42)以及垂直设置在转轴(42)尾端的圆盘(43),所述支撑杆(32)底部设置有凹槽(10),所述凹槽(10)呈L状,所述固定轴(41)设置在该凹槽(10)内,所述转轴(42)高于所述凹槽(10)。
【技术特征摘要】
1.一种低温晶体生长炉,包括加热结晶装置(1)、升降装置(2)和机架(3),所述升降装置(2)设置在加热结晶装置(1)正下方,所述加热结晶装置(1)与升降装置(2)均设置在机架(3)上,其特征在于,所述机架(3)包括一支撑板(31)以及设置在支撑板(31)底部四角的支撑杆(32),所述支撑杆(32)的底部之间垂直的设置有固定杆(33),所述固定杆(33)与支撑杆(32)相连接处设置有支撑装置(4),所述支撑装置(4)可以翻折,所述固定杆(33)的底部设置有万向滚珠,所述支撑装置(4)包括一固定轴(41)、设置在固定轴(41)上且可绕固定轴(41)旋转的转轴(42)以及垂直设置在转轴(42)尾端的圆盘(43),所述支撑杆(32)底部设置有凹...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙矿,徐炜,
申请(专利权)人:浙江晨华科技有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江;33
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