坩埚下降法晶体生长炉的下降装置制造方法及图纸

坩埚下降法生长晶体炉的下降装置，适用于晶体质量对外界振动敏感的晶体的生长，属于晶体生长技术领域。现有技术存在中频和低频振动，通过坩埚形成对晶体生长的干扰，降低了晶体质量。本发明专利技术之坩埚下降法生长晶体炉的下降装置其特征在于，升降杆下端的活塞位于液压缸中；位于液压缸底部的滴油阀一端通向液压缸内部，另一端通向储油槽；安装在临近升降杆侧壁处的位移传感器与降速控制器连接，降速控制器与滴油阀的控制部分连接。采用本发明专利技术下降法生长无掺杂LiCaAlF6晶体，晶体直径20?mm、长度200?mm，单晶结构完整，劈裂获得的晶体解理面光滑平整，切割截取晶体中部测量，其应力双折射小于10?nm/cm，吸收系数小于2×10E-3，损伤阈值得以提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种坩埚下降法晶体生长炉的下降装置，适用于晶体质量对外界振动敏感的晶体的生长，属于晶体生长

技术介绍
现有技术采用提拉法或者下降法生长如Cr3+:LiSrAlF6、Ce3+:LiCaAlF6等复合氟化物激光晶体，由于采用提拉法在生长过程中固液界面处的温度梯度过大，导致晶体内部应力较大以及缺陷较多，鉴于此，下降法更适合于生长Cr3+ = LiSrAlF6Xe3+: LiCaAlF6等复合氟化物激光晶体。以生长纯的LiSrAlFf^as体为例，采用提拉法生长的晶体双折射一般为2(Γ30nm/cm，吸收系数为10X 10E-2数量级，而采用下降法生长的晶体双折射一般为20 nm/cm,吸收系数为5 X 10E-2。然而，虽然晶体内部应力和缺陷有所减小，但是这样的晶体内部质量依然不能满足使用要求。这是由于如Cr3+:LiSrAlF6Xe3+ = LiCaAlF6等复合氟化物激光晶体其工作时能量密度比较高，所以对晶体内部质量要求很高，如要求晶体内部缺陷尽可能少，内部缺陷过多将降低激光晶体的损伤阈值，缩短其使用寿命。要获得高质量的复合氟化物激光晶体，要求尽量避免在生长过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种坩埚下降法晶体生长炉的下降装置，其特征在于，升降杆（1）下端的活塞（2）位于液压缸（3）中；位于液压缸（3）底部的滴油阀（4）一端通向液压缸（3）内部，另一端通向储油槽（5）；安装在临近升降杆（1）侧壁处的位移传感器（6）与降速控制器（7）连接，降速控制器（7）与滴油阀（4）的控制部分连接。

【技术特征摘要】
1.一种坩埚下降法晶体生长炉的下降装置，其特征在于，升降杆(I)下端的活塞(2)位于液压缸(3)中；位于液压缸(3)底部的滴油阀(4) 一端通向液压缸(3)内部，另一端通向储油槽(5);安装在临近升降杆(I)侧壁处的位移传感器(6)与降速控制器(7)连接，降速控制器(7)与滴油阀(4)的控制部分连接。2.根据权利要求1所述的坩埚下降法晶体生长炉的下降装置，其特征在于，在升降杆(I)上添加有配重。3.根据权利要求1所述的坩埚下降法晶体生长炉的下降装置，其特征在于，所述滴油阀(4)是一种能够控制流量的调速阀，该调速阀具有不论载荷压力如何变化始终保持通过阀门的流体按照给定流量的大小流过的特性。4.根据权利要求1所述的坩埚下降法晶体生长炉的下降装置，其特征在于，所述的位移传感器(6)采用光栅尺位移传感器，其光栅主尺垂直安装在...

【专利技术属性】
技术研发人员：臧春雨，臧春和，姜晓光，李毅，葛济铭，万玉春，贾志旭，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：