一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台制造技术
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及SiC生产
，具体为一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台。
技术介绍
人造SiC通常是在坩埚中进行生产的，坩埚是通过石墨平台进行支撑的，石墨平台起到均热作用，在SiC生长过程中，需要反复对坩埚进行加热和冷却，石墨平台也需要经历反复不断的膨胀和收缩，石墨平台的膨胀和收缩会导致坩埚的中心位置发生偏移，使得坩埚在使用过程中不稳定，容易晃动，一旦坩埚在使用过程中发生晃动，极易导致坩埚内的温场不均匀，严重影响SiC的质量。基于上述问题，设计专利技术一种新型的SiC生长坩埚平台就显得尤为必要。
技术实现思路
为了克服现有技术中的缺陷，本申请提供了一种新型的SiC生长坩埚平台，该装置通过螺栓将两块石墨平台连接在一起，并将坩埚固定于两块石墨平台之间，当石墨受热膨胀时，由于螺栓的固定，石墨平台不会发生位置平移，从而保障了坩埚位置的稳定性。另外，该坩埚平台具有结构简单，使用方便等优点。为了实现上述目的，本申请采取的技术方案如下：一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台，包括第一石墨平台和第二石墨平台，所述的第一石墨平台和第二石墨平台通过两个螺栓连接在一起，两根螺栓分别贯穿第一石墨平台和第二石墨平台的两侧，在第二石墨平台的一侧为螺帽，在第一石墨平台的一侧为螺母；在螺帽与第二石墨平台之间设有弹簧；所述的第一石墨平台和第二石墨平台放置在不锈钢底座上，且不锈钢底座上开设有通气孔，通气孔起到通风散热的作用；所述的第一石墨平台和第二石墨平台相对的一侧，在每个平台上分别设有半圆，两半圆大小及相对位置为对应的，两个半圆正好形成放置坩埚的空间；所述的坩埚上设置有通电钮，用于通电而对坩埚加...
【技术保护点】
一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台，其特征在于，包括第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)，所述的第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)通过两个螺栓(2)连接在一起，两根螺栓(2)分别贯穿第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)的两侧，在第二石墨平台(3)的一侧为螺帽(4)，在第一石墨平台(1)的一侧为螺母；在螺帽(4)与第二石墨平台(3)之间设有弹簧(5)；所述的第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)相对的一侧，在每个平台上分别设有半圆，两半圆大小及相对位置为对应的，两个半圆正好形成放置坩埚(8)的空间。
【技术特征摘要】
1.一种稳定性能好的SiC生长坩埚平台，其特征在于，包括第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)，所述的第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)通过两个螺栓(2)连接在一起，两根螺栓(2)分别贯穿第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)的两侧，在第二石墨平台(3)的一侧为螺帽(4)，在第一石墨平台(1)的一侧为螺母；在螺帽(4)与第二石墨平台(3)之间设有弹簧(5)；所述的第一石墨平台(1)和第二石...
【专利技术属性】
技术研发人员：宗艳民，
申请(专利权)人：山东天岳晶体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。