基于多步掠射角沉积法的锑化铟纳米线制备与锰掺杂方法技术

本发明专利技术涉及一种基于多步掠射角沉积法的锑化铟纳米线制备与锰掺杂方法。首先采用多步掠射角沉积技术制备单晶纯In纳米线；然后在纯In纳米线表面沉积Sb膜层，形成In、Sb的核‑壳结构；然后对In、Sb的核‑壳结构进行退火处理，使其在固相时发生结晶反应，形成InSb纳米线。在进行锰掺杂时，首先采用多步掠射角沉积技术制备单晶纯In纳米线；然后在纯In纳米线表面沉积Mn膜层，形成In、Mn的核‑壳结构；然后在Mn膜层表面沉积Sb膜层，并进行退火处理，形成Mn掺杂的InSb纳米线。本发明专利技术实现了在低温下制备InSb纳米线并进行Mn元素的掺杂，能够得到高Mn含量的InSb纳米线。

【技术实现步骤摘要】
201610300708

【技术保护点】
一种基于多步掠射角沉积法的InSb纳米线制备方法，包括以下步骤：1)采用多步掠射角沉积技术制备单晶纯In纳米线；2)在纯In纳米线表面沉积Sb膜层，形成In、Sb的核‑壳结构；3)对In、Sb的核‑壳结构进行退火处理，使其在固相时发生结晶反应，形成InSb纳米线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张秋筠，洪艳雪，李侃，邢英杰，徐洪起，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：北京;11