【技术实现步骤摘要】
一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管
本技术涉及半导体器件领域,具体涉及一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管。
技术介绍
齐纳二极管由于其稳压作用,在稳压电源中作为基准电压源或用在过电压保护电路中作为保护二极管。传统的齐纳二极管掺杂后,多采用在真空环境中,高温炉中退火处理得到N型与P型掺杂区。结合器件的制备工艺、生产成本以及与GaN等功率器件等集成问题,传统高温炉退火齐纳二极管存在以下几个缺点:(1)晶格损伤修复率低,电激活率低,而且杂质也会因为热扩散而发生改变。(2)需要在真空环境高温炉长时间退火,环境相对复杂,耗时也比较长,在生产方面,不利于产量的提高。(3)容易引起硅片变形,增加后面工艺加工的难度。(4)若与GaN等功率器件片内集成实现稳压作用时,高温退火工艺只能在GaN等功率器件金属化前进行,限制了集成工艺。
技术实现思路
针对以上问题,本技术提供了一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管,其主要特征是在利用激光退火对N型掺杂剂与P型掺杂剂进行激活,改善了传统的高温炉激活工艺问题,时间短,灵活性高,可以有效解决
技术介绍
中的问题。为了实现上述目的,本技术采用的技术方案如下:一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管,包括:衬底以及在衬底上依次生长钝化层A和多晶硅薄膜;在多晶硅薄膜部分区形成的N型掺杂区;在多晶硅薄膜另一部分进行的P型掺杂区;钝化层B,该钝化层位于多晶硅薄膜的上表面区域;N型掺杂区上的N区电极,该电极位于N型掺杂区的上方以及部分钝化层A的上方;P型掺杂区上的P区电极,该电极位于P型掺杂区的上方以及部分钝化层B的上方。优选的,所述衬底的材料为Si、金刚石或SiC材料。优选的,所述钝化层A ...
【技术保护点】
一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管,其特征在于,包括:衬底(100)以及在衬底(100)上依次生长钝化层A(200)和多晶硅薄膜(300);在多晶硅薄膜部分区形成的N型掺杂区(301);在多晶硅薄膜另一部分进行的P型掺杂区(302);钝化层B(400),该钝化层位于多晶硅薄膜(300)的上表面区域;N型掺杂区(301)上的N区电极(500),该电极位于N型掺杂区(301)的上方以及部分钝化层A(401)的上方;P型掺杂区(302)上的P区电极(600),该电极位于P型掺杂区(302)的上方以及部分钝化层B(402)的上方。
【技术特征摘要】
1.一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管,其特征在于,包括:衬底(100)以及在衬底(100)上依次生长钝化层A(200)和多晶硅薄膜(300);在多晶硅薄膜部分区形成的N型掺杂区(301);在多晶硅薄膜另一部分进行的P型掺杂区(302);钝化层B(400),该钝化层位于多晶硅薄膜(300)的上表面区域;N型掺杂区(301)上的N区电极(500),该电极位于N型掺杂区(301)的上方以及部分钝化层A(401)的上方;P型掺杂区(302)上的P区电极(600),该电极位于P型掺杂区(302)的上方以及部分钝化层B(402)的上方。2.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管,其特征在于,所述衬底(100)的材料为Si、金刚石或SiC材料。3.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管,其特征在于,所述钝化层A(200)的材料为SiO2、Si3N4、AlN、Al2O3、MgO、Sc2O3、TiO2、HfO2、BCB、ZrO2、Ta2O5和La2O3。4.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅薄膜...
【专利技术属性】
技术研发人员:何志,
申请(专利权)人:佛山芯光半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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