本发明公开了采用离子注入增强激光退火制备碳化硅欧姆接触的方法，包括如下步骤：步骤一：在SiC所需形成欧姆接触的部位进行离子注入；步骤二：在所述SiC晶圆表面淀积欧姆接触金属；步骤三：采用激光对欧姆接触金属进行辐照以制备欧姆接触；采用离子...

本实用新型公开了一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管，包括：衬底以及在衬底上依次生长钝化层A和多晶硅薄膜；在多晶硅薄膜部分区形成的N型掺杂区；在多晶硅薄膜另一部分进行的P型掺杂区；钝化层B，该钝化层位于多晶硅薄膜的上表面区域；N型掺杂区上的电极...

本发明公开了一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管及制作方法，包括：衬底以及在衬底上依次生长钝化层A和多晶硅薄膜；在多晶硅薄膜部分区形成的N型掺杂区；在多晶硅薄膜另一部分进行的P型掺杂区；钝化层B，该钝化层位于多晶硅薄膜的上表面区域；N型掺杂区上...

本实用新型公开了一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaN HEMTs器件的封装结构。器件包括AlGaN/GaN HEMTs器件和反向额定电压与AlGaN/GaN HEMTs器件额定阻断电压相同的Si基二极管并联，使得AlGaN/GaN H...

本实用新型公开了一种带雪崩击穿特性的GaN基肖特基二极管器件的封装结构。器件包括两个反向额定电压相同的GaN基肖特基二极管与Si基二极管，通过将Si基二极管直接焊接到GaN基肖特基二极管的阴极上，并通过引线连接两种管子的阳极，形成并联结...

本发明公开了一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaN HTMTs器件的封装结构。器件包括AlGaN/GaN HTMTs器件和反向额定电压与AlGaN/GaN HTMTs器件额定阻断电压相同的Si基二极管并联，使得AlGaN/GaN HTM...

本实用新型公开了一种带雪崩特性的GaN基肖特基二极管器件。器件包括将两个反向额定电压相同的GaN基肖特基二极管与Si基二极管并联，使得器件在反向工作时，当反向耐压超过器件的反向额定电压时，通过Si基二极管的雪崩击穿效应，固定反向电压，并...

本实用新型公开了一种可以采用类金刚石薄膜铝基板的功率模块（包括IGBT，MOSFE，二极管等功率模块），结构包括硅凝胶（1）、金属电极（2）、铝基板（3）、类金刚石薄膜（4）、铜膜（5）、焊膏（6）、功率芯片（7）和铝线（8）。该功率模...

本实用新型公开了一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaN HEMTs器件。器件包括AlGaN/GaN HEMTs器件和反向额定电压与AlGaN/GaN HEMTs器件额定阻断电压相同的Si基二极管并联。使得AlGaN/GaN HEMTs器...

本发明公开了一种带雪崩特性的GaN基肖特基二极管器件。器件包括将两个反向额定电压相同的GaN基肖特基二极管与Si基二极管并联，使得器件在反向工作时，当反向耐压超过器件的反向额定电压时，通过Si基二极管的雪崩击穿效应，固定反向电压，并且通...

本发明公开了一种可以采用类金刚石薄膜铝基板的功率模块（包括IGBT，MOSFE，二极管等功率模块），结构包括硅凝胶（1）、金属电极（2）、铝基板（3）、类金刚石薄膜（4）、铜膜（5）、焊膏（6）、功率芯片（7）和铝线（8）。该功率模块适...

本发明公开了一种带雪崩特性的GaN基肖特基二极管器件的封装结构。器件包括两个反向额定电压相同的GaN基肖特基二极管与Si基二极管，通过将Si基二极管直接焊接到GaN基肖特基二极管的阴极上，并通过引线连接两种管子的阳极，形成并联结构。使得...

本发明公开了一种带雪崩特性的AlGaN/GaN HTMTs器件。器件包括AlGaN/GaN HTMTs器件和反向额定电压与AlGaN/GaN HTMTs器件额定阻断电压相同的Si基二极管并联。使得AlGaN/GaN HTMTs器件在阻断...

本发明涉及半导体器件的制造领域，具体涉及在GaN异质结结构上通过高温化学反应的方法选择性腐蚀势垒层形成GaN基凹栅增强HEMT器件及其制造方法。

一种超结半导体器件的终端结构，其包括：一种导电类型的半导体基板，在所述半导体基板之上的同种或另一种导电类型的外延半导体层，在所述外延半导体层的终端区具有的多条深度渐变的、与外延半导体层导电类型相异的连续柱状半导体掺杂区域，或多条深度渐变...

本发明提出了一种用于提升器件抗短路能力的沟槽IGBT器件工艺。通过一种新型的dummy沟槽工艺设计，在器件耐压不受影响的前提下，有效降低器件的沟道密度，从而保证器件的短路耐量。并且该设计中不存在传统dummy工艺带来的开关浪涌电压，因此...

本发明公开了一种集成二极管的集电极短路IGBT结构，包括元胞区(110)和环绕于所述元胞区(110)的终端区(111)，属于功率半导体器件技术领域。其中元胞区(110)包括绝缘层(10)、多晶硅栅极(30)、发射极金属(50)、P-bo...