The present invention provides a method for preparing polycrystalline silicon thin film, the method includes: forming a metal layer on a substrate; exposing the developing of the metal layer using the first mask, metal pattern, the metal pattern includes a hollow silicon island and is located on the left and right side or on the silicon island side the metal area; an amorphous silicon layer is formed on the metal pattern; the non high temperature treatment and laser annealing of amorphous silicon layer, so that the amorphous silicon layer to form a polysilicon film. The invention also provides a thin film transistor, an array substrate and a liquid crystal display panel. Preparation method of low temperature polycrystalline silicon thin film provided by the invention, by forming a metal pattern on the substrate, the metal and silicon island formation temperature, the amorphous silicon layer crystallization, crystal formation starting point in the low temperature region, to silicon island lateral higher crystallization temperature, forming a uniform and polycrystalline silicon has a larger grain size, low temperature polycrystalline silicon thin film high electron mobility.
【技术实现步骤摘要】
一种低温多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管、阵列基板以及液晶显示面板
本专利技术涉及显示面板
,特别是涉及一种低温多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管、阵列基板以及液晶显示面板。
技术介绍
随着平面显示技术的发展,具有高分辨率、低能耗的液晶显示面板的需求越来越大。非晶硅的电子迁移率较低,而低温多晶硅可以在低温下制作,且低温多晶硅的电子迁移率比非晶硅的电子迁移率高20-100倍。在使用低温多晶硅的情况下,可以将薄膜晶体管以及像素做到更小,以达到高分辨率的要求。此外,低温多晶硅制作的半导体器件使得液晶显示器能量消耗率低。低温多晶硅较于非晶硅具有如此多的优点,使得低温多晶硅得到了广泛地研究和应用。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种低温多晶硅薄膜的制备方法,能够获取晶粒均匀、较大的多晶硅。为解决上述技术方案,本专利技术提供的一种技术方案是:提供一种低温多晶硅薄膜的制备方法,所述方法包括:在基板上形成金属层;利用第一光罩对所述金属层进行曝光显影,得到金属图案,所述金属图案包括镂空的硅岛区和位于所述硅岛区左右侧或者上下侧的金属区;在所述金属图案上形成非晶硅层;对所述非晶硅层进行高温处理和激光退火,进而使所述非晶硅层形成多晶硅薄膜。其中,所述对所述非晶硅层进行高温处理和激光退火,进而使所述非晶硅层形成多晶硅薄膜的步骤之后,还包括:利用所述第一光罩对所述多晶硅薄膜进行曝光显影,进而去掉所述金属区。其中,所述在基板上形成金属层的步骤,包括:在基板上依次形成第一隔离层、金属层。其中,所述第一隔离层的厚度范围为3000A-1um。其中,所述在所述金属图案上形成非 ...
【技术保护点】
一种低温多晶硅薄膜的制备方法,其特征在于,所述方法包括:在基板上形成金属层;利用第一光罩对所述金属层进行曝光显影,得到金属图案,所述金属图案包括镂空的硅岛区和位于所述硅岛区左右侧或者上下侧的金属区;在所述金属图案上形成非晶硅层;对所述非晶硅层进行高温处理和激光退火,进而使所述非晶硅层形成多晶硅薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅薄膜的制备方法,其特征在于,所述方法包括:在基板上形成金属层;利用第一光罩对所述金属层进行曝光显影,得到金属图案,所述金属图案包括镂空的硅岛区和位于所述硅岛区左右侧或者上下侧的金属区;在所述金属图案上形成非晶硅层;对所述非晶硅层进行高温处理和激光退火,进而使所述非晶硅层形成多晶硅薄膜。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述对所述非晶硅层进行高温处理和激光退火,进而使所述非晶硅层形成多晶硅薄膜的步骤之后,还包括:利用所述第一光罩对所述多晶硅薄膜进行曝光显影,进而去掉所述金属区。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述在基板上形成金属层的步骤,包括:在基板上依次形成第一隔离层、金属层。4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述第一隔离层的厚度范围为3000A-1um。5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述在所述金属图案上形成非晶硅层的步骤之前,包括:在...
【专利技术属性】
技术研发人员:方宏,
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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