【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工设备领域，特别涉及一种晶体生长炉及其炉盖。
技术介绍
太阳能是最大的无污染的可再生资源，取之不尽、用之不竭，是今后人类能源利用的重点之一。自上世纪末以来，随着全世界对能源消耗的剧增，传统能源枯竭的威胁，以及多晶硅、单晶硅发电技术的发展，太阳能光伏产业方兴未艾。晶体生长炉是生产单晶硅和多晶硅的主要设备，其一般包括炉体、设置于炉体底端的炉底及设置于炉体上端的炉盖。当炉盖盖于炉体时，二者之间保持密封性，以便对炉体内部进行抽真空处理。炉体内部还设置有加热器，当加热器进行加热エ序时,可提供炉体内部所需的高温环境。为了使得该炉体具有较好的保温特性，炉盖的内壁上覆有保温材料。加热器安装于炉盖的保温材料上，且炉盖与保温材料设有供电极穿过的通孔，电极与该通孔保持气密性。电极穿过炉盖及保温材料，其一端与外部电缆连接，另一端与加热器相连接。如此设置，电极可提供加热器进行加热エ序时所需电流。然而，现有技术中，炉盖为向上凸起的圆弧状盖板，电极需透过盖板及覆于盖板的 保温材料方可与固定于炉盖内壁的加热器相连接。由于炉盖为向上凸起的圆弧状盖板，カロ热器与炉盖内壁不能完...
【技术保护点】
一种晶体生长炉炉盖，包括炉盖本体、覆于所述炉盖本体内壁的保温层及贯穿于其厚度方向且供电极穿过的通孔，其特征在于，所述晶体生长炉炉盖为平面状结构。
【技术特征摘要】
1.ー种晶体生长炉炉盖，包括炉盖本体、覆于所述炉盖本体内壁的保温层及贯穿于其厚度方向且供电极穿过的通孔，其特征在于，所述晶体生长炉炉盖为平面状结构。2.如权利要求I所述的晶体生长炉炉盖，其特征在于，所述炉盖本体的外壁固定有若干加强筋。3.如权利要求2所述的晶体生长炉炉盖，其特征在于，所述加强筋为三个。4.一种晶体生长炉，包括晶体生长炉本体、设置于所述晶体生长炉本体上端的晶体生长炉炉盖及设置于所述晶体生长炉本体底端的底板，其特征在于，所述晶体生长炉炉盖为如权利要求1-2任一项所述的晶体生长炉炉盖。5.如权利要求4所述的晶体生长炉，其特征在于，所述底板为平面状结构。6.如权利要求5所述的晶体生长炉，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：汤旋，
申请(专利权)人：浙江昱辉阳光能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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