本发明公开了一种GaN单晶生长装置及GaN单晶生长方法，包括反应釜和储槽；其中，储槽内盛装有熔体；反应釜内的顶部设置有用于将熔体雾化成微小液滴的雾化喷头和用于供氮气进入的进气口，雾化喷头通过第二管道与储槽连通，第二管道上设置有第二循环泵...

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种反应装置，包括反应器，所述反应器具有腔室和与所述腔室连通的进气口和出气口；舟，设置在所述腔室内，以将所述腔室划分为连通的上腔室和下腔室，且盛装有化学反应物原料；弹簧，设置在所述下腔室内，且一端与所述舟...

本发明公开一种嵌套物体同轴度测量调控装置及其方法，包括载物台、设置于载物台上方的中心齿轮、及设置于载物台下方的载物支架；载物台上表面的中心设置有用于安装中心齿轮的轮轴，轮轴周侧的不同水平面分布有互相垂直设置的两组第一悬臂组，两组第一悬臂...

本发明公开了一种基于特斯拉阀的氮化镓单晶生长装置及方法，其中，基于特斯拉阀的氮化镓单晶生长装置包括装有熔体的反应釜以及加热组件；反应釜内的第一通道的顶端部与第二通道的顶端部通过第一横道相连通，第一通道的底端部与第二通道的底端部通过第二横...

本发明公开了一种基于毛细作用的自循环装置，包括毛细管以及装有熔体的反应釜；毛细管包括依次连接的进口端部、中段部以及出口端部，其中，进口端部浸入于熔体的液面下方，出口端部位于熔体的液面上方，毛细管的内部沿进口端部至出口端部的方向依次填充有...

本发明公开一种大尺寸单晶金刚石的制备方法，包括：在异质衬底表面外延生长高取向的多晶金刚石外延层，除去异质衬底得到自支持高取向的多晶金刚石薄片；对多晶金刚石薄片的成核面抛磨找平，再沿着标记方向对多晶金刚石薄片的生长面做直线单向或往复研磨与...

本发明公开一种利用浮力维持HVPE反应炉预反应速率稳定的镓舟反应器，包括用于盛放镓金属的腔室及内置于腔室并依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板；腔室包括进气通道、出气通道和镓源存放区；活动盖板包括顶盖及与顶盖共同形成气路通道的侧...

本申请实施例提供一种反应器及生长装置，通过反应器本体的内部具有反应腔室，反应器本体上相对的两个侧壁上分别设有进气口和出气口，进气口和出气口均与反应腔室连通，反应腔室分隔为第一腔室和第二腔室，进气口包括第一进气口以及第二进气口，第一进气口...

本发明涉及光学领域，公开了一种分布式光纤传感系统及其数据恢复方法。系统包括光源、光调制模块、光调理模块、探测器模块、传感光缆、数据采集卡和信号解调模块，传感光缆包括M个内设光环形器的连接器、M段双向光纤和M段上行光纤；第i级光环形器的第...

本发明公开了大尺寸低应力的氮化物外延材料和制备方法，该制备方法包括采用物理气相沉积法在C面蓝宝石衬底上沉积生成第一三维柱状结构；将C面蓝宝石衬底置于MOCVD反应腔内，利用MOCVD工艺在第一三维柱状结构上生成氮化铝外延结构；采用物理气...

本发明公开一种自动旋转的氮化镓单晶生长装置及方法，该装置包括用于氮气离子化的解离室和用于氮化镓单晶生长的生长室，解离室的下端连通第一管线，第一管线通过第一驱动器通往生长室的上部，生长室的下端连通第二管线，第二管线通过第二驱动器通往解离室...

本发明公开了一种具备低导通动态特性的外延材料层及其制备方法、器件，该外延材料层的结构比较薄，不需要传统外延结构的应力释放层及高耐压调控层，通过直接把传统中外延结构缓冲层的结构去除，相当于把这外延结构的起到电子俘获的材料缺陷直接去除,从而...

本发明公开一种利用浮力维持HVPE反应炉预反应速率稳定的镓舟反应器，包括用于盛放镓金属的腔室及内置于腔室并依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板；腔室包括进气通道、出气通道和镓源存放区；活动盖板包括顶盖及与顶盖共同形成气路通道的侧...

本发明公开一种大尺寸高热导率衬底的制备方法，包括以下步骤：准备基础衬底和高导热衬底；在基础衬底上进行离子注入，将基础衬底依次分为功能衬底薄层、离子掩埋层和分离层；在功能衬底薄层上键合第一SiO2介质层；在高导热衬底上键合第二SiO2介质...

本发明公开了一种气体驱动的可自动升降搅拌装置，该装置包括壳体、升降杆、转轴、涡轮、活塞。其中，壳体的最上部是压力腔，压缩气体可通过气路进入压力腔控制升降杆的升降，涡轮安装固定在转轴上，涡轮上下通过转轴各配置一个活塞，转轴顶部与升降杆下部...

本发明公开一种用于饮用水设备后端出水口的UVC

本发明公开了一种自动补气装置，包括基体和通气柱，基体内部为一圆柱形腔体，所述通气柱上段套设有套筒、弹簧、O型垫圈和螺帽，所述通气柱下段设有旁道；所述通气柱的内部设有通气道，所述通气道的上部是进气通道，所述通气道的下部是进气辅道；所述进气...

本发明提供了一种用于气相外延生长的防返流气体输运装置及方法，该装置呈喷头结构，至少包括多路管道进气口、多路气体输运管道、多路管道出气口、喷口多路管道出气口、一内置反应室、及多处变径防返流板。通过在多路管道出气口处设置防返流板，形成类漏斗...

本发明公开一种常关型高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：在衬底上依次外延生长功能层、沟道层、异质结层、盖帽层和钝化层；衬底背面通过再生长硅单晶层；在衬底上一个指定区域形成贯穿衬底的通孔及在衬底的正面和背面分别沉积电极和电介质层。本发明通...

本发明公开一种三色氮化物发光二极管的制造方法，包括在衬底上进行外延生长功能层和发光层；通过区域选择性刻蚀，形成第一区域、第二区域和第三区域，分别使第一区域、第二区域和第三区域为第一发光层、第二发光层和第三发光层；在第一区域、第二区域和第...