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北京大学东莞光电研究院专利技术
北京大学东莞光电研究院共有198项专利
光缆密封连接装置制造方法及图纸
本实用新型涉及光缆连接技术领域,尤指一种光缆密封连接装置,包括上光缆、下光缆、续接组件、以及连接在续接组件的两端的上连接组件和下连接组件;续接组件具有容纳腔,上光缆通过上连接组件伸入至该容纳腔内;下光缆通过下连接组件伸入至该容纳腔内,并...
金刚石圆片径向生长装置制造方法及图纸
本实用新型涉及晶体合成技术领域,尤指一种金刚石圆片径向生长装置,包括升降式旋转支架和晶圆夹持单元,升降式旋转支架包括升降杆装置和至少两组平行设置的旋转轴,旋转轴安装在升降杆装置的顶端;晶圆夹持单元用于将多片金刚石圆片同轴夹持成圆柱状,晶...
无机封装180度出光的LED透镜结构及制作方法技术
本发明涉及一种无机封装180度出光的LED透镜结构及制作方法,该LED透镜结构包括透镜本体与连接层,连接层附着于透镜本体的底部,连接层为金锡合金层,连接层与封装基板的金锡合金层通过共晶焊接连接;透镜本体凹设有封装碗杯腔,封装碗杯腔用于容...
一种无需封装的白光LED外延材料制备方法技术
本发明公开了一种无需封装的白光LED外延材料制备方法,所述制备方法包括如下步骤:原料选择;压片处理;二维材料结构制备和工艺处理。该种制备方法把荧光粉和陶瓷混合高温烧结成外延LED材料所需要的外延基板,在其上面制备氮化镓蓝光等发光外延材料...
光缆密封连接装置制造方法及图纸
本发明涉及光缆连接技术领域,尤指一种光缆密封连接装置,包括上光缆、上连接组件、续接组件、下光缆及下连接组件;续接组件具有容纳腔,上光缆通过上连接组件伸入至该容纳腔内;下连接组件可拆卸地连接于续接组件,下光缆通过下连接组件伸入至该容纳腔内...
金刚石生长方法技术
本发明提供一种金刚石的生长方法,采用凝聚态碳源代替气态碳源,除了提供初始条件外,在金刚石生长过程中不需要再通入工艺气体,只需要激发凝聚态碳源形成适合金刚石生长的等离子体区域;激发态的碳源在预先放置的诱导晶种上沉积并同质外延生长金刚石。该...
薄层器件及其制备方法技术
本发明涉及半导体器件技术领域,尤指一种薄层器件及其制备方法,制备方法包括如下步骤:在衬底上利用PVD方法制备一层氮化铝薄膜;在衬底的氮化铝薄膜上利用MOCVD方法生长出器件功能层,即获得薄层器件,该薄层器件包括衬底及依次设置在衬底上的氮...
散热激光投影仪机箱制造技术
本发明涉及投影设备技术领域,尤指一种散热激光投影仪机箱,包括箱体、光源、拉瓦尔喷管、进风风扇及出风风扇,箱体包括相互连通的外腔和内腔;光源设置在内腔内,拉瓦尔喷管设置在外腔和内腔的连接处;进风风扇的出风端与外腔连通;出风风扇的进风端与内...
激光器TO封装结构制造技术
本发明涉及激光器封装技术领域,尤指一种激光器TO封装结构,包括管座、罩设于管座的管壳、设置在管座上的管舌、激光器芯片及过渡热沉;激光器芯片通过过渡热沉与管舌连接;管舌的外表面设有相变材料层。本发明可以通过管舌上的相变材料层进行相变潜热散...
一种用于灵芝生长的智能LED灯具及系统技术方案
本实用新型公开了一种用于灵芝生长的智能LED灯具及系统,包括光源装置和控制装置,光源装置与控制装置电连接;光源装置包括灯具外壳和光源基板;光源基板上设置有蓝色灯珠排、绿色灯珠排、黄色灯珠排和红色灯珠排;控制装置包括控制芯片、按钮开关和用...
金刚石圆片径向生长方法及装置制造方法及图纸
本发明涉及晶体合成技术领域,尤指一种金刚石圆片径向生长方法及装置,该包括升降式旋转支架和晶圆夹持单元;升降式旋转支架包括升降杆装置、横架、距离调整组件、旋转驱动组件和至少两组平行设置的旋转轴;而该生长方法通过晶圆夹持单元将多片金刚石圆片...
立体显示装置及加工方法、立体显示屏制造方法及图纸
本发明公开了一种立体显示装置及加工方法、立体显示屏,应用于电子显示技术领域。本发明提供的立体显示装置包括发光显示模块和控制电路模块,所述发光显示模块与所述控制电路模块电连接,其特征在于,所述发光显示装置包括多层发光层,每层所述发光层经过...
带连通孔的金刚石复合片及其制造方法技术
本发明涉及复合材料技术领域,尤指一种带连通孔的金刚石复合片及其制造方法,首先通过在基片上制作贯穿其上表面及下表面的通孔,以形成带孔基片;在带孔基片的上表面、下表面及其通孔内分别沉积生长金刚石膜,最后获得金刚石复合片。本发明提供一种高硬度...
柔性软排线电镀方法技术
本发明涉及柔性软排线电镀领域,特别是涉及一种柔性软排线电镀方法,包括如下步骤:准备金属箔;贴合软导电丝;贴合柔性软排线;压实金属箔;电镀处理;分离处理。本发明提供一种柔性软排线电镀方法,使柔性软排线的镀层结晶更细致、均匀、致密,可以达到...
内嵌金属基氮化物材料外延衬底制造技术
本实用新型涉及第三代半导体材料制备技术领域,尤指一种内嵌金属基氮化物材料外延衬底,包括衬底,衬底制有若干个凹坑,每个凹坑内依次生长有第一金属介质层、第二金属介质层和第三金属介质层,第三金属介质层在凹坑内生长至覆盖衬底。本实用新型解决第三...
无界面漏电抑制频射损耗衬底、器件及制备方法技术
本发明涉及半导体技术领域,尤指一种无界面漏电抑制频射损耗衬底、器件及制备方法,该衬底包括硅衬底、掩膜介质层和氮化铝层,在硅衬底上生长出掩膜介质层;并对掩膜介质层进行图形化处理;在图形化处理后的掩膜介质层上生长出氮化铝层;而器件包括上述衬...
低损耗氮化镓射频材料外延结构及制备方法技术
本发明涉及半导体技术领域,尤指一种低损耗氮化镓射频材料外延结构及制备方法,在硅衬底依次外延生长有缓冲层、氮化镓沟道层、N型低掺杂氮化镓层、势垒层及氨化物帽层即得到低损耗氮化镓射频材料外延结构。本发明在势垒层下面增加的N型低掺杂氮化镓层,...
一种基于智能控制的COB-LED植物光源系统技术方案
本实用新型涉及植物照明技术领域,具体涉及一种基于智能控制的COB
基于可见光通信系统的数据传输方法、装置及相关设备制造方法及图纸
本申请提供基于可见光通信系统的数据传输方法,应用于通信领域,解决LED非线性失真的问题,该方法包括:将原始数据信号串/并转换得到并行信号数据,将并行信号数据调制处理成具有厄密特共轭Hermitian对称形式的信号,该信号经过IFFT变换...
内嵌金属基氮化物材料外延衬底及制备方法技术
本发明涉及第三代半导体材料制备技术领域,尤指一种内嵌金属基氮化物材料外延衬底及制备方法,该衬底的一表面制有凹坑阵列,凹坑阵列内生长有复合金属层,该复合金属层生长至覆盖衬底;具体制备方法为:在衬底的一表面上进行图形化处理,以形成延伸进衬底...
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