【技术实现步骤摘要】
一种无需封装的白光LED外延材料制备方法
[0001]本专利技术涉及一种制备方法,具体为一种无需封装的白光LED外延材料制备方法,属于白光LED外延材料制备应用
技术介绍
[0002]LED外延材料制备出来的芯片具有较高的电光转换效率,与传统照明灯具相比,LED芯片具有更长的使用寿命,除了上述效率高、寿命长的优点,LED芯片还具有能耗低、节约能源等优势,因此其已广泛应用于日常生活中,成为照明技术的主流,全面代替了节能灯和白炽灯,但是在现有技术中,大多数LED封装技术基本是在蓝光芯片上封装红光荧光粉、绿光荧光粉和黄光荧光粉来实现白光照明。白光的色温根据不同比例的荧光粉比例来实现的,已发展成为比较成熟的技术。但这种技术存在以下问题,荧光粉容易老化,白光LED的色温在使用过程中会发生变化,其次,封装的固晶胶也容易发生老化,使得LED性能发生下降或者荧光粉部分脱落,从而导致现在LED照明普遍出现LED材料芯片寿命很长,基本不会坏,但芯片上的荧光粉已经发生老化,从面而出现短板效应,目前还没有很好的办法解决这个大规模应用的普遍 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种无需封装的白光LED外延材料制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:S1:原料选择,根据可以由蓝光激发红光和绿光的原理,把红光荧光粉陶瓷原料和绿光荧光粉陶瓷原料的按1:1混合;S2:压片处理,将上述原料压成片状基板,进行高温烧结,烧结完成后,进行抛光处理;S3:二维材料结构制备,把片状衬底进行抛光后,在其上面进行石墨烯或者氮化硼二维材料薄层成核层制备,最后放进MOCVD反应室中进行传统LED外延结构生长;S4:工艺处理,生长完毕后,降温取片,进行芯片工艺制备,工艺完成后,电注入后得到直接发白光的芯片。2.根据权利要求1所述的一种无需封装的白光LED外延材料制备方法,其特征在于,所述S2具体包括:对所述S1中的原料混合后,进行研磨;利用高压20MPa进行压片;进行高温1800度退火60min,厚度为300um。3.根据权利要求1所述的一种无需封装的白光LED外延材料制备方法,其特征在于,所述S1中,红光荧粉陶瓷原料主要为RE3Al5
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x
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yMnxRyO12,其中RE为Y、Lu、La、Ga中的至少一种,R为Mg、Ca、K、Li中的一种,0.001≤x≤0.04,0<y≤0.12,绿光荧光粉陶瓷原料可以为(Ca1
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x
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yCexRy)3(Sc1
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zLz)2(Si1
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mKm)3O12;R为元素Y、Gd、La、Lu、Tb、Li、Na中的一种或多种,L为元素Zr、Hf、Mg、中的一种或多种,K为元素Al、P中的一种或两种,0.0002≤x≤0.02,0≤y≤0.03,0≤z≤0.02,0≤m≤0.02,0<y+z+m<0.05,或者(Cex,Lu1
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x)3Al5O120.05%≤x≤0.01。4.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员:王新强,王琦,梁智文,
申请(专利权)人:北京大学东莞光电研究院,
类型:发明
国别省市:
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