动态偏置控制电路和Doherty功率放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种动态偏置控制电路和Doherty功率放大器。所述动态偏置控制电路用于Doherty功率放大器，并且与Doherty功率放大器中的辅路功率放大器电连接，所述动态偏置控制电路包括：动态偏置降压电路和动态偏置升压电路；动态偏置降压电路的输出电压与辅路功率放大器的输入功率为负相关，动态偏置升压电路的输出电压与辅路功率放大器的输入功率为正相关；动态偏置控制电路用于根据动态偏置降压电路和动态偏置升压电路的输出电压而相应调整提供给辅路功率放大器的偏置电压，以当输入功率大于第一预设功率时降低偏置电压以限制辅路功率放大器的功率幅度。本方案能够提高回退效率，并且保护辅路功率放大器的晶体管在过高功率模式下的安全。高功率模式下的安全。高功率模式下的安全。

【技术实现步骤摘要】
动态偏置控制电路和Doherty功率放大器


[0001]本专利技术涉及功率放大器
，具体涉及一种动态偏置控制电路和Doherty功率放大器。

技术介绍

[0002]功率放大器作为毫米波发射机的最后一级有源电路，其担负着效率、功率、线性度等指标重担。通常功率放大器(简称功放，下文相同)的功耗占整个发射机链路直流功耗的一半以上。因此，效率是衡量一个功放性能优劣的关键性能。
[0003]为了提高功放的工作效率，许多关键技术应运而生，例如：Kahn包络分离和恢复技术、包络跟踪技术、Outphasing技术和Doherty技术。其中Doherty技术，通过使用主路功放和辅路功放，并引入负载调试技术，以实现大功率、高效率和高回退效率，得到业界的普遍认可。
[0004]但是，在毫米波频段的情况下，有源器件的增益、功率和效率等性能都随着频率的升高而快速下降，无源器件的损耗随着频率的升高而变大。对于Doherty功放而言，输出的无源功率合成网络损耗将严重恶化Doherty电路的整体效率。因此，随着频率的提升，高效率Doherty功放的设计成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种动态偏置控制电路，用于Doherty功率放大器，其特征在于，所述动态偏置控制电路与Doherty功率放大器中的辅路功率放大器电连接；所述动态偏置控制电路包括：动态偏置降压电路和与所述动态偏置降压电路连接的动态偏置升压电路；所述动态偏置降压电路的输出电压与所述辅路功率放大器的射频信号的输入功率为负相关，所述动态偏置升压电路的输出电压与所述辅路功率放大器的射频信号的输入功率为正相关；所述动态偏置控制电路用于根据所述动态偏置降压电路的输出电压和所述动态偏置升压电路的输出电压而相应调整提供给所述辅路功率放大器的偏置电压，以当所述辅路功率放大器的射频信号的输入功率大于第一预设功率时，降低所述偏置电压，以限制所述辅路功率放大器的功率幅度。2.根据权利要求1所述的动态偏置控制电路，其特征在于，所述动态偏置降压电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻和第三电阻；所述动态偏置升压电路包括：第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第四电阻和第一电容；所述第一晶体管的第一端连接电源电压端，所述第一晶体管的控制端分别与所述第三晶体管的控制端、所述第一电容的第一端和所述动态偏置控制电路的电流源连接，所述第一晶体管的第二端与所述第一电阻的第一端连接；所述第一电阻的第二端分别与所述第二晶体管的第一端、所述第二电阻的第一端和所述第三电阻的第一端连接；所述第二晶体管的控制端与所述第二电阻的第二端连接，所述第二晶体管的第二端接地；所述第二电阻的第一端与所述第三电阻的第一端连接；所述第三电阻的第二端与所述第四电阻的第一端连接；所述第四电阻的第二端与所述第三晶体管的第一端连接；所述第三晶体管的控制端分别与所述第一电容的第一端和所述电流源连接，所述第三晶体管的第二端连接所述电源电压端；所述第一电容的第二端接地；所述第四晶体管的第一端连接电流源，所述第四晶体管的控制端与所述第四晶体管的第一端连接，所述第四晶体管的第二端与所述第五晶体管的第一端连接；所述第五晶体管的控制端与所述第五晶体管的第一端连接，所述第五晶体管的第二端接地...

【专利技术属性】
技术研发人员：王龙，向渝，徐小杰，
申请(专利权)人：南京迈矽科微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：