一种氧化铟铈钛钽粉体及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种氧化铟铈钛钽粉体及其制备方法，属于铟铈钛钽氧化物的制备领域。所述氧化铟铈钛钽粉体的化学式为In1‑

【技术实现步骤摘要】
一种氧化铟铈钛钽粉体及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种氧化铟铈钛钽粉体及其制备方法，属于铟铈钛钽氧化物的制备领域。

技术介绍

[0002]平板显示产业中所使用到的高性能ITO靶材开发技术难度大，市场进入门槛高，目前来说，日本在高端ITO靶材的生产和研发等方面均处于世界领先水平。国内从90年代中期开始研制ITO靶材，主要是采用热压烧结和高压氧气氛烧结工艺，近几年开始向常压氧气氛烧结工艺转变，但通常生产的靶材密度低、性能差，只能生产出低性能的ITO导电玻璃，基本都只用于低端显示器件。目前，平板显示器朝着大尺寸化、高性能化持续发展，这对ITO靶材的尺寸及性能要求更高。
[0003]粉体制备是ITO靶材制备过程的第一个关键工序。高性能ITO靶材对粉体的基本要求是：高纯、一次粒径为纳米级别、粒度分布范围窄、颗粒形状规则、分散性好且活性高。ITO靶材用氧化锡和氧化铟通常存在粒径分布不均匀、稳定性差、杂质含量高、形状不规则等问题，这给粉体的性能保证以及后续的应用带来极大困难，因此，有必要对氧化铟粉体的制备及性能进行优化，对粉体的粒径粒形进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化铟铈钛钽粉体，其特征在于，所述氧化铟铈钛钽粉体的化学式为In1‑
x
‑
y
‑
z
Ta
x
Ti
y
Ce
z
O，其中，x、y、z的值为0.001
‑
0.2。D
50
＝1.28
‑
1.54μm，D
10
≥0.71μm，D
90
≤4.45μm，粒度分布系数P＝(D
90
‑
D
10
)/D
50
≤2.51，含水量：0.36％
‑
0.55％。2.如权利要求1所述的氧化铟铈钛钽粉体，其特征在于，包括以下原料：氧化钛、氧化钽、氧化铈和氧化铟，以氧化钛、氧化钽、氧化铈和氧化铟的总质量为100％计，所述氧化钛占总质量的0.12％
‑
10％、所述氧化钽占总质量的0.48％
‑
27.66％，所述氧化铈占总质量的0.38％
‑
21.55％，所述氧化铟占总质量的40.79％
‑
99.02％。3.如权利要求2所述的氧化铟铈钛钽粉体，其特征在于，所述氧化钛的D
50
＜20μm，所述氧化钽的D
50
＜20μm，所述氧化铈的D
50
＜15μm，所述氧化铟的D
50
＜10μm。4.如权利要求2所述的氧化铟铈钛钽粉体，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵学亮，李开杰，张来稳，王奇峰，李晴晴，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：