三色氮化物发光二极管的制造方法技术

本发明专利技术公开一种三色氮化物发光二极管的制造方法，包括在衬底上进行外延生长功能层和发光层；通过区域选择性刻蚀，形成第一区域、第二区域和第三区域，分别使第一区域、第二区域和第三区域为第一发光层、第二发光层和第三发光层；在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积透明导电薄膜层；对第一区域、第二区域和第三区域进行刻蚀形成台面结构；在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积电介质层，电介质层不完全覆盖透明导电薄膜层；分别在第一区域、第二区域和第三区域的未被电介质层覆盖的透明导电薄膜层的表面沉积电极。本发明专利技术使一种芯片具有三种不同的发光区域，减少芯片尺寸缩小后的芯片拣选次数，实现更小型的LED显示应用。用。用。

【技术实现步骤摘要】
三色氮化物发光二极管的制造方法


[0001]本专利技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种三色氮化物发光二极管的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，GaN基材料在外延生长、器件工艺方面得到了很大的发展，使得III族氮化物半导体材料广泛应用于蓝/绿光和白光发光二极管、紫外探测器以及大功率电子器件；特别地，目前基于InGaN/GaN量子阱的LED器件已经进入商业化水平。但是，随着显示分辨率不断上升，发光单元逐渐减小，而单位面积显示面板所需要的芯片数量呈几何级增长，给芯片拣选与组装带来了巨大挑战。目前虽然有巨量转移技术在同步开发，但是良率仍没有一个方案可以完全解决现有问题。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中的不足，本专利技术的目的是提供一种三色氮化物发光二极管的制造方法，使一种芯片具有三种不同的发光区域，减少芯片尺寸缩小后的芯片拣选次数，实现更小型的LED显示应用。
[0004]本专利技术的目的通过以下技术方案实现：
[0005]一种三色氮化物发光二极管的制造方法，包括如下步骤：
[0006](1)在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三色氮化物发光二极管的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)在衬底上进行外延生长功能层和发光层；(2)通过区域选择性刻蚀，形成第一区域、第二区域和第三区域，分别使第一区域、第二区域和第三区域为第一发光层、第二发光层和第三发光层；(3)在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积透明导电薄膜层；(4)对第一区域、第二区域和第三区域进行刻蚀形成台面结构；(5)在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积电介质层，电介质层不完全覆盖透明导电薄膜层；(6)分别在第一区域、第二区域和第三区域的未被电介质层覆盖的透明导电薄膜层的表面沉积电极。2.根据权利要求1所述的三色氮化物发光二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤(1)中，衬底的厚度是50μm～1000μm，衬底为GaN衬底、AlN衬底、Si衬底、SiC衬底或蓝宝石衬底。3.根据权利要求1所述的三色氮化物发光二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤(1)中，功能层的厚度是0.1nm～2μm，功能层为单层或多层复合结构，功能层的材料为GaN、AlN、InGaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlInGaN中的一种或几种。4.根据权利要求1所述的三色氮化物发光二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤(2)中，第一区域的面积是10nm2～10mm2，第二区域的面积是10nm2～10mm2，第三区域的面积是10nm2～10mm2。5.根据权利要求1所述的三色氮化物发光二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤(2)中，第一发光层的厚度是0.1nm～5μm，第一发光层为单层或多层复合结构，第一发光层的材料为GaN、AlN、InGaN、AlGaN、InGaN、AlIn、AlInGaN中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新强，刘强，王琦，陶仁春，
申请(专利权)人：北京大学东莞光电研究院，
类型：发明
国别省市：