本公开涉及一种发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法，涉及显示技术领域。发光二极管包括：发光芯片，发光芯片包括第一型半导体层、第二型半导体层和发光层，发光芯片包括阵列排布的多个子发光区；多个第一凹槽结构，第一凹槽结构贯穿至少部分第一型半导体层；相邻第一凹槽结构围绕子发光区；挡墙结构，挡墙结构位于第一凹槽结构内；多个第二凹槽结构，第二凹槽结构贯穿部分第一型半导体层，且位于相邻第一凹槽结构围绕区域内，子发光区与第二凹槽结构对应设置；多个颜色转换层，颜色转换层位于第二凹槽结构内。通过本公开的技术方案，提高了出光率，改善了显示效果，避免了光串扰的问题。扰的问题。扰的问题。
【技术实现步骤摘要】
发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法
[0001]本公开涉及显示
，尤其涉及一种发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法。
技术介绍
[0002]随着发光二极管技术的发展，发光二极管被广泛应用在各种领域，包括各种显示系统、照明系统、电子产品等等。发光二极管本身体积小、结构简单、使用寿命长的特点，使其受到更多关注。
[0003]现有技术中，通常使用黑胶矩阵作为挡墙防止相邻的颜色转换层之间的光线出现串扰的问题，但是黑胶矩阵吸光能力较强，影响了发光二极管的出光率，并且采用光刻方法制备的黑胶矩阵精度较低，影响了显示设备的显示效果。
技术实现思路
[0004]为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本公开提供了一种发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法，提高了出光率，改善了显示效果，避免了光串扰的问题。
[0005]第一方面，本公开提供一种发光二极管，包括：发光芯片，所述发光芯片包括第一型半导体层、第二型半导体层和发光层，所述第一型半导体层位于所述第二型半导体层的一侧，所述发光层位于所述第一型半导体层和所述第二型半导体层之间；所述发光芯片包括阵列排布的多个子发光区；多个第一凹槽结构，所述第一凹槽结构贯穿至少部分第一型半导体层；相邻所述第一凹槽结构围绕所述子发光区；挡墙结构，所述挡墙结构位于所述第一凹槽结构内，所述挡墙结构包括金属材料；多个第二凹槽结构，所述第二凹槽结构贯穿部分所述第一型半导体层，且位于相邻所述第一凹槽结构围绕区域内，所述子发光区与所述第二凹槽结构对应设置；多个颜色转换层，所述颜色转换层位于所述第二凹槽结构内。
[0006]可选地，还包括：保护层；所述保护层位于所述第一型半导体层远离所述发光层的一侧并覆盖于所述颜色转换层上。
[0007]可选地，相邻的所述第一凹槽结构和所述第二凹槽结构之间包括第一型半导体层。
[0008]可选地，相邻所述子发光区所对应的所述颜色转换层的颜色不同。
[0009]第二方面，本公开还提供一种显示面板，包括如第一方面所述的发光二极管。
[0010]第三方面，本公开还提供一种显示装置，包括如第二方面所述的显示面板。
[0011]第四方面，本公开还提供一种发光二极管的制备方法，包括：
提供发光芯片，所述发光芯片依次包括第二型半导体层、发光层和第一型半导体层；在所述第一型半导体层中形成多个第一凹槽结构；在所述第一凹槽结构中形成挡墙结构；在相邻所述第一凹槽结构围绕区域内的所述第一型半导体层中形成第二凹槽结构；在所述第二凹槽结构中形成颜色转换层。
[0012]可选地，所述提供发光芯片包括：提供衬底层；在所述衬底层上依次形成所述第一型半导体层、所述发光层和所述第二型半导体层；去除所述衬底层。
[0013]可选地，所述提供发光芯片包括：提供衬底层；在所述衬底层上依次形成所述第二型半导体层、发光层和第一型半导体层。
[0014]可选地，所述在所述第二凹槽结构中形成颜色转换层之后，还包括：在所述第一型半导体层背离所述发光层的一侧，形成保护层并覆盖所述颜色转换层。
[0015]本公开提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：本公开提供了一种发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法，发光二极管包括：第一型半导体层、第二型半导体层和发光层，发光芯片包括阵列排布的多个子发光区；多个第一凹槽结构，第一凹槽结构贯穿至少部分第一型半导体层；相邻第一凹槽结构围绕子发光区；挡墙结构，挡墙结构位于第一凹槽结构内；多个第二凹槽结构，第二凹槽结构贯穿部分第一型半导体层，且位于相邻第一凹槽结构围绕区域内；多个颜色转换层，颜色转换层位于第二凹槽结构内。由此，通过在第一型半导体层中形成第一凹槽结构，第一凹槽结构贯穿至少部分第一型半导体层，在第一凹槽结构中填充挡墙结构避免相邻颜色转换层之间的光线串扰，改善了显示效果，利用金属材料填充第一凹槽结构降低了吸光率，提高了发光二极管的出光率。
附图说明
[0016]图1为本公开实施例提供的一种发光二极管的结构示意图；图2为本公开实施例提供的又一种发光二极管的结构示意图；图3为本公开实施例提供的一种发光二极管的制备方法流程图；图4、图5、图6、图8、图10、图12和图14为本公开实施例提供的一种发光二极管制备过程中的各截面图；图7、图9、图11、图13和图15为本公开实施例提供的一种发光二极管制备过程中的各俯视图；图16和图18为本公开实施例提供的另一种发光二极管制备过程中的各截面图；图17和图19为本公开实施例提供的另一种发光二极管制备过程中的各俯视图。
具体实施方式
[0017]为了能够更清楚地理解本公开的上述目的、特征和优点，下面结合附图和实施例对本公开作进一步的详细说明。可以理解的是，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本公开，而非对本公开的限定。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
[0018]本公开实施例提供一种发光二极管。图1为本公开实施例提供的一种发光二极管的结构示意图，如图1所示，本公开实施例提供的一种发光二极管包括发光芯片，发光芯片包括第一型半导体层11、第二型半导体层13和发光层12，第一型半导体层11位于第二型半导体层13的一侧，发光层12位于第一型半导体层11和第二型半导体层13之间；发光芯片包括阵列排布的多个子发光区10；多个第一凹槽结构3，第一凹槽结构3贯穿至少部分第一型半导体层11；相邻第一凹槽结构3围绕子发光区10；挡墙结构31，挡墙结构31位于第一凹槽结构3内，挡墙结构31包括金属材料；多个第二凹槽结构4，第二凹槽结构4贯穿部分第一型半导体层11，且位于相邻第一凹槽结构3围绕区域内，子发光区10与第二凹槽结构4对应设置；多个颜色转换层41，颜色转换层41位于第二凹槽结构4内。
[0019]具体地，如图1所示，发光芯片包括第一型半导体层11、第二型半导体层13和发光层12，发光层12位于第一型半导体层11和第二型半导体层13之间，图1中示例性地示出了第一型半导体层11为N型半导体层，第二型半导体层13为P型半导体层，N型半导体层远离发光层12的一侧设置有缓冲层14，缓冲层14的厚度等参数可以根据发光芯片在衬底上的生长需求进行设置，本公开实施例对此不作限定。
[0020]在一些实施例中，以图1为例，在衬底层上依次生长缓冲层14、第一型半导体层11、发光层12和第二型半导体层13作为发光芯片，发光芯片制备完成后，翻转发光芯片，并将衬底层剥离，图1中未示出衬底层，设置第一凹槽结构3贯穿缓冲层14并至少部分贯穿第一型半导体层11，发光层12中包括多个子发光区10，由于第一凹槽结构3围绕子发光区10设置，因此在一些实施例中第一凹槽结构3也可以贯穿缓冲层14和第一型半导体层11。由于第二凹槽结构4与子发光区10对应设置，第二凹槽结构4全部贯穿第一型半导体层11时会损伤发光芯片，因此设置第二凹槽结构4本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：发光芯片，所述发光芯片包括第一型半导体层、第二型半导体层和发光层，所述第一型半导体层位于所述第二型半导体层的一侧，所述发光层位于所述第一型半导体层和所述第二型半导体层之间；所述发光芯片包括阵列排布的多个子发光区；多个第一凹槽结构，所述第一凹槽结构贯穿至少部分第一型半导体层；相邻所述第一凹槽结构围绕所述子发光区；挡墙结构，所述挡墙结构位于所述第一凹槽结构内，所述挡墙结构包括金属材料；多个第二凹槽结构，所述第二凹槽结构贯穿部分所述第一型半导体层，且位于相邻所述第一凹槽结构围绕区域内，所述子发光区与所述第二凹槽结构对应设置；多个颜色转换层，所述颜色转换层位于所述第二凹槽结构内。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：保护层；所述保护层位于所述第一型半导体层远离所述发光层的一侧并覆盖于所述颜色转换层上。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，相邻的所述第一凹槽结构和所述第二凹槽结构之间包括第一型半导体层。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，相邻所述子发光区所对应的所述颜色转换层的颜色不同。5.一种显示面板，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：马兴远，张羽，岳大川，蔡世星，林立，杨小龙，谢峰，李小磊，伍德民，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：
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