发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法制造方法及图纸

本公开涉及一种发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法，涉及显示技术领域。发光二极管包括：第一保护层和发光芯片，第一保护层位于发光芯片的出光侧；发光芯片包括阵列排布的多个子发光区，发光芯片中与第一保护层接触的膜层和第一保护层的材料不同；多个第一凹槽结构，第一凹槽结构贯穿第一保护层，第一凹槽结构与子发光区对应设置；多个颜色转换层，颜色转换层位于第一凹槽结构内。通过本公开的技术方案，避免了对发光芯片的损伤，提高了工艺的可靠性。的可靠性。的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法


[0001]本公开涉及显示
，尤其涉及一种发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法。

技术介绍

[0002]随着发光二极管技术的发展，发光二极管被广泛应用在各种领域，包括各种显示系统、照明系统、电子产品等等。发光二极管本身体积小、结构简单、使用寿命长的特点，使其受到更多关注。
[0003]现有技术中，在制备颜色转换层时需要先刻蚀发光芯片中非发光层的氮化镓材料形成凹槽，再向刻蚀的凹槽内填充色转换材料制备颜色转换层。但是由于发光层的材料也为氮化镓材料，在刻蚀的过程中容易对发光层中的氮化镓材料造成破坏，从而影响发光二极管正常发光。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本公开提供了一种发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法。
[0005]第一方面，本公开提供一种发光二极管，包括：第一保护层和发光芯片，所述第一保护层位于所述发光芯片的出光侧；所述发光芯片包括阵列排布的多个子发光区，所述发光芯片中与所述第一保护层接触的膜层和所述第一保本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：第一保护层和发光芯片，所述第一保护层位于所述发光芯片的出光侧；所述发光芯片包括阵列排布的多个子发光区，所述发光芯片中与所述第一保护层接触的膜层和所述第一保护层的材料不同；多个第一凹槽结构，所述第一凹槽结构贯穿所述第一保护层，所述第一凹槽结构与所述子发光区对应设置；多个颜色转换层，所述颜色转换层位于所述第一凹槽结构内。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光芯片包括：衬底层、缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层；所述缓冲层位于所述衬底层的一侧，所述N型半导体层位于所述缓冲层背离所述衬底层的一侧，所述发光层位于所述N型半导体层背离所述缓冲层的一侧，所述P型半导体层位于所述发光层背离所述N型半导体层的一侧；所述第一保护层位于所述P型半导体层背离所述发光层的一侧。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光芯片包括：缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层；所述N型半导体层位于所述缓冲层的一侧，所述发光层位于所述N型半导体层背离所述缓冲层的一侧，所述P型半导体层位于所述发光层背离所述N型半导体层的一侧；所述第一保护层位于所述缓冲层背离所述N型半导体层的一侧。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：马兴远，岳大川，蔡世星，林立，杨小龙，谢峰，李小磊，伍德民，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：