【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种反应装置。
技术介绍
1、hvpe(hydride vapor phase epitaxy，氢化物气相外延)是一种gan(氮化镓)材料生长方法，在这种生长方法中的预反应中，需要先通过hcl气体与液态的ga(镓)反应生成gacl(氯化镓)，进而后续gacl再与nh3反应生长gan单晶。在预反应中，这是一种气液反应，即hcl(氯化氢)与ga(镓)液反应，图1中3是ga液，通过在进口1通入hcl，然后在ga液3的液面将反应生成gacl(氯化镓)，然后随hcl气相从出口2流出。
2、目前，在现有的hvpe实验中，hcl与ga液反应的主要目标是控制反应速率，但是随着反应的进行，在hcl流量不变的条件下，由于ga液消耗，ga液的液面将逐渐下降，ga液液面上部的空间却逐渐增加，导致反应速率不稳定。
3、因此，需要对现有技术进行改进。
4、以上信息作为背景信息给出只是为了辅助理解本公开，并没有确定或者承认任意上述内容是否可用作相对于本公开的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种反应装置，以解决现有技术中存在的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供以下的技术方案：
3、一种反应装置，所述装置包括：
4、反应器，所述反应器具有腔室和与所述腔室连通的进气口和出气口；
5、舟，设置在所述腔室内，以将所述腔室划分为连通的上腔室和下腔室，且盛装有化学反应物原料；
6、
7、进一步地，所述反应装置中，所述弹簧的个数和弹性系数由以下公式确定：
8、nkδl＝ρgsδh；
9、其中，n为所述弹簧的个数，k为所述弹簧的弹性系数，δl为所述弹簧的压缩形变量，ρ为所述化学反应物原料的密度，g为重力常数，s为所述化学反应物原料的表面积，δh为所述化学反应物原料的液位变化量。
10、进一步地，所述反应装置中，所述弹簧有3个；
11、3个所述弹簧呈三角形排列。
12、进一步地，所述反应装置中，所述舟的外壁与所述反应器的内壁可滑动接触。
13、进一步地，所述反应装置中，所述进气口和所述出气口位于所述反应器的边缘位置。
14、进一步地，所述反应装置中，所述装置还包括压力平衡管；
15、所述压力平衡管设置在所述腔室内，且与所述下腔室连通。
16、进一步地，所述反应装置中，所述舟与所述反应器接触的壁面开设有连通所述上腔室和所述下腔室的凹槽。
17、进一步地，所述反应装置中，所述压力平衡管靠近所述进气口设置。
18、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
19、本专利技术提供的一种反应装置，包括反应器和设置在反应器内部的舟和弹簧，通过在舟的外底部与反应器的内底部之间设置弹簧，可具有稳定舟内液面的功能，当舟内盛装的化学反应物原料消耗而舟的重量减轻时，在弹簧的作用下，舟可整体上移，确保化学反应物原料的液位在反应的过程中始终稳定不变，从而确保反应速率稳定，有利于大范围推广应用。
20、本专利技术具有其它的特性和优点，这些特性和优点从并入本文中的附图和随后的具体实施方式中将是显而易见的，或者将在并入本文中的附图和随后的具体实施方式中进行详细陈述，这些附图和具体实施方式共同用于解释本专利技术的特定原理。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种反应装置，其特征在于，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述弹簧(30)的个数和弹性系数由以下公式确定：
3.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述弹簧(30)有3个；
4.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述舟(20)的外壁与所述反应器(10)的内壁可滑动接触。
5.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述进气口(50)和所述出气口(60)位于所述反应器(10)的边缘位置。
6.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述装置还包括压力平衡管(40)；
7.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述舟(20)与所述反应器(10)接触的壁面开设有连通所述上腔室(70)和所述下腔室(80)的凹槽。
8.根据权利要求6所述的反应装置，其特征在于，所述压力平衡管(40)靠近所述进气口(50)设置。
【技术特征摘要】
1.一种反应装置，其特征在于，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述弹簧(30)的个数和弹性系数由以下公式确定：
3.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述弹簧(30)有3个；
4.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述舟(20)的外壁与所述反应器(10)的内壁可滑动接触。
5.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述进气口(...
【专利技术属性】
技术研发人员：张敏，刘南柳，姜永京，王琦，
申请(专利权)人：北京大学东莞光电研究院，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。