【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种外延片、外延片制作方法及色转换结构制作方法。
技术介绍
1、在采用电化学腐蚀法腐蚀外延片时，由于与外延片连接的电极仅仅是接触外延片的表层，导致外延片靠近电极的位置比远离电极的位置腐蚀更明显，外延片腐蚀不均匀，甚至出现外延片靠近电极的位置腐蚀过度的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种可以提高腐蚀均匀性的外延片、该外延片制作方法及采用该外延片的色转换结构制作方法。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种外延片，包括生长衬底以及生长在所述生长衬底上的外延层，所述外延层靠近所述生长衬底的一侧载流子浓度较远离所述生长衬底的一侧载流子浓度低。
3、在一些实施例中，所述外延层为n型掺杂层。
4、在一些实施例中，自靠近所述生长衬底的一侧向远离所述生长衬底的一侧，所述外延层的载流子浓度逐渐升高。
5、在一些实施例中，所述外延层包括n层，n为大于或等于2的整数，自靠近所述生长衬底的一层向远离所述生长衬底的一层...
【技术保护点】
1.一种外延片，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的外延片，其特征在于，自靠近所述生长衬底的一侧向远离所述生长衬底的一侧，所述外延层的载流子浓度逐渐升高。
3.如权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述外延层包括N层，N为大于或等于2的整数，自靠近所述生长衬底的一层向远离所述生长衬底的一层，载流子浓度为依次升高。
4.如权利要求3所述的外延片，其特征在于，同一层载流子浓度相同。
5.如权利要求3所述的外延片，其特征在于，自靠近所述生长衬底的一侧向远离所述生长衬底的一侧，部分层的载流子浓度逐渐升高，部分层的载流子浓度
<...【技术特征摘要】
1.一种外延片，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的外延片，其特征在于，自靠近所述生长衬底的一侧向远离所述生长衬底的一侧，所述外延层的载流子浓度逐渐升高。
3.如权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述外延层包括n层，n为大于或等于2的整数，自靠近所述生长衬底的一层向远离所述生长衬底的一层，载流子浓度为依次升高。
4.如权利要求3所述的外延片，其特征在于，同一层载流子浓度相同。
5.如权利要求3所述的外延片，其特征在于，自靠近所述生长衬底的一侧向远离所述生长衬底的一侧，部分层的载流子浓度逐渐升高，部分层的载流子浓度保持不变。
6.一种外...
【专利技术属性】
技术研发人员：李洛，王帅，任俊杰，刘强，
申请(专利权)人：东莞市中镓半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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