【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法、存储器。
技术介绍
1、随着半导体器件的不断发展，半导体器件中晶体管的特征尺寸不断缩小，缩小的特征尺寸对晶体管的性能带来了更大的挑战。目前的晶体管制作技术仍存在不足，如何优化晶体管制作技术以稳定晶体管的性能为现阶段亟需解决的问题。
技术实现思路
1、根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体器件的制作方法，所述制作方法包括：
2、提供衬底；其中，所述衬底上具有第一器件区域和第二器件区域；其中，所述第一器件区域与所述第二器件区域掺杂类型不同；
3、形成覆盖所述第一器件区域和所述第二器件区域的栅氧化层；
4、形成覆盖所述栅氧化层的栅导电层；
5、在所述第一器件区域上，形成第一栅极结构，所述第一栅极结构包括所述栅导电层和所述栅氧化层；
6、在所述第二器件区域上，形成第二栅极结构，所述第二栅极结构包括所述栅导电层和所述栅氧化层；其中，在所述第一器件区域和所述第二器件区域内，所述栅...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底上还具有第三器件区域和第四器件区域，所述第三器件区域与所述第四器件区域掺杂类型不同；所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一器件区域为P型器件区域，所述第二器件区域为N型器件区域。
5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第三器件区域为N型器件区域，所述第四器件区域为P型器件区域。
6.根据权利要求3所述的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底上还具有第三器件区域和第四器件区域，所述第三器件区域与所述第四器件区域掺杂类型不同；所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一器件区域为p型器件区域，所述第二器件区域为n型器件区域。
5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第三器件区域为n型器件区域，所述第四器件区域为p型器件区域。
6.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述在显露的所述第三器件区域上形成第三栅极结构，包括：
7.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述在所述应力调节层上形成第四栅极结构，包括：
8.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，形成所述氧化层、所述高介电材料层和所述第一栅极堆叠层的步骤包括：
9.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，形成所述第二栅极堆叠层和所述第一导电层的步骤包括：
10.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，所述形成覆盖所述第一导电层的金属栅极结构，包括：
11.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述栅导电...
【专利技术属性】
技术研发人员：尤康，白杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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