本公开实施例公开了一种半导体结构及存储器，其中，半导体结构包括：若干个存储结构和若干条连接导线；其中，若干个存储结构形成了P行Q列的阵列，其中，每行存储结构沿第一方向排布，每列存储结构沿第二方向排布；第一方向相交于第二方向；每个存储结构包括：若干个栅极结构和若干个半导体通道；每个半导体通道沿第二方向延伸；每个栅极结构包围对应的半导体通道的侧面；若干条连接导线对应连接若干个栅极结构，形成若干条字线；若干条字线，均沿第一方向延伸，或者，均沿第二方向延伸。本公开实施例能够减小芯片的面积，提高集成度。
【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构及存储器。
技术介绍
1、多数磁性随机存储器(mram)采用的驱动晶体管是平面晶体管。平面晶体管的尺寸很大，限制了磁性随机存储器密度的提升。因此，需要对磁性随机存储器的结构进一步优化，以提高集成度。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供了一种半导体结构及存储器，能够减小芯片的面积，提高集成度。
2、本公开实施例的技术方案是这样实现的：
3、本公开实施例提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括：若干个存储结构和若干条连接导线；其中，若干个存储结构形成了p行q列的阵列，其中，每行存储结构沿第一方向排布，每列存储结构沿第二方向排布；p和q均大于等于2；第一方向相交于第二方向；每个存储结构包括：若干个栅极结构和若干个半导体通道；每个半导体通道沿第二方向延伸；每个栅极结构包围对应的半导体通道的至少一个侧面；若干条连接导线对应连接若干个栅极结构，形成若干条字线；若干条字线，均沿第一方向延伸，或者，均沿第二方向延伸。
>4、上述方案中，在本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：若干个存储结构和若干条连接导线；其中，
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，每个所述存储结构还包括：一个源极结构；
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，每个所述存储结构包括的栅极结构的数量为两个；
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：若干个存储元件；若干个所述存储元件对应连接若干个所述半导体通道的端部。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述存储元件与所述半导体通道一一对...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：若干个存储结构和若干条连接导线；其中，
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，每个所述存储结构还包括：一个源极结构；
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，每个所述存储结构包括的栅极结构的数量为两个；
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：若干个存储元件；若干个所述存储元件对应连接若干个所述半导体通道的端部。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述存储元件与所述半导体通道一一对应；或者，
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述存储元件包括：磁隧道结mtj；所述磁隧道结mtj的固定层连接于所述半导体通道。
8.根据权利要求1所述的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓阳，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。