【技术实现步骤摘要】
本公开涉及无外场电控磁，尤其涉及一种自旋轨道矩磁性隧道结器件和一种存储器。
技术介绍
1、新一代磁存储器件自旋轨道矩磁性随机存储器(sot-mram)，具有高稳定性、高耐久性、高读写速度等特点，在存储、逻辑、类脑计算领域具有极大的应用潜力。传统的sot-mram采用磁性自由层与重金属及其合金层相邻的结构，这使得高温工艺下的层间元素扩散难以避免，最高只能做到400℃附近的退火，限制了高温工艺在其生产中的应用，如嵌入式sot-mram。
技术实现思路
1、(一)要解决的技术问题
2、为解决现有技术中自旋轨道矩磁性隧道结器件以及存储器所出现的上述技术问题至少之一，本公开的实施例提供了自旋轨道矩磁性隧道结器件以及存储器，通过引入轨道霍尔间隔层来分隔磁自由层与竞争自旋合金层，有效地提高器件加工的热预算。
3、(二)技术方案
4、针对上述技术问题，本公开的实施例提出一种自旋轨道矩磁性隧道结器件和一种存储器。
5、根据本公开的一方面，一种自旋轨道矩磁性隧道...
【技术保护点】
1.一种自旋轨道矩磁性隧道结器件，其中，包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、竞争自旋合金层、轨道霍尔间隔层、磁隧道结层、保护层以及顶电极层；
2.根据权利要求1所述的自旋轨道矩磁性隧道结器件，其中，所述磁隧道结层还包括间隔层，所述间隔层设置于所述磁钉扎层与所述反铁磁层之间。
3.根据权利要求1或2所述的自旋轨道矩磁性隧道结器件，其中：
4.根据权利要求3所述的自旋轨道矩磁性隧道结器件，其中：
5.根据权利要求4所述的自旋轨道矩磁性隧道结器件，其中：
6.根据权利要求3所述的自旋轨道矩磁性隧道结器件，其中：>
7.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种自旋轨道矩磁性隧道结器件，其中，包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、竞争自旋合金层、轨道霍尔间隔层、磁隧道结层、保护层以及顶电极层；
2.根据权利要求1所述的自旋轨道矩磁性隧道结器件，其中，所述磁隧道结层还包括间隔层，所述间隔层设置于所述磁钉扎层与所述反铁磁层之间。
3.根据权利要求1或2所述的自旋轨道矩磁性隧道结器件，其中：
4.根据权利要求3所述的自旋轨道矩磁性隧道结器件，其中：
5...
【专利技术属性】
技术研发人员：王开友，刘祥语，兰修凯，左拉·阿贝贝，文辉，雷坤，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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