【技术实现步骤摘要】
本公开属于半导体领域，具体涉及一种半导体结构的制造方法和半导体结构。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表其存储的一个二进制比特是1还是0。
2、3d dram是一种在基底上堆叠多层晶体管和多层电容的一种结构，其集成度较高，有利于降低单位面积的成本。其中，环形沟道结构(channel-all-around,caa)的3d dram具有较长的沟道和优异的电性能。然而caa结构的3d dram的制造工艺较为复杂、密度也有待提高。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，至少有利于简化半导体结构的制造工艺，提高半导体结构的密度。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构的制造方法，其中，半导体结构的制造方法包括：提供基底，在所述基底上形成多个堆叠体和多个隔离墙，且二者在第一方向上交替排列；...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述栅极结构和所述连接结构的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第一介质层和所述字线的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述沟槽沿所述第一方向延伸，并穿透多个所述隔离墙。
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述初始字线后，在去除部分所述字线和部分所述初始第一介质层前，还包括：
6.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述栅极结构和所述连接结构的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第一介质层和所述字线的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述沟槽沿所述第一方向延伸，并穿透多个所述隔离墙。
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述初始字线后，在去除部分所述字线和部分所述初始第一介质层前，还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第三隔离结构的步骤包括：
7.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述初始第一介质层和初始字线的步骤包括：
8.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第一沟道层的步骤包括：
9.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：邵光速，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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