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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，制造方法包括：在基底上形成堆叠体和隔离墙，且二者在第一方向上交替排列；堆叠体包括第一隔离结构和第二隔离结构，且二者在第三方向上交替排列；形成沟槽，沟槽至少穿透第一隔离结构...
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