包括作为铜互连的可缩放阻挡扩散层的钽钛合金的多层膜制造技术

本发明专利技术提供一种包括作为铜互连的可缩放阻挡扩散层的钽钛合金的多层膜。一种用于在衬底上形成阻挡扩散层的方法包括使用原子层沉积工艺在衬底的特征中沉积钽层。该方法包括使用原子层沉积工艺在所述钽层上沉积钛层。该方法包括对衬底进行退火以形成包括钽‑钛合金的阻挡扩散层。

Multilayer film of tantalum titanium alloy comprising a scalable barrier diffusion layer as a copper interconnect

The present invention provides a multilayer film of tantalum titanium alloy comprising a scalable barrier diffusion layer as a copper interconnect. A method for forming a barrier diffusion layer on a substrate includes depositing a tantalum layer in the characteristics of the substrate using an atomic layer deposition process. The method includes depositing a titanium layer on the tantalum layer using an atomic layer deposition process. The method includes the substrate is annealed to form the include tantalum titanium alloy diffusion barrier layer.

【技术实现步骤摘要】
包括作为铜互连的可缩放阻挡扩散层的钽钛合金的多层膜
本公开涉及衬底处理系统，并且更具体地涉及用于沉积包括作为用于金属互连的可缩放阻挡扩散层的钽和钛的多层膜的系统和方法。
技术介绍
这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的上下文的目的。目前所命名的专利技术人的工作，在该
技术介绍
部分以及本说明书的在申请时不会以其他方式被认为是现有技术的方面中描述的程度上，既不明确地也不隐含地被承认为针对本公开的现有技术。现在参考图1，衬底50包括电介质层54和一个或多个下伏层56。特征57(诸如沟槽或通孔)可以限定在电介质层54中。阻挡扩散堆(stack)58沉积在电介质层54上。堆58包括氮化钽(TaN)层60和钽(Ta)层62。铜籽晶层64沉积在阻挡扩散堆58上。铜主体填充层66沉积在铜籽晶层64上。现在参考图2，示出了用于填充衬底50的特征57的方法75。在80，使用物理气相沉积(PVD)将TaN层60沉积在电介质层54上。在82，使用PVD在TaN层60上沉积Ta层62。在84，使用PVD在Ta层62上沉积一个或多个籽晶层64。在86，在特征57中沉积主体Cu填充物。铜(Cu)抗电迁移并具有相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在衬底上形成阻挡扩散层的方法，包括：a)使用原子层沉积工艺在所述衬底的特征沉积钽层；b)使用原子层沉积工艺在所述钽层上沉积钛层；和c)对所述衬底进行退火以形成包括钽‑钛合金的所述阻挡扩散层。

【技术特征摘要】
2015.12.15 US 14/969,6371.一种用于在衬底上形成阻挡扩散层的方法，包括：a)使用原子层沉积工艺在所述衬底的特征沉积钽层；b)使用原子层沉积工艺在所述钽层上沉积钛层；和c)对所述衬底进行退火以形成包括钽-钛合金的所述阻挡扩散层。2.根据权利要求1所述的方法，其还包括在(c)之前重复(a)和(b)一次或多次。3.根据权利要求1所述的方法，其还包括(d)在所述阻挡扩散层上沉积铜籽晶层。4.根据权利要求3所述的方法，其还包括(e)在所述铜籽晶层上执行主体铜填充。5.根据权利要求4所述的方法，其中(c)在(...

【专利技术属性】
技术研发人员：保罗·雷蒙德·贝塞尔，桑杰·戈皮纳特，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国,US