【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、在半导体晶圆处理期间，半导体晶圆经常经历可致使材料沉积于其上或从如此半导体晶圆蚀刻材料的一或更多工艺。通常情况下，期望确保如此半导体晶圆相对于用于处置半导体晶圆和/或于此类处理期间支撑半导体晶圆的设备的各种部件是正确定位且居中的。
2、在某些情况下，可将半导体处理工具配备为具有可用于旋转半导体晶圆以改变半导体晶圆的绝对方位的晶圆对准器，例如，准备将晶圆以特定方位装载至晶圆搬运机械手上以便允许稍后半导体晶圆在相对于台座或其他晶圆支撑设备的期望方位上的放置。在某些案例中，也可将此类晶圆对准器配置成允许晶圆同时居中在特定点上。
3、诸如以上所述的晶圆对准器可具有当支撑半导体晶圆时可被致使围绕旋转轴旋转的晶圆支撑件。可将此类晶圆对准器配备为具有帘式光束传感器，帘式光束传感器被定位以便沿着平行于旋转轴且与旋转轴共平面的方向引导平面光束，使得半导体晶圆的边缘与平面光束相交。当旋转半导体晶圆时，帘式光束传感器能够追踪半导体晶圆的边缘相对于旋转轴的位置变化。这允许例如半导体晶圆的周边上定位凹槽的位址被识别并且允许...
【技术保护点】
1.一种装置，其包含：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一方向正交于所述第二方向。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一方向与所述第一参考轴成45°角。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一方向与所述第二方向成斜角。
5.根据权利要求1所述的装置，其中：
6.根据权利要求5所述的装置，其中与所述支撑结构相关联的所述竖直轴与所述第一准直平面光束以及所述第二准直平面光束共平面。
7.根据权利要求1所述的装置，其中：
8.根据权利要求7所述的装置，其中所述第一阵列轴与所述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种装置，其包含：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一方向正交于所述第二方向。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一方向与所述第一参考轴成45°角。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一方向与所述第二方向成斜角。
5.根据权利要求1所述的装置，其中：
6.根据权利要求5所述的装置，其中与所述支撑结构相关联的所述竖直轴与所述第一准直平面光束以及所述第二准直平面光束共平面。
7.根据权利要求1所述的装置，其中：
8.根据权利要求7所述的装置，其中所述第一阵列轴与所述第二阵列轴各自位于彼此平行或共平面的平面中。
9.根据权利要求1所述的装置，其中：
10.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一光源和所述第二光源两者都被定位成分别引导部分的所述第一光和部分的所述第二光经过第一点。
11.根据权利要求1所述的装置，其中所述支撑结构不延伸进入具有与关联于所述支...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹森·戈登·加尔吉奈蒂斯，雅各布·利·希斯特，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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