朗姆研究公司专利技术

朗姆研究公司共有2089项专利

  • 公开了含金属光致抗蚀剂的光致抗蚀剂再加工。可以使用热处理通过将衬底暴露于升高的温度和蚀刻气体来完成再加工。还可以使用湿法处理将衬底暴露于无机酸性溶液中来完成再加工。再加工后,可以通过暴露于高温、等离子体或湿法清洁来清除衬底上的残留物或其...
  • 一种用于选择性蚀刻衬底的衬底处理系统包括第一室和第二室。第一气体输送系统向所述第一室供应惰性气体物质。等离子体产生系统产生在所述第一室中的包括离子和亚稳态物质的等离子体。气体分配装置从所述等离子体中去除所述离子,阻挡由所述等离子体产生的...
  • 一种用于选择性蚀刻衬底的衬底处理系统包括第一室和第二室。第一气体输送系统向所述第一室供应惰性气体物质。等离子体产生系统产生在所述第一室中的包括离子和亚稳态物质的等离子体。气体分配装置从所述等离子体中去除所述离子,阻挡由所述等离子体产生的...
  • 一种用于选择性蚀刻衬底的衬底处理系统包括第一室和第二室。第一气体输送系统向所述第一室供应惰性气体物质。等离子体产生系统产生在所述第一室中的包括离子和亚稳态物质的等离子体。气体分配装置从所述等离子体中去除所述离子,阻挡由所述等离子体产生的...
  • 一种用于选择性蚀刻衬底的衬底处理系统包括第一室和第二室。第一气体输送系统向所述第一室供应惰性气体物质。等离子体产生系统产生在所述第一室中的包括离子和亚稳态物质的等离子体。气体分配装置从所述等离子体中去除所述离子,阻挡由所述等离子体产生的...
  • 一种用于选择性蚀刻衬底的衬底处理系统包括第一室和第二室。第一气体输送系统向所述第一室供应惰性气体物质。等离子体产生系统产生在所述第一室中的包括离子和亚稳态物质的等离子体。气体分配装置从所述等离子体中去除所述离子,阻挡由所述等离子体产生的...
  • 一种用于选择性蚀刻衬底的衬底处理系统包括第一室和第二室。第一气体输送系统向所述第一室供应惰性气体物质。等离子体产生系统产生在所述第一室中的包括离子和亚稳态物质的等离子体。气体分配装置从所述等离子体中去除所述离子,阻挡由所述等离子体产生的...
  • 一种用于选择性蚀刻衬底的衬底处理系统包括第一室和第二室。第一气体输送系统向所述第一室供应惰性气体物质。等离子体产生系统产生在所述第一室中的包括离子和亚稳态物质的等离子体。气体分配装置从所述等离子体中去除所述离子,阻挡由所述等离子体产生的...
  • 一种用于选择性蚀刻衬底的衬底处理系统包括第一室和第二室。第一气体输送系统向所述第一室供应惰性气体物质。等离子体产生系统产生在所述第一室中的包括离子和亚稳态物质的等离子体。气体分配装置从所述等离子体中去除所述离子,阻挡由所述等离子体产生的...
  • 一种等离子体处理室包含具有线圈的上部窗,该线圈被放置于上部窗上方。线圈连接外壳被放置于线圈上方。计量外壳放置于线圈连接外壳上方。光谱反射系统被放置于计量外壳内部。光谱反射系统包含光学准直器,该光学准直器定位成引导光束穿过计量外壳内的开口...
  • 提供了一种用于在处理后端衬底中的金属表面上选择性沉积石墨烯的方法。该方法包括提供包括第一介电层和位于第一介电层中的铜互连件的衬底,该铜互连具有暴露的金属表面,其中暴露的金属表面包括铜,以及在暴露的金属表面上选择性地沉积碳层。
  • 用于直接驱动式射频功率供应源的射频校准系统包括参考盒,其包括用于将非参考输入阻抗转换成参考输出阻抗的参考电路。参考盒具有电连接至直接驱动式射频功率供应源的射频输出耦合的输入连接器。射频功率计具有电连接至参考盒的输出连接器的射频功率输入。...
  • 一种用于直接驱动式射频电源的接合系统包含第一端子,该第一端子被连接至射频信号供应引脚,该射频信号供应引脚被连接至直接驱动式射频信号产生器的输出端。该接合系统还包含第二端子,该第二端子被连接至等离子体处理室的线圈。该接合系统包含连接在该第...
  • 提供了一种用于在处理后端衬底中的双镶嵌结构的铜互连件上的钴覆盖体上选择性沉积石墨烯的方法。该方法包括提供包括第一介电层、第一介电层中的铜互连件、以及铜互连件上的钴覆盖体的半导体衬底,该钴覆盖体具有暴露的金属表面,其中暴露的金属表面包括钴...
  • 一种处理衬底的方法,将该衬底装载至穿过基座的多个升降销上,该基座配置在处理室中。将该多个升降销降低以将该衬底搁置在该基座上。供应沉积气体混合物以将膜沉积在该衬底上。停止该沉积气体混合物的该供应。使用该多个升降销将该衬底升高至该处理室中的...
  • 描述了用于射频(RF)信号的参数的多电平脉冲化和频率的多电平脉冲化的系统和方法。RF信号通过匹配器被施加到衬底支撑件。参数从低电平脉冲化到高电平,同时频率从低电平脉冲化到高电平。另外,将直流(DC)参数施加到衬底支撑件或将另一RF信号施...
  • 线圈被设置在等离子体处理室旁。第一直接驱动式射频(RF)功率供应源具有输出端,经由输出端传输第一成形放大方波信号。第一电抗电路连接在第一直接驱动式RF功率供应源的输出端和线圈的第一端之间。第一电抗电路将第一成形放大方波信号转换为第一成形...
  • 本文中提出用于包括特征填充处理的半导体处理的系统及方法。所述方法包括:在室中提供衬底,所述衬底具有待填充金属的特征;以及使金属前体和还原剂流动至所述室中,以在化学气相沉积(CVD)操作中在所述特征中沉积金属,其中所述CVD操作包括渐减阶...
  • 提供了一种用于在掩模下方的含碳层中蚀刻特征的方法。提供同时蚀刻和钝化步骤,包括流动包括含硼钝化剂气体和含氧气体的蚀刻气体。由蚀刻气体产生等离子体,其中等离子体蚀刻含碳层中的特征。
  • 公开了涉及使用机器学习分类器诊断晶片处理工具的状况的示例。一示例提供了一种包含杯体的电沉积工具。杯体包含晶片界面。晶片界面包含唇形密封件以及多个电接触点。电沉积工具还包含相机,其定位成对晶片界面的至少一部分进行成像。电沉积工具还包含逻辑...
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