一种用于等离子体处理室的窗支撑系统包含窗支撑框架，其配置为环绕开口。窗支撑框架具有顶表面、底表面、内表面和外表面。内表面和外表面中的每一者在顶表面和底表面之间延伸。通道形成在外表面内。顶表面配置成与窗的外周部分机械对接且热对接，窗对射频...

公开的示例涉及电镀工具的循环回路内的金属盐沉淀物的移除。在一示例性方法中，于操作的处理阶段，金属盐溶液在工艺温度下流经循环回路以使金属在衬底上沉积。该金属盐溶液至少包含金属阳离子和对离子。在操作的沉淀物移除阶段，该金属盐溶液被加热到比该...

提供了一种相对于掩模选择性蚀刻蚀刻层的方法。提供包括多个蚀刻循环的蚀刻工艺，其中每个蚀刻循环包括：提供沉积阶段和蚀刻阶段。所述沉积阶段包括：提供沉积阶段气体流，所述沉积阶段气体包含具有碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率的含碳氟化合物或氢氟烃的...

提供了一种等离子体处理室的部件。氧化钇涂层形成在部件本体的表面上，其中该氧化钇涂层通过气溶胶沉积来沉积，且是经过退火的，其中该氧化钇涂层按重量计为至少95％的纯氧化钇。

一种衬底处理系统的阀包括节流板，其被配置成调整通过气体管线的气流。外部致动器被设置在该气体管线的外部。内部致动器被设置在该气体管线的内部并连接到该节流板。该外部致动器磁耦合至该内部致动器。该外部致动器的移动引起该内部致动器相对于该气体管...

本文中的实施方案涉及将一或多种材料电镀至衬底上的装置和方法。本文中的实施方案在电镀槽中使用横流导管以将来自衬底与定位于衬底附近的具有通道的离子阻性板之间的区域的流体流转向向下至低于流体容纳单元中的流体水平的水平，流体容纳单元用于收集来自...

提供用方法填充特征的处理。处理包括使用氯化钼(MoCl<subgt;x</subgt;)化合物进行沉积、蚀刻、和清洁操作。与电介质相比，可控制MoCl<subgt;x</subgt;化合物以选择性地沉积在金属氮化...

公开的示例涉及使用极紫外光(EUV)吸收光电子发射掺杂剂，该掺杂剂键合至用于光致抗蚀剂的供氢光敏感底层中的原子。一示例提供在衬底上形成供氢光敏感底层的方法。该方法包括将该衬底暴露于掺杂剂前体和烃前体，该掺杂剂前体包括键合在含碳可聚合分子...

公开了涉及虚拟半导体厂环境的示例。一示例提供监控方法，其监控在处理工具中衬底上执行的工艺。方法包括在处理工具中运行工艺时从处理工具的传感器获得运行时间数据。方法还包括使用运行时间数据和工艺配方，通过模拟数字孪生来执行运行时间模拟。方法还...

一种提供了通过原位清洁以及净化通向沉积室的钼氧卤化物前体输送管线来提高钼金属的原子层沉积效率的方法。清洁处理可通过使用至少一种表面钝化剂预处理输送管线和/或通过使用至少一种腐蚀抑制剂定期处理输送管线来进行。还提供了从已沉积的钼膜去除氧化...

本文所提供的是用于在衬底上制造高模量氧化物薄膜的降低温度的等离子体增强化学气相沉积处理。用于沉积该氧化物薄膜的衬底温度小于约700℃。

一种用于衬底处理系统的密封件包含由基础材料组成的本体、外表面、标记材料，该标记材料设置在以下至少一者中：密封件的本体内的基础材料各处、密封件的外边缘区域中、设置在密封件的外表面上的涂层中、以及密封件的内部区域中。标记材料不同于基础材料。

本文中的各种实施方案涉及用于在介电材料中蚀刻高深宽比特征的方法、装置和系统。介电材料使用具有至少两种不同成分的多层或渐变的硬掩模来蚀刻。当硬掩模的不同部分被暴露出时，使用不同的蚀刻方案。例如，当硬掩模的较高部分暴露出时，可在第一温度下将...

提供使用等离子体以将硅氮化物沉积于低k电介质材料上方同时保护低k电介质材料的方法和装置。所述方法包括：提供其上沉积有电介质材料的衬底；在无等离子体环境中于所述电介质材料上沉积保护层；以及在沉积所述保护层之后，将所述衬底暴露于第一等离子体...

一种用于衬底处理室的边缘环系统包含中间环，其被配置成围绕衬底支撑件设置。该边缘环系统包含：外环部分；内环部分；N个弧形开口，其被设置在该外环部分与该内环部分之间，其中N是大于1的整数；N个桥，其在该N个弧形开口之间连接该外环部分与该内环...

本发明提供了一种选择性蚀刻堆叠中掩模下方的含氮或碳的电介质蚀刻层或多晶硅蚀刻层中的至少一个特征，同时提供轮廓控制和CD控制的方法。使包括蚀刻剂和含金属钝化剂的蚀刻气体流动。使蚀刻气体形成为等离子体。将电介质蚀刻层或多晶硅蚀刻层暴露于等离...

本文提供通过以下方式将材料沉积至衬底上的特征中的方法和装置：沉积材料的第一部分；在特征开口处或附近蚀刻出V形孔；以及沉积材料的第二部分以填充特征。

偏压供应系统包括设置在衬底支撑表面下方的主偏压电极。主偏压电极系控制位于衬底支撑表面上的衬底的顶表面上的电压。偏压供应系统包括设置在围绕衬底支撑表面的边缘环内的边缘环电极。边缘环电极控制在边缘环的顶表面上的电压。偏压供应系统包括电压供应...

含钼膜在ALD及CVD工艺中利用含钼前体的反应而沉积于半导体衬底上。在一些实施方案中，前体可用于沉积具有低掺入量的碳和氮的钼金属膜。在一些实施方案中，膜在暴露的含硅层存在下利用无氟前体来沉积，但不使用蚀刻停止层。在一些实施方案中，该前体...

各种实施方案包括提供人身安全和机器安全与操作的方法和设备。在一示例中，分布式互锁系统包括耦合至若干从属装置的至少一个主装置。这些从属装置接收来自一或更多个工具的信号，并将信号提供至主装置。该主装置评估这些信号，并防止不安全状况在与不安全...