一种半导体衬底处理装置包括：具有处理区域的真空室，半导体衬底能在所述处理区域中被处理；工艺气体源，其与所述真空室流体连通，以将工艺气体供给到所述真空室中；喷头模块，工艺气体从所述工艺气体源通过该喷头模块供给到所述真空室的所述处理区域；以...

包括具有顶板和底部的多站处理室的装置包围站，每一站包含基座组件。位于站之间的中心的心轴被配置成围绕中心轴线旋转，并电连接至底部。致动器控制心轴在Z方向上的移动。连接至心轴的转位器随心轴旋转，并包括延伸部，其各自被配置成与对应衬底接合以进...

一种被配置成测量衬底处理系统的处理室中的第一结构与第二结构之间的间隙的传感器盘，所述传感器盘包含：上表面；被设置在所述传感器盘的所述上表面上的至少一个第一电容传感器，所述至少一个第一电容传感器被配置为产生第一测量信号，所述第一测量信号指...

衬底处理系统包括多区域冷却装置，以对衬底处理室中全部或基本上全部的窗提供冷却。在一方面，该装置包括一或更多个气室，以覆盖衬底处理室中全部或实质上全部的窗，其包括在衬底处理室中用于变压器耦合型等离子体的能量源下方。一或更多个空气放大器及随...

本文公开了用于干式显影工艺的辐射加热系统和方法。在一些实例中，这种系统和方法可允许干式显影处理已完成后可能留于晶片表面上的挥发性卤化物通过晶片的辐射加热而被驱离晶片。在一些实例中，可在原位环境中提供这种系统和方法，其中被加热的晶片在与执...

一种装置，其包括处理室，其中所述处理室包括：窗，其中该窗包括介电材料，所述介电材料对射频(RF)能量是透射性的，其中所述窗具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；套环组件，该套环组件具有被所述窗覆盖的孔，其中所述套环组件支撑所述窗的所述第...

提供用于在半导体处理室中使用的部件。部件本体包含金属材料或陶瓷材料。在部件本体的表面上配置涂层，其中涂层包含钇铝氧化物层，钇铝氧化物层是由在至少90％的钇铝氧化物层上具有1.0至0.9钇比1.0至1.1铝的摩尔比的组合物形成。

一种在等离子体处理室中使用的约束环包括上水平段、上竖直段、中间段、下竖直段、下水平段以及竖直延伸部。该上水平段在约束环的内上半径与第一外半径之间延伸。该中间段在约束环的内上半径与第二外半径之间延伸。该下水平段在内下半径与第二外半径之间延...

一种用于电阻式加热器的控制电路包含：整流器，其被配置为接收来自交流电源的交流电信号。开关连接至所述整流器。第一二极管连接至所述开关和所述整流器。LC电路连接至所述开关、所述第一二极管以及电阻式加热器。热电偶被配置为基于所述电阻式加热器的...

描述了用于确定衬底是否包括在该衬底的表面上的不可接受的大量氧化物的方法和设备。所述衬底通常是要电镀的衬底。该确定可以在电镀工艺的初始部分期间直接在电镀装置中进行。该确定可以包括将衬底浸入具有在浸入期间或浸入之后立即提供的特定施加的电压或...

本文中所述的各种实施方案涉及用于处理含金属光致抗蚀剂以修改光致抗蚀剂的材料属性的方法、装置和系统。含金属光致抗蚀剂可在涉及至少两个热操作的暴露后烘烤工艺中进行处理。暴露后烘烤操作中的至少一者包括，在富含氧的环境中使含金属光致抗蚀剂暴露于...

一种用于被配置为在衬底上执行沉积处理的处理室的控制器包括：温度监控器，其被配置成获得所述处理室的喷头的温度；沉积时间确定器，其被配置成基于所述喷头的所获得的所述温度和数据来确定优化沉积时间，所述数据将所述喷头的所述温度与所述优化沉积时间...

描述了无匹配器等离子体源。无匹配器等离子体源包括控制器，该控制器耦合到敏捷式DC轨道，以控制在半桥晶体管电路的输出处生成的放大方波形的形状。无匹配等离子体源还包括半桥晶体管电路，该半桥晶体管电路用于生成放大的方波形，以向等离子体室的电极...

一种用于等离子体室的喷头包括：电阻式加热器，其被配置成接收功率以加热所述等离子体室的所述喷头；和电阻元件，其热接合至所述等离子体室的所述喷头。所述电阻元件响应于所述喷头的温度的改变而改变电阻。所述电阻元件被封装在绝缘材料中以使所述电阻元...

可以使用远程等离子体化学气相沉积(CVD)技术沉积经掺杂或未经掺杂的碳化硅膜。将一种或多种含硅前体提供至反应室。以实质上低能态或基态提供自由基物质，例如氢的自由基物质，并且其与一种或多种含硅前体相互作用以沉积碳化硅膜。共反应物可以与一种...

各种实施方案包括用于提高例如原子层沉积(ALD)产生的膜在衬底的表面上的沉积速率的方法。在一示例性实施方案中，所述方法包括：将衬底放置在沉积室中；将前体气体引入沉积室中；从沉积室中排出剩余的前体气体分子的至少一部分；对沉积室中的衬底施加...

一种用于执行衬底上的特征的间隙填充的方法，其包括：(a)移动所述衬底至处理室中；(b)执行ALD工艺的多个循环；(c)从所述处理室清扫来自所述ALD工艺的处理气体；(d)通过将含氟气体引入至所述处理室中并施加RF功率至所述含氟气体以在所...

一种用于保持晶片状物品的设备，该设备具有设备主体，所述设备主体包括：被设置为面向由该设备支撑的晶片状物品的表面，该表面具有中央凹陷部；第一气体喷嘴，其在所述中央凹陷部的外侧的该表面上具有出口；以及第二气体喷嘴，其在所述中央凹陷部内部的该...

一种方法，其包含：在包含衬底支撑件和喷头的处理站中提供衬底，所述衬底包含待填充的间隙；以及通过包含操作(a)‑(d)的多个循环的等离子体增强型原子层沉积(PEALD)处理，在所述间隙中沉积含硅膜：(a)配料操作，其包含使含硅前体经由所述...

描述了用于消除与寄生电容相关联的阻抗的系统和方法。所述系统中的一个包括具有壳体的等离子体室。该壳体包括基座、位于基座上方以面向基座的喷头、以及位于喷头上方的顶板。该系统还包括耦合到等离子体室的射频(RF)传输线，其用于将经改进的RF信号...