提供了使用远程等离子体沉积渐变或多层的碳化硅膜的方法和装置。可以在反应室中在工艺条件下形成渐变或多层的碳化硅膜，所述工艺条件在衬底上提供一种或多种有机硅前体。从远程等离子体源向反应室提供处于实质上低能态的源气体的自由基，例如处于基态的氢...

本公开内容涉及用于提供硅氮化物膜的方法。特别地，膜可以是碳掺杂的硅氮化物膜。方法可包括沉积掺杂的硅氮化物，然后等离子体处理掺杂的硅氮化物以提供保形膜。

在半导体衬底上沉积高应力、热稳定的压缩氮化物膜。可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在产生具有高压缩膜应力并且当暴露于高于压缩氮化物的沉积温度的温度时具有最小应力偏移的压缩氮化物膜的条件下沉积压缩氮化物膜。在一些实现方案中，压...

在半导体器件制造中，氧化锡膜用作间隔物和硬掩模。在一种方法中，在衬底上的突出特征的侧壁和水平表面上共形地形成氧化锡层。然后在侧壁上的氧化锡上形成钝化层，氧化锡然后从突出特征的水平表面去除，而不在突出特征的侧壁处去除。然后去除突出特征的材...

一种被配置为布置在衬底处理室中的底部环上方的宽覆盖边缘环包括上表面；下表面，其包括下表面台阶，所述下表面台阶从所述下表面向下延伸，并且被配置为被容纳在至少部分地由所述底部环的上表面和室衬里的内表面限定的凹部内并与所述凹部对接；内径，所述...

例如相机传感器之类的多像素传感器可被配置成捕获处理室或其他制造工具的内部的二维和/或三维图像。这些传感器可被配置成在室中处理衬底之前、期间和/或之后从这样的处理室内部捕获经像素化的电磁辐射强度信息。这样的传感器也可用于控制、预测和/或诊...

用于干式处理工具的系统包括：一个或更多处理室；两个或更多处理站，其被设置在该一个或更多处理室内；以及第一气体源。公共歧管经由至少第一质量流量控制器而耦合至该第一气体源。该公共歧管将该第一气体源经由对应的流动路径而流体耦合至该两个或更多处...

用金属填充部分制造的半导体衬底的特征的填充方法包含在特征中沉积梯度金属氮化物层。梯度金属氮化物层的厚度和/或氮浓度随着特征深度而减小。在特征的顶部，梯度金属氮化物层可在随后的平坦化过程中作为粘附层。因为梯度金属氮化物层的厚度和/或氮浓度...

一种用于处理衬底的喷头，该喷头包含背板以及附接至该背板的面板。该面板包含面向该背板的第一表面、与该第一表面相对的第二表面、及在该第一表面与该第二表面之间延伸的多个通孔。该第一表面与该第二表面中的至少一者是至少部分地轮廓化的。

本文公开了一种具有流导特征的改良式边缘环。边缘环的流导特征为添加至边缘环的特征，其可调整在边缘环局部区域中流动的气体的流导。流导特征可以调整流导以补偿半导体晶片上、边缘环上以及室中可能影响局部区域中的气体流动的特征。取决于所需效果，流导...

除气系统包括包含液体入口、气体入口、液体出口、以及气体出口的外壳。管被配置成接收含有气泡的液体。管包含多个回路、流体连接至外壳的液体入口的第一端、以及流体连接至外壳的液体出口的第二端。管为气体可渗透而液体不可渗透的。气体供给系统被配置成...

一种向衬底处理工具的多个站供给气体的系统包含：用于供给气体的气体源、连接至气体源的质量流量控制器、多个导管、以及多个加热器。该多个导管彼此互连且彼此流体连通。该多个导管包含连接至质量流量控制器的入口、包含多个出口的多个部分、以及多个气体...

提供了一种用于在蚀刻室中在图案化掩模下方蚀刻堆叠件中的特征的方法。用冷却剂温度低于‑20℃的冷却剂冷却堆叠件。使蚀刻气体流入蚀刻室。由蚀刻气体产生等离子体。相对于图案化的掩模将特征选择性地蚀刻到堆叠件中。

提供了一种用于在等离子体处理室中利用静电环夹持件静电夹持边缘环的方法，该静电环夹持件具有用于向边缘环提供气流的至少一个环背面温度通道。向至少一个环背面温度通道提供真空。测量环背面温度通道中的压强。当背面温度通道中的压强达到阈值最大压强时...

一种边缘环被配置为在衬底处理系统中经由一个或多个升降销相对于衬底支撑件升高和降低。所述边缘环还被配置为在所述边缘环的调整过程中与从衬底支撑件的底部环和/或中部环向上延伸的引导特征对接。所述边缘环包括：上表面；环形内径；环形外径；下表面；...

一种气体输送装置具有加热器区块组件、加热元件、气体管线、以及温度感测开关。该加热器区块组件包含一对加热区块。该对加热区块中的每一者都包含平面表面。该平面表面包含基本上平行的第一和第二沟槽。该第一和第二沟槽沿着该加热区块的长度延伸。该对加...

一种衬底处理系统包含等离子体产生器，其被设置成将(射频)RF功率供应至配置在处理室中的电极。传感器被设置成感测供应至所述电极的所述RF功率的参数。控制器被设置成通过以下操作对由于配置在衬底支撑件上的衬底的体电阻率的变动而产生的等离子体处...

一种边缘环被配置为在衬底处理系统中经由一个或多个升降销相对于衬底支撑件升高和降低。所述边缘环还被配置为在所述边缘环的调整过程中与从衬底支撑件的底部环和/或中部环向上延伸的引导特征对接。所述边缘环包括：上表面；环形内径；环形外径；下表面；...

一种边缘环被配置为在衬底处理系统中经由一个或多个升降销相对于衬底支撑件升高和降低。所述边缘环还被配置为在所述边缘环的调整过程中与从衬底支撑件的底部环和/或中部环向上延伸的引导特征对接。所述边缘环包括：上表面；环形内径；环形外径；下表面；...

用于衬底处理系统的硬止动件包含第一部分，其包含：被配置成延伸至销致动器的下波纹管中的第一孔中的凸座；分别延伸通过凸座和第一部分的第二孔；以及第二部分，其包含：连接至第一部分的第一端；以及被配置成接触销致动器的支架的第二端，该支架被配置成...