具有激光熔丝的集成电路及其形成方法技术

本发明专利技术提供了一种具有激光熔丝的集成电路及其形成方法，其结构包括：衬底；形成于所述衬底上的层间介质层；位于所述层间介质层上的缓冲层；以及，形成于所述缓冲层上的激光熔丝。即，由于所述激光熔丝和层间介质层之间设置有一缓冲层，从而在执行激光修调工艺时，避免了所述激光熔丝所产生的机械应力和热应力直接作用于层间介质层上，从而可有效改善所述层间介质层中产生裂纹的问题。

Integrated circuit with laser fuse and method for forming the same

The present invention provides an integrated circuit with a laser fuse and its forming method, its structure includes: a substrate; the substrate is formed on the interlayer dielectric layer; in the interlayer dielectric layer on the buffer layer; and a laser fuse is formed on the buffer layer. That is, as between the laser fuse and the interlayer dielectric layer is provided with a buffer layer, resulting in the implementation of laser trimming process, avoid the laser fuse caused by mechanical stress and thermal stress directly on the interlayer dielectric layer, which can effectively improve the problem of cracks in the interlayer the dielectric layer in the.

【技术实现步骤摘要】
具有激光熔丝的集成电路及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种具有激光熔丝的集成电路及其形成方法。
技术介绍
在半导体集成电路中通常会设置一熔丝，通过熔断熔丝进而可达到对集成电路的功能或参数进行修调的目的。根据熔丝的熔断方法，可以把熔丝分为电熔丝(ElectricalFuse)和激光熔丝(Laserfuse)，其中，所述激光熔丝一般采用一定能量的激光束照射熔丝，进而使所述激光熔丝熔断。图1为现有的一种具有激光熔丝的集成电路的结构示意图，如图1所示，所述具有激光熔丝的集成电路包括：衬底11；位于所述衬底11上的层间介质层12；形成于所述层间介质层12上的激光熔丝13；以及，覆盖所述层间介质层12和激光熔丝13的保护层14，所述保护层14中形成有一位于所述激光熔丝13上方的凹槽14a，使位于凹槽14a下方的保护层的厚度较薄。即，位于所述激光熔丝13上方的部分区域的保护层14的厚度较薄，从而在后续的激光修调时，激光束通过所述凹槽14a照射于所述保护层上，进而使激光熔丝13发生熔断。然而，在激光修调的过程中，所述激光熔丝13会发生汽化膨胀，进而产生较高的机械应力和热应力，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有激光熔丝的集成电路，其特征在于，包括：一衬底；一层间介质层，所述层间介质层形成于所述衬底上；一缓冲层，所述缓冲层位于所述层间介质层上；一激光熔丝，所述激光熔丝形成于所述缓冲层上。

【技术特征摘要】
1.一种具有激光熔丝的集成电路，其特征在于，包括：一衬底；一层间介质层，所述层间介质层形成于所述衬底上；一缓冲层，所述缓冲层位于所述层间介质层上；一激光熔丝，所述激光熔丝形成于所述缓冲层上。2.如权利要求1所述的具有激光熔丝的集成电路，其特征在于，还包括：一导电层，所述导电层形成于所述衬底上；以及多个导电插塞，所述导电插塞贯穿所述层间介质层，并分别连接所述导电层和所述激光熔丝。3.如权利要求2所述的具有激光熔丝的集成电路，其特征在于，所述激光熔丝覆盖所述缓冲层和部分层间介质层，一部分导电插塞直接连接所述激光熔丝的一端，另一部分导电插塞直接连接所述激光熔丝的另一端。4.如权利要求1所述的具有激光熔丝的集成电路，其特征在于，还包括：一保护层，所述保护层覆盖所述层间介质层和所述激光熔丝。5.如权利要求4所述的具有激光熔丝的结构，其特征在于，位于所述激光熔丝上方的部分区域的保护层的厚度小于6.如权利要求4所述的具有激光熔丝的集成电路，其特征在于，所述保护层包括：一金属间电介质层，所述金属间电介质层覆盖所述层间介质层上和所述激光熔丝；一金属层，所述金属层形成于所述金属间电介质层上；以及一钝化层，所述钝化层形成于所述金属间电介质层和所述金属层上。7.如权利要求6所述的具有激光熔丝的集成电路，其特征在于，位于所述激光熔丝上方的部分区域的金属间电介质层的厚度小于8.如权利要求6所述的具有激光熔丝的集成电路，其特征在于，所述金属间电介质层中形成有一位于所述激光熔丝上方的凹槽，使所述激光熔丝上方的部分区域的金属间电介质层的厚度小于9.如权利要求6所述的具有激光熔丝的集成电路，其特征在于，在所述钝化层中形成有一位于所述激光熔丝的上方并贯穿所述钝化层的开口。10.如权利要求4所述的具有激光熔丝的集成电路，其特征在于，所述保护层包括：一钝化层，所述钝化层覆盖所述层间介质层和所述激光熔丝。11.如权利要求10所述的具有激光熔丝的集成电路，其特征在于，所述钝化层中形成有一位于所述激光熔丝上方的凹槽，使所述激光熔丝上方的部分区域的钝化层的厚度小于12.如权利要求1所述的具有激光熔丝的集成电路，其特征在于，所述层间介质层的材质为氧化硅。13.如权利要求1所述的具有激光熔丝的集成电路，其特征在于，所述缓冲层的材质为硼硅玻璃、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃。14.如权利要求1所述的具有激光熔丝的集成电路，其特征在于，所述激光熔丝的材质为铝。15.一种权利要求1～14其中之一所述的具有激光熔丝的集成电路的形成方法，包括：提供一衬底，于所述衬底上形成一层间介质层和一位于所述层间介质层上的缓冲层...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴亚贞，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31