基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

提供一种基板处理装置和基板处理方法，在使用多个处理部对多个被处理基板分别进行处理时，能够共用排气机构并且实施不同的气体条件的基板处理。该基板处理装置具备对多个被处理基板(Wa、Wb)实施基板处理的多个处理部(11a、11b)、从多个处理部共同排出气体的排气机构(15)、对多个处理部相独立地供给气体的气体供给机构(14)以及控制部(16)，其中，在对多个被处理基板实施基板处理时，控制部一边控制排气机构使得从多个处理部一并排出气体，一边控制气体供给机构使得对多个处理部相独立地供给处理气体并且阻止产生多个处理部之间的压力差。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种对被处理基板实施处理的基板处理装置和基板处理方法。
技术介绍
在制造半导体设备的情况下，对作为被处理基板的半导体晶圆(以下简称为晶圆)反复进行蚀刻处理、成膜处理等各种处理来制造期望的设备。以往，作为这种进行基板处理的装置，大多使用对被处理基板逐个地进行基板处理的单片式的处理装置。然而，为了使处理装置的生产率提高，也使用在维持单片式的处理装置的平台的状态下一次对两个以上的被处理基板实施基板处理的处理装置(例如专利文献1)。专利文献1中记载的基板处理装置在腔室内设置用于载置多个被处理基板的基板载置台，将多个处理区域和用于分离多个处理区域的分离区域沿着基板载置台的圆周方向交替地设置。在进行基板处理时，使基板载置台旋转，来使多个被处理基板按“处理区域、分离区域、处理区域、分离区域……”这样的顺序通过，由此对多个被处理基板实施不同的气体条件的基板处理。专利文献1：日本特开2010-80924号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在专利文献1中，为了对多个被处理基板实施不同的气体条件的基板处理，按每个处理区域分别独立地设置排气机构。因此，基板处理装置的制造成本升高。本专利技术是鉴于这种问题而完成的，以提供如下一种基板处理装置和基板处理方法为课题：在通过多个处理部分别对多个被处理基板进行处理时，能够共用排气机构并且实施不同的气体条件的基板处理。用于解决问题的方案为了解决上述问题，本专利技术的第一观点提供一种基板处理装置，在真空环境下对多个被处理基板实施规定的处理，其特征在于，具备：多个处理部，多个处理部分别对上述多个被处理基板的各处理基板实施基板处理；气体供给机构，其对上述多个处理部相独立地供给处理气体；共同的排气机构，其将上述多个处理部内的处理气体一并排出；以及控制部，其控制上述气体供给机构和上述排气机构，其中，在对上述多个被处理基板实施基板处理时，上述控制部一边控制上述排气机构使得从上述多个处理部一并排出处理气体，一边控制上述气体供给机构使得对上述多个处理部相独立地供给处理气体并且阻止产生上述多个处理部之间的压力差。在上述第一观点中，优选的是，在对上述多个被处理基板实施基板处理时，上述控制部执行第一模式和第二模式，其中，该第一模式是如下模式：一边从上述多个处理部共同排出处理气体，一边将第一气体作为处理气体以相同的气体条件供给到全部上述多个处理部，该第二模式是如下模式：一边控制上述排气机构使得从上述多个处理部一并排出处理气体，一边对上述多个处理部中的一部分处理部供给上述第一气体并对上述多个处理部中的其余处理部供给与上述第一气体不同的第二气体，在上述第二模式下，上述控制部控制上述气体供给机构使得阻止产生上述多个处理部之间的压力差。另外，优选的是，在上述第二模式下，上述控制部以阻止产生上述多个处理部中的一部分处理部的压力与上述多个处理部中的其余处理部的压力之间的压力差的方式，控制对上述多个处理部中的其余处理部的上述第二气体的供给量。另外，上述第二气体是非活性气体和/或与要被处理的被处理基板不发生反应的非反应性气体。在上述第二模式下，上述控制部使得在上述多个处理部中的一部分处理部中，继续利用作为处理气体的第一气体对上述被处理基板进行基板处理，并且使得在上述多个处理部中的其余处理部中，停止对上述被处理基板供给作为处理气体的第一气体并将上述第二气体作为补充气体进行供给来使基板处理停止。在该情况下，优选的是，上述控制部使得在进行上述基板处理之前执行压力稳定化，该压力稳定化用于利用调压气体对上述多个处理部进行调压并且使压力稳定化，上述控制部在执行该压力稳定化时，将上述调压气体的流量控制为能够形成如下的流动的流量：该流动是上述调压气体流向上述排气机构的流动，该流动能够抑制在上述基板处理的上述第二模式下作为处理气体的上述第一气体和作为补充气体的上述第二气体在上述多个处理部之间进行反向扩散。使用作为在进行上述基板处理时供给的气体的一部分的不发生基板处理的气体作为上述调压气体，使执行上述压力稳定化时的上述调压气体的流量比进行上述基板处理时供给的气体的流量多即可，优选将执行上述压力稳定化时的上述调压气体的流量设为进行上述基板处理时供给的气体的流量的三倍以上。另外，也可以使用被用作上述第一气体的稀释气体的气体作为上述第二气体。在上述第一观点中，能够设为以下结构：上述多个处理部的各处理部设置于一个共同的腔室内，设置于上述一个共同的腔室内的上述多个处理部共用上述排气机构。另外，也能够设为以下结构：上述多个处理部的各处理部设置于各自独立的腔室内，上述独立的腔室共用上述排气机构。本专利技术的第二观点提供一种基板处理方法，使用基板处理装置在真空环境下对多个被处理基板实施规定的处理，该基板处理装置具备：多个处理部，该多个处理部分别对多个被处理基板的各被处理基板实施基板处理；气体供给机构，其对上述多个处理部相独立地供给气体；以及共同的排气机构，其将上述多个处理部内的气体一并排出，该基板处理方法的特征在于，在对上述多个被处理基板实施基板处理时，利用上述排气机构从上述多个处理部一并排出处理气体，利用上述气体供给机构对上述多个处理部相独立地供给处理气体并且阻止产生上述多个处理部之间的压力差。本专利技术的第三观点提供一种基板处理方法，使用基板处理装置在真空环境下对多个被处理基板实施规定的处理，该基板处理装置具备：多个处理部，该多个处理部分别对多个被处理基板的各被处理基板实施基板处理；气体供给机构，其对上述多个处理部相独立地供给气体；以及共同的排气机构，其将上述多个处理部内的气体一并排出，该基板处理方法的特征在于，在对多个被处理基板实施基板处理时，执行第一模式和第二模式，其中，该第一模式是如下模式：一边从上述多个处理部共同排出处理气体，一边将第一气体作为处理气体以相同的气体条件供给到全部上述多个处理部，该第二模式是如下模式：一边控制上述排气机构使得从上述多个处理部一并排出处理气体，一边对上述多个处理部中的一部分处理部供给上述第一气体并对上述多个处理部中的其余处理部供给与上述第一气体不同的第二气体，在上述第二模式下，阻止产生上述多个处理部之间的压力差。在第三观点中，优选的是，在上述第二模式下，以阻止产生上述多个处理部中的一部分处理部的压力与上述多个处理部中的其余处理部的压力之间的压力差的方式，控制对上述多个处理部中的其余处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，在真空环境下对多个被处理基板实施规定的处理，其特征在于，具备：多个处理部，该多个处理部分别对上述多个被处理基板的各被处理基板实施基板处理；气体供给机构，其对上述多个处理部相独立地供给处理气体；共同的排气机构，其将上述多个处理部内的处理气体一并排出；以及控制部，其控制上述气体供给机构和上述排气机构，其中，在对上述多个被处理基板实施基板处理时，上述控制部一边控制上述排气机构使得从上述多个处理部一并排出处理气体，一边控制上述气体供给机构使得对上述多个处理部相独立地供给处理气体并且阻止产生上述多个处理部之间的压力差。

【技术特征摘要】
2014.10.20 JP 2014-213887;2015.02.26 JP 2015-036881.一种基板处理装置，在真空环境下对多个被处理基板实施规定的处
理，其特征在于，具备：
多个处理部，该多个处理部分别对上述多个被处理基板的各被处理基板
实施基板处理；
气体供给机构，其对上述多个处理部相独立地供给处理气体；
共同的排气机构，其将上述多个处理部内的处理气体一并排出；以及
控制部，其控制上述气体供给机构和上述排气机构，
其中，在对上述多个被处理基板实施基板处理时，上述控制部一边控制
上述排气机构使得从上述多个处理部一并排出处理气体，一边控制上述气体
供给机构使得对上述多个处理部相独立地供给处理气体并且阻止产生上述
多个处理部之间的压力差。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在对上述多个被处理基板实施基板处理时，上述控制部执行第一模式和
第二模式，
其中，该第一模式是如下模式：一边从上述多个处理部共同排出处理气
体，一边将第一气体作为处理气体以相同的气体条件供给到全部上述多个处
理部，
该第二模式是如下模式：一边控制上述排气机构使得从上述多个处理部
一并排出处理气体，一边对上述多个处理部中的一部分处理部供给上述第一
气体并对上述多个处理部中的其余处理部供给与上述第一气体不同的第二
气体，
在上述第二模式下，上述控制部控制上述气体供给机构使得阻止产生上
述多个处理部之间的压力差。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
在上述第二模式下，上述控制部以阻止产生上述多个处理部中的一部分
处理部的压力与上述多个处理部中的其余处理部的压力之间的压力差的方
式，控制对上述多个处理部中的其余处理部的上述第二气体的供给量。
4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第二气体是非活性气体和/或与要被处理的被处理基板不发生反应
的非反应性气体。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
在上述第二模式下，上述控制部使得在上述多个处理部中的一部分处理
部中，继续利用作为处理气体的第一气体对上述被处理基板进行基板处理，
并且使得在上述多个处理部中的其余处理部中，停止对上述被处理基板供给
作为处理气体的第一气体并将上述第二气体作为补充气体进行供给来使基
板处理停止。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
上述控制部使得在进行上述基板处理之前执行压力稳定化，该压力稳定
化用于利用调压气体对上述多个处理部进行调压并且使压力稳定化，
上述控制部在执行该压力稳定化时，将上述调压气体的流量控制为能够
形成如下的流动的流量：该流动是上述调压气体流向上述排气机构的流动，
该流动能够抑制在上述基板处理的上述第二模式下作为处理气体的上述第
一气体和作为补充气体的上述第二气体在上述多个处理部之间进行反向扩
散。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
使用作为在进行上述基板处理时供给的气体的一部分的不发生基板处
理的气体作为上述调压气体，使执行上述压力稳定化时的上述调压气体的流
量比进行上述基板处理时供给的气体的流量多。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
将执行上述压力稳定化时的上述调压气体的流量设为进行上述基板处
理时供给的气体的流量的三倍以上。
9.根据权利要求4至8中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
使用被用作上述第一气体的稀释气体的气体作为上述第二气体。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
上述多个处理部的各处理部设置于一个共同的腔室内，
设置于上述一个共同的腔室内...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥宏幸，风间和典，岩渕纪之，户田聪，高桥哲朗，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP