一种多晶硅断裂硅芯的连接结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种多晶硅断裂硅芯的连接结构，其包括第一断裂硅芯和第二断裂硅芯，其特征在于，还包括一连接硅芯，所述第一断裂硅芯的一端面开设有第一锥形孔，所述第二断裂硅芯的一端开设有第二锥形孔；所述连接硅芯包括连接主体以及从所述连接主体的两端延伸出的连接部，所述连接部具有与所述第一锥形孔和第二锥形孔相适配的锥形台结构；将两个连接部分别装配于所述第一锥形孔和第二锥形孔，第一断裂硅芯和第二断裂硅芯通过所述连接硅芯相互连接。本实用新型专利技术中的连接机构可以使断裂的硅芯连接后达到要求的长度，可在还原炉中反应生成多晶硅，满足生产需要，极大地减少了硅芯的浪费，提高了切割收率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多晶硅生产
，具体涉及一种多晶硅断裂硅芯的连接结构。
技术介绍
目前，多晶硅的生产方法主要采用西门子法，其主要是在还原炉中使硅芯发生还原反应生成多晶硅。原理是:硅芯还原反应是在一个密闭的还原炉中进行，在装炉前先在还原炉内用硅芯搭接成若干个闭合回路，每个闭合回路都由两根竖硅芯和一根横硅芯组成。每一个闭合回路的两个竖硅芯分别接在炉底上的两个电极上，电极分别接直流电源的正负极，然后对硅芯进行加热，加热中一组搭接好的硅芯相当于一个大电阻，向密闭的还原炉内通入氢气和三氯氢硅，进行还原反应。由此，所需的多晶硅就会在硅芯表面生成。该方法中，组成闭合回路的硅芯都是由原生多晶硅棒通过切割为特定的长度，否则无法装载于还原炉中。在使用原生多晶硅棒切割获得硅芯的工艺过程中，由于受应力、刀具、卡具等因素的影响，部分硅芯发生断裂，长度达不到装载于还原炉中要求，无法使用。目前因切割断裂的硅芯通常都是作为废弃物料回收，但是硅芯的制作成本较高，如弃之不用，会造成很大浪费。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种多晶硅断裂硅芯的连接结构，以使断裂的硅芯连接后达到要求的长度，可在还原炉中反应生成多晶硅，满足生产需要，极大地减少了硅芯的浪费，提高了切割收率。为了达到上述的目的，本技术采用了如下的技术方案:一种多晶硅断裂硅芯的连接结构，其包括第一断裂硅芯和第二断裂硅芯，其中，还包括一连接硅芯，所述第一断裂硅芯的一端面开设有第一锥形孔，所述第二断裂硅芯的一端开设有第二锥形孔；所述连接硅芯包括连接主体以及从所述连接主体的两端延伸出的连接部，所述连接部具有与所述第一锥形孔和第二锥形孔相适配的锥形台结构；将两个连接部分别装配于所述第一锥形孔和第二锥形孔，第一断裂硅芯和第二断裂硅芯通过所述连接硅芯相互连接。优选地，所述第一锥形孔和第二锥形孔以及所述连接部的锥度为1:8?12。优选地，所述第一锥形孔和第二锥形孔以及所述连接部的锥度为1:10。优选地，所述连接部的长度为30 ± 5mm。优选地，所述连接主体与所述第一断裂硅芯和第二断裂硅芯具有相同的外周形状。优选地，所述第一断裂硅芯和第二断裂硅芯以及所述连接主体的横截面宽度为8± 1mm,高度为 8± lmm0相比于现有技术，本技术提供的多晶硅断裂硅芯的连接结构，可以使断裂的硅芯连接后达到要求的长度，可在还原炉中反应生成多晶硅，满足生产需要，极大地减少了硅芯的浪费，提高了切割收率。【附图说明】图1是本技术实施例中的多晶硅断裂硅芯的连接结构在分离状态的结构示意图。图2是本技术实施例中的多晶硅断裂硅芯的连接结构在连接状态的结构示意图。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行详细地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实例，而不是全部实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护范围。参阅图1和图2，本实施例提供了一种多晶硅断裂硅芯的连接结构，其包括第一断裂硅芯1、第二断裂硅芯2以及一连接硅芯3。其中，第一断裂硅芯1和第二断裂硅芯2是指在使用原生多晶硅棒切割获得硅芯的工艺过程中，由于受应力、刀具、卡具等因素的影响，部分硅芯发生断裂，长度达不到装载于还原炉中要求而无法使用的硅芯。连接硅芯3的目的是将这些断裂硅芯连接起来，使其可以达到装载于还原炉中的长度要求。具体地，如图1和图2所示的，在该连接结构中，所述第一断裂硅芯1的一端面开设有第一锥形孔11，所述第二断裂硅芯2的一端开设有第二锥形孔21。所述连接硅芯3包括连接主体31以及从所述连接主体31的两端延伸出的连接部32，所述连接部32具有与所述第一锥形孔11和第二锥形孔21相适配的锥形台结构。将两个连接部32分别装配于所述第一锥形孔11和第二锥形孔21，由此，第一断裂硅芯1和第二断裂硅芯2通过所述连接硅芯3相互连接。其中，所述连接主体31与所述第一断裂硅芯1和第二断裂硅芯2最好是具有相同的外周形状，例如其横截面都为方形，横截面宽度为8±lmm，高度为8±lmm。作为一个优选的实施方案，所述第一锥形孔11和第二锥形孔21以及所述连接部32的锥度可以选择为1:8?12。更为优选的是，该锥度的数值为1:10。作为一个优选的实施方案，所述连接部32的长度为30±5mm。进一步地，所述第一锥形孔11和第二锥形孔21应当具有相应的长度。综上所述，本技术提供的多晶硅断裂硅芯的连接结构，可以使断裂的硅芯连接后达到要求的长度，可在还原炉中反应生成多晶硅，满足生产需要，极大地减少了硅芯的浪费，提高了切割收率。另外，该连接结构易于实现、安装便捷、接触可靠，保证了还原炉的正常安全运行。需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。以上所述仅是本申请的【具体实施方式】，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。【主权项】1.一种多晶硅断裂硅芯的连接结构，其包括第一断裂硅芯和第二断裂硅芯，其特征在于，还包括一连接硅芯，所述第一断裂硅芯的一端面开设有第一锥形孔，所述第二断裂硅芯的一端开设有第二锥形孔；所述连接硅芯包括连接主体以及从所述连接主体的两端延伸出的连接部，所述连接部具有与所述第一锥形孔和第二锥形孔相适配的锥形台结构；将两个连接部分别装配于所述第一锥形孔和第二锥形孔，第一断裂硅芯和第二断裂硅芯通过所述连接硅芯相互连接。2.根据权利要求1所述的多晶硅断裂硅芯的连接结构，其特征在于，所述第一锥形孔和第二锥形孔以及所述连接部的锥度为1:8?12。3.根据权利要求2所述的多晶硅断裂硅芯的连接结构，其特征在于，所述第一锥形孔和第二锥形孔以及所述连接部的锥度为1:10。4.根据权利要求2或3所述的多晶硅断裂硅芯的连接结构，其特征在于，所述连接部的长度为30±5_。5.根据权利要求1所述的多晶硅断裂硅芯的连接结构，其特征在于，所述连接主体与所述第一断裂硅芯和第二断裂硅芯具有相同的外周形状。6.根据权利要求5所述的多晶硅断裂硅芯的连接结构，其特征在于所述第一断裂硅芯和第二断裂硅芯以及所述连接主体的横截面宽度为8 土 1mm，高度为8 土 1mm。【专利摘要】本技术公开一种多晶硅断裂硅芯的连接结构，其包括第一断裂硅芯和第二断裂硅芯，其特征在于，还包括一连接硅芯，所述第一断裂硅芯的一端面开设有第一锥形孔，所述第二断裂硅芯的一端开设有第二锥形孔；所述连接硅芯包括连接主体以及从所述连接主体的两端延伸出的连接部，所述连接部具有与所述第一锥形孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅断裂硅芯的连接结构，其包括第一断裂硅芯和第二断裂硅芯，其特征在于，还包括一连接硅芯，所述第一断裂硅芯的一端面开设有第一锥形孔，所述第二断裂硅芯的一端开设有第二锥形孔；所述连接硅芯包括连接主体以及从所述连接主体的两端延伸出的连接部，所述连接部具有与所述第一锥形孔和第二锥形孔相适配的锥形台结构；将两个连接部分别装配于所述第一锥形孔和第二锥形孔，第一断裂硅芯和第二断裂硅芯通过所述连接硅芯相互连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李永红，曹文海，吴良，陈显发，贾龙山，李春松，何银凤，孟庆平，高亚丽，杨紫琪，王素贤，
申请(专利权)人：黄河水电光伏产业技术有限公司，
类型：新型
国别省市：青海;63