本发明专利技术公开了一种多晶硅硅片边缘N型硅检测装置及方法，包括操作平台、万用表、万用表固定支架、紫铜片和紫铜片支撑架；所述万用表固定支架和紫铜片支撑架设置在所述操作平台上，所述万用表固定在所述万用表固定支架上，所述紫铜片平放在所述紫铜片支撑架上。本发明专利技术的检测技术组成部件简单，基本不需要维护及维修。通过此检测方法可以检测出硅片正面到边缘任一点的电阻值，从而很轻松的检测硅片边缘N型硅的去除情况来判断刻蚀工艺的稳定性，机台的滚轮、支架的平整性以及员工的操作问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多晶硅检测技术，具体是指一种多晶硅片边缘N型硅是否彻底腐蚀完全的检测。
技术介绍
目前多晶硅电池刻蚀工艺分为两种方式，一种为混合酸腐蚀，另一种为等离子体轰击，两种方式都是为了将扩散过程中，硅片四边接触的磷形成的N型硅去除，如果去除不完全，电池片正面PN结所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻；为了避免硅片边缘PN结短路造成电池成品并联电阻的降低而影响电池片的效率，需将边缘PN结完全去除。硅片边缘PN型号检测目前大致有两大类，一类是冷热探笔测试法，一类是探针整流测试法；冷热探笔法的测试原理是，仪器有两个探针，一冷一热，硅片在热探头接触处将被加热，P型硅和N型硅受热后由于传输电流的载子不同，P型利用空穴(带正电)传输电流，N型利用电子(带负电)来传输电流，所以P型硅和N型硅传输电流的方向相反，通过电流方向即可区分PN型。探针整流测试原理是，仪器有三个探针，1、2号探针之间通过限流电阻接12V电压，2、3之间接检流计；1、2探针间的交流波形，在同纯电阻电路中，利用电压和电流的波形差异，形成2 — 3或3 — 2的电流，来区分PN型。两种方法均存在如下问题(1)无法检测边缘单点PN结是否去除(2)仪器操作测试误差较大(3)人员操作碎片率高(4)仪器使用维修费用比较高，以上问题的存在既无法保证硅片边缘PN的去除情况，测试操作又不经济。
技术实现思路
为了解决上述
技术介绍
中存在的硅片边缘PN型号检测的问题，本专利技术提供一种能够测得单边单点的PN结去除情况，而又节省成本，在刻蚀检测段采用的一种便捷式高可靠性PN型检测技术。为了实现上述技术目的，本专利技术采取以下技术方案:一种多晶硅硅片边缘N型硅检测装置，包括操作平台、万用表、万用表固定支架、紫铜片和紫铜片支撑架；所述万用表固定支架和紫铜片支撑架设置在所述操作平台上，所述万用表固定在所述万用表固定支架上，所述紫铜片平放在所述紫铜片支撑架上。此外，所述操作平台上还可以设置用于放置待测硅片的待测硅片放置盒。利用上述装置进行多晶硅边缘N型硅检测方法为:(3)将经过刻蚀后的硅片正面朝上平放在紫铜片上，所述硅片的边缘不超出紫铜片的表面；(4)将万用表的红表笔放置在硅片边缘任意位置，万用表黑表笔笔尖触碰紫铜片，通过万用表观测两点间的电阻或电流通过情况，电阻较小或有电流通过则说明红表笔接触点N型硅去除不完全。本专利技术的检测技术组成部件简单，基本不需要维护及维修。通过此检测方法可以检测出硅片正面到边缘任一点的电阻值，从而很轻松的检测硅片边缘N型硅的去除情况来判断刻蚀工艺的稳定性，机台的滚轮、支架的平整性以及员工的操作问题。【附图说明】图1为本专利技术的多晶硅硅片边缘N型硅检测装置的结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图给出本专利技术较佳实施例，以详细说明本专利技术的技术方案。如图1所示的本专利技术的多晶硅硅片边缘N型硅检测装置，包括操作平台100、万用表200、万用表固定支架300、紫铜片400和紫铜片支撑架500 ;万用表固定支架300和紫铜片支撑架500设置在操作平台100上，万用表200固定在万用表固定支架300上，紫铜片400平放在紫铜片支撑架500上，待测硅片600平放在紫铜片400上；操作平台100上还设置有用于放置待测硅片的待测硅片放置盒700。利用上述装置进行多晶硅边缘N型硅检测方法为:将经过刻蚀后的待测硅片600正面朝上平放在紫铜片400上，待测硅片的边缘不超出紫铜片的表面；(5)将万用表200的红表笔201放置在硅片边缘任意位置，万用表黑表笔202笔尖触碰紫铜片，通过万用表观测两点间的电阻或电流通过情况，电阻较小或有电流通过则说明红表笔接触点N型硅去除不完全。以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。【主权项】1.一种多晶硅硅片边缘N型硅检测装置，其特征在于，包括操作平台、万用表、万用表固定支架、紫铜片和紫铜片支撑架；所述万用表固定支架和紫铜片支撑架设置在所述操作平台上，所述万用表固定在所述万用表固定支架上，所述紫铜片平放在所述紫铜片支撑架上。2.根据权利要求1所述多晶硅硅片边缘N型硅检测装置，其特征在于，所述操作平台上设置有用于放置待测硅片的待测硅片放置盒。3.一种多晶硅硅片边缘N型硅检测方法，其特征在于，包括以下步骤: (1)将经过刻蚀后的硅片正面朝上平放在紫铜片上，所述硅片的边缘不超出紫铜片的表面； (2)将万用表的红表笔放置在硅片边缘任意位置，万用表黑表笔笔尖触碰紫铜片，通过万用表观测两点间的电阻或电流通过情况，电阻较小或有电流通过则说明红表笔接触点N型硅去除不完全。【专利摘要】本专利技术公开了一种多晶硅硅片边缘N型硅检测装置及方法，包括操作平台、万用表、万用表固定支架、紫铜片和紫铜片支撑架；所述万用表固定支架和紫铜片支撑架设置在所述操作平台上，所述万用表固定在所述万用表固定支架上，所述紫铜片平放在所述紫铜片支撑架上。本专利技术的检测技术组成部件简单，基本不需要维护及维修。通过此检测方法可以检测出硅片正面到边缘任一点的电阻值，从而很轻松的检测硅片边缘N型硅的去除情况来判断刻蚀工艺的稳定性，机台的滚轮、支架的平整性以及员工的操作问题。【IPC分类】H01L21/66【公开号】CN105405786【申请号】CN201510965172【专利技术人】孟利萍, 张锐 【申请人】上海艾力克新能源有限公司【公开日】2016年3月16日【申请日】2015年12月21日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种多晶硅硅片边缘N型硅检测装置，其特征在于，包括操作平台、万用表、万用表固定支架、紫铜片和紫铜片支撑架；所述万用表固定支架和紫铜片支撑架设置在所述操作平台上，所述万用表固定在所述万用表固定支架上，所述紫铜片平放在所述紫铜片支撑架上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孟利萍，张锐，
申请(专利权)人：上海艾力克新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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