【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种多晶硅片清洗装置,尤其是用于背抛光技术的清洗花篮。
技术介绍
目前多晶硅电池刻蚀工艺多采用酸法刻蚀技术,该工艺容易出现过刻现象且背面刻蚀效果较差。为了使多晶电池达到更好的背面腐蚀与抛光效果,我公司进行了背抛光技术的研发与推广。背面抛光技术是将硅片制绒后凹凸不平的背面通过碱液腐蚀做成抛光效果,使光波在电池内部能够被多次反射吸收,增加电池对入射光线的利用率,从而提升电池片转化效率。背抛光技术采用槽式碱法刻蚀工艺,即使用四甲基氢氧化铵对硅片进行选择性刻蚀,以达到背面抛光的效果。由于硅片和四甲基氢氧化铵反应时会有大量气泡产生,气泡粘附在硅片表面,导致硅片脱离承载盒浮出液面,从而产生大量不良品。
技术实现思路
本技术目的是提供一种背抛光用清洗花篮,以增强槽体溶液的流动性,使反应更充分,且能更好的固定硅片,防止硅片漂出液面。为了达到上述目的,本技术采用的技术方案是:一种背抛光用清洗花篮,包括两片平行设置的挡板和连接两片挡板的支持杆,所述挡板上设有匀流孔,所述支持杆为上下平行的两排,每排3-4根,两片挡板的顶部还设有两根固定压条。所述挡板的其中一片上设有花篮提手。所述挡板的顶部设有卡槽,固定压条两端固定在卡槽内。本技术花篮主体是由多孔状PVDF板材构成,具有较好的耐酸碱特性,且有利于槽体溶液的流动;增加两根压条,更好的固定硅片;的新式花篮能够有效防止背抛光工艺漂片显现的产出 ...
【技术保护点】
一种背抛光用清洗花篮,其特征在于,包括两片平行设置的挡板和连接两片挡板的支持杆,所述挡板上设有匀流孔,所述支持杆为上下平行的两排,每排3‑4根,两片挡板的顶部还设有两根固定压条。
【技术特征摘要】
1.一种背抛光用清洗花篮,其特征在于,包括两片平行设置的挡板和
连接两片挡板的支持杆,所述挡板上设有匀流孔,所述支持杆为上下平行
的两排,每排3-4根,两片挡板的顶部还设有两根固定压条。
2.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:薛相龙,陆敏,
申请(专利权)人:上海艾力克新能源有限公司,
类型:新型
国别省市:上海;31
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