用于硅基多晶硅膜沉积的气体传输装置制造方法及图纸

一种用于硅基多晶硅膜沉积的气体传输装置，包括主输气管、中心传导管和副输气管，其中，该主输气管为上部直径大下部直径小的异径管，其上端封闭，下端具有进气口；该副输气管由加固棒支撑，其上端封闭，下端通过中心传导管与主输气管的变径处的上方连通；该主输气管和副输气管的侧面上分别设有数个出气孔。采用本实用新型专利技术的气体传输装置沉积的8英寸硅基多晶硅膜，膜质吸杂性能非常好，真正达到了工艺简化、质量提升和成本降低的目的。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于硅基多晶硅膜沉积的气体传输装置，特别适用于LPCVD垂直炉内8英寸硅基多晶硅膜的沉积过程。
技术介绍
在当代信息社会里，微电子技术是现代高新技术产业发展的基础。而以半导体硅材料、化合物半导体和锗材料互为补充的半导体材料又是支撑电子技术的基础功能材料，其中，硅又是最重要、应用最为广泛的半导体材料。90％以上的大规模集成电路(LST)、超大规模集成电路(VLSI)都是制作在高纯优质的硅基衬底上的。随着国内集成电路产业的迅速发展，硅基衬底材料的需求量也越来越大，质量要求也越来越高。为了做出更优质的硅基衬底材料，引入了吸杂工艺，在集成电路(IC)表面形成一个洁净区。传统的吸杂工艺分为内吸杂和外吸杂两种，但是这两种方法都不好控制，随着人们对吸杂的不断研究，最后技术了增强型吸杂，即在硅衬底材料的背面沉积一层多晶硅。由于热胀冷缩系数的不同，两种材料的表面都会受到一定应力的作用，按照晶体内部的缺陷的形成机理，晶体内部的缺陷将向应力富集的区域集中，同时硅基衬底材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于硅基多晶硅膜沉积的气体传输装置，其特征在于，包括主输气管、中心传导管和副输气管，其中，该主输气管为上部直径大下部直径小的异径管，其上端封闭，下端具有进气口；该副输气管由加固棒支撑，其上端封闭，下端通过中心传导管与主输气管的变径处的上方连通；该主输气管和副输气管的侧面上分别设有数个出气孔。

【技术特征摘要】
1.一种用于硅基多晶硅膜沉积的气体传输装置，其特征在于，包括主输气
管、中心传导管和副输气管，其中，该主输气管为上部直径大下部直径小的异
径管，其上端封闭，下端具有进气口；该副输气管由加固棒支撑，其上端封闭，
下端通过中心传导管与主输气管的变径处的上方连通；该主输气管和副输气管
的侧面上分别设有数个出气孔。
2.根据权利要求1所述的用于硅基多晶硅膜沉积的气体传输装置，其特征
在于，所述中心传导管的外形为弧形，其弧度为120度。
3.根据权利要求1或2所述的用于硅基多晶硅膜沉积的气体传输装置，其
特征在于，所述气体传输装置的整体高度为1010.0～1030.0mm。
4.根据权利要求1或2所述的用于硅基多晶硅膜沉积的气体传输装置，其
特征在于，所述主输气管的长度为815.0～825.0mm，壁厚为1.3～1.7mm，其上部
直径为8.0～10.0mm。
5.根据权利要求1或2所述的用于硅基多晶硅膜沉积的气体传输装置，其
特征在于，所述主输气管上的出气孔数...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐继平，赵晶，李耀东，史训达，张硕，王海涛，刘斌，陈信，
申请(专利权)人：有研半导体材料股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：