本发明的金属基材和橡胶件的粘接方法包括：制备附着剂，所述附着剂包括丙烯甲酯、丙烯乙酯及交联剂；将所述附着剂涂布在金属基材的表面形成附着剂膜；对所述附着剂膜进行真空处理去除气泡；将橡胶件放置在所述附着剂膜上，并向所述橡胶件施压，保持预定时...

本发明公开了一种DLC膜的处理方法，包括：先在DLC膜的表面涂覆金属氧化物；再利用激光照射DLC膜的表面，以使DLC膜表面的金刚石结构转变为石墨结构。采用本发明的技术方案通过在DLC膜的表面形成石墨网状结构，能够有效释放DLC膜在形成过...

本发明公开了一种DLC膜的制备方法，包括：将玻璃基片清洗后置于反应室内；向所述反应室内引入含氟气体和醇类溶液；在所述反应室内的温度为第一预设温度的条件下，采用等离子体增强化学气相沉积技术在所述玻璃基片的表面上形成DLC膜；在所述反应室内...

本发明公开了一种提高覆盖膜表面能量聚集的方法，包括：将预制的生物降解物质加入二甲基甲酰胺溶剂中，搅拌均匀，获得生物降解物质溶液；将聚酰亚胺覆盖膜置于所述生物降解物质溶液中进行浸泡处理；在经过预设的浸泡时间后，取出聚酰亚胺覆盖膜，并进行干...

本发明的复合金属膜的制造方法，包括：清洁金属基体；在所述金属基体的表面镀镍膜；在所述镍膜上进行离子刻蚀使所述镍膜形成蜂窝状表面；在所述镍膜上镀锡膜；以及在所述锡膜上进行离子刻蚀使所述锡膜形成蜂窝状表面。该方法工艺简单、成本低，可以在金属...

本发明公开了一种半导体晶圆的分离方法，包括：对半导体晶圆的表面进行离子刻蚀，以分离所述半导体晶圆；利用激光对分离后的半导体晶圆的分离边缘进行修正。采用本发明的技术方案能够通过离子刻蚀和激光修正，有效解决半导体晶圆分离过程中出现的崩边和碎...

本发明公开了一种高导电性的DLC膜的制备方法，包括：制备原始DLC膜；对所述原始DLC膜的表面进行氧化处理，使所述原始DLC膜中的部分碳原子转变为含氧官能团，获得高导电性DLC膜。采用本发明的技术方案能够通过对DLC膜的表面进行氧化处理...

本发明的柔性类钻碳膜的形成方法包括：在基板上沉积形成介电材料层；对所述介电材料层进行离子束蚀刻法处理以在介电材料层上形成纳米孔洞结构；以及在所述纳米孔洞结构上沉积类钻碳以形成柔性类钻碳膜。该方法简单高效，能够制备具备结构紧密且具有柔性的...

本发明公开的晶圆的分离方法包括：对晶圆的预定区域进行激光切割形成分离道；对所述预定区域进行激光烧蚀，使所述分离道的深度增大直至所述晶圆沿所述分离道分离，其中，所述激光切割的激光功率大于所述激光烧蚀的激光功率，所述激光烧蚀的激光移动速率大...

本发明的非晶硅薄膜的制备方法包括：将衬底置于真空腔室内；控制真空腔室内的压力在预定值，对所述衬底进行表面处理；以及向所述真空腔室通入硅烷气体和稀薄气体，加热所述衬底，利用硅烷气体离子在所述衬底上沉积非晶硅薄膜。该方法制造难度低、工艺简单...

本发明的类钻碳膜的表面加工方法包括：在在衬底上沉积类钻碳膜；对所述类钻碳膜的表面进行清洗；在所述类钻碳膜进行热处理，其中，所述热处理的温度为500‑800℃，并调节升温速率；以及对所述类钻碳膜进行冷却处理直至室温。该方法简单高效，能够有...

本发明的印刷电路板的处理方法，包括：制备酸性氧化剂溶液，所述酸性氧化剂溶液包括：氧化亚铁、硝酸及盐酸；将印刷电路板置于所述酸性氧化剂溶液中，并控制浸泡温度及浸泡时间；以及取出所述印刷电路板并清洗。该处理方法效率高，效果显著，可以减少对表...

本发明的玻璃基材的处理方法包括：在玻璃基材上沉积硅层；在所述硅层上沉积第一过渡层，所述第一过渡层为碳层；在所述第一过渡层上沉积第二过渡层，所述第二过渡层为钛‑类金刚石碳复合层；以及在所述第二过渡层上掺杂含氟保护层。本发明在玻璃的表面形成...

本发明的透光防水胶的制造方法包括：提供原料：丙烯酸酯、氨基甲酸甲酯、交联剂、紫外线吸收剂、抗氧化剂和增塑剂；将以上原料按比例混合均匀形成粘性溶液；以及将所述粘性溶液进行搅拌、调整、挤压并辊压成型，制得透光防水胶。该方法简单、低成本，制备...

本发明公开了一种高延展性的DLC膜的制备方法，包括：制备原始DLC膜；在所述原始DLC膜的表面沉积金属纳米颗粒；利用电化学降解法在所述金属纳米颗粒上形成表面凸起的纳米结构，获得高延展性DLC膜。采用本发明的技术方案通过在DLC膜的表面形...

本发明公开了一种高柔韧性的DLC膜的制备方法，包括：将镀膜基底置于真空腔室内的旋转架上，并调整所述真空腔室内的气压为1.5×10‑2Pa，调整所述旋转架的转速为80r/min；在所述镀膜基底的表面上沉积DLC膜，并在经过预设的沉积时间后...

本发明公开了一种减少半导体应力的方法，包括：将半导体放置在两个玻璃基板之间；其中，两个玻璃基板相对设置，且至少一个玻璃基板与半导体的接触面上涂布有UV胶；利用紫外光对UV胶进行第一次照射，使半导体与UV胶粘接在一起；对半导体和两个玻璃基...

本发明公开了一种半导体表面附着物的清除方法，包括：将表面存在附着物的半导体置于真空室内的脉冲激光器的激光焦平面位置；采用所述脉冲激光器对所述半导体的表面进行激光扫描，使得所述附着物转变为尘埃颗粒；清除所述真空室内的尘埃颗粒，以清除所述附...

本发明公开了一种金刚石粉表面的钝化方法，包括：对金刚石粉进行清洁及烘干处理；将烘干后的金刚石粉均匀平铺在真空腔室内的震荡盘上；在所述烘干后的金刚石粉的表面上沉积第一金属层；在所述第一金属层的表面上沉积第二金属层。采用本发明的技术方案能够...

本发明公开了一种高柔韧性的半导体基板的制备方法，包括：对硅基材料层的第一表面和第二表面进行清洗处理；在清洗后的第一表面和第二表面分别涂覆高分子材料，并进行烘干处理，对应形成第一高分子层和第二高分子层；在第一高分子层和第二高分子层的表面分...