【技术实现步骤摘要】
硅片硼洗台
本技术涉及属于硅片制造领域,特别涉及硅片硼洗台。
技术介绍
半导体器件生产中,硅片须经严格清洗。清洗的目的在于清除表面污染杂质,包括有机物和无机物。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。物理清洗一般是用真空电机喷真空砂进行清洗,而化学清洗是先用硼水进行清洗,然后再进行酸洗、纯水清洗等步骤。在用硼水清洗硅片的过程中,目前的办法是用人工蘸取硼水对每一个硅片进行清洗,常常出现因为硼水温度不恒定影响硅片硼洗的质量,而且单存的人工清洗效率也不高。
技术实现思路
针对上述现有技术中的不足之处,本技术旨在提供一种结构简单的硅片硼洗台,包括支架,所述支架为双层立体结构,所述支架包括有第一支撑台、第二支撑台,所述第一支撑台上设置有硼水瓶、旋转台、硅片加热板,所述硅片加热板上放置有硅片,所述旋转台与所述硅片相匹配;所述第二支撑台位于所述第一支撑台下方,两者之间有放置设备的空间;所述第二支撑台上放置有与所述硼水瓶相对应的恒温磁力搅拌器、与所述硅片加热板相对应的加热器、与所述旋转台相连接的真空电机、控制所述真空电机瞬间停止的变频器。进一步的,所述硅片硼洗台还包括有控制面板,所述控制面板与所述加热器、真空电机、变频器控制连接,控制所述加热器、真空电机、变频器的开启与关闭,调节所述真空电机的旋转速度。进一步的,所述硅片硼洗台还包括有抽风管,所述抽风管与所述第一支撑台上方的空间相连通,随时抽取因为所述硅片硼洗产生的异味。本技术结构简单,使用时,只要硅片安装到旋转台上,开动恒温磁力搅拌器,使得硼水处于恒温搅拌状态,打开真空电机,调节合适的转速,工人就可以蘸取硼水对硅片进行清洗, ...
【技术保护点】
一种硅片硼洗台,包括支架(1),所述支架(1)为双层立体结构,所述支架(1)包括有第一支撑台(11)、第二支撑台(12),其特征在于,所述第一支撑台(12)上设置有硼水瓶(2)、旋转台(3)、硅片加热板(4),所述硅片加热板(4)上放置有硅片(5),所述旋转台(3)与所述硅片(5)相匹配;所述第二支撑台(12)位于所述第一支撑台(11)下方,两者之间有放置设备的空间;所述第二支撑台(12)上放置有与所述硼水瓶(2)相对应的恒温磁力搅拌器(6)、与所述硅片加热板(4)相对应的加热器(7)、与所述旋转台(3)相连接的真空电机(8)、控制所述真空电机(8)瞬间停止的变频器(9)。
【技术特征摘要】
1.一种硅片硼洗台,包括支架(1),所述支架(1)为双层立体结构,所述支架(1)包括有第一支撑台(11)、第二支撑台(12),其特征在于,所述第一支撑台(12)上设置有硼水瓶(2)、旋转台(3)、硅片加热板(4),所述硅片加热板(4)上放置有硅片(5),所述旋转台(3)与所述硅片(5)相匹配;所述第二支撑台(12)位于所述第一支撑台(11)下方,两者之间有放置设备的空间;所述第二支撑台(12)上放置有与所述硼水瓶(2)相对应的恒温磁力搅拌器(6)、与所述硅片加热板(4)相对应的加热器(7)、与所述旋转台(3)相连...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱亚文,赵阿强,
申请(专利权)人:重庆长捷电子有限公司,
类型:新型
国别省市:重庆,50
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