【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅材料加工
,具体涉及一种用于硅片清洗的混合型超声波清洗剂。
技术介绍
硅材料,是重要的半导体材料,化学元素符号Si,电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能,硅是产量最大、应用最广的半导体材料,它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平,单晶硅在太阳能电池中的应用,高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天,利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能,实现了迈向绿色能源革命的开始。硅片是硅材料存在的一种物理形式,在正常的应用中,硅片,是制作集成电路的重要材料,通过对硅片进行光刻、离子注入等手段,可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力,科学技术的发展不断推动着半导体的发展,自动化和计算机等技术发展,使硅片这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度,然而硅片在加工时,不同的工艺节点都会使得硅片加工出现瑕疵。硅片一般都是通过相应的硅碇进行切片而成,由于在切割时,应用大量的切削液,润滑液等化学试剂,因此硅片在切割后,在其本身会存留有大量的化学污渍,此类污渍附着在加工成型后的硅片表面,会影响硅片本身性能,因此必须进行相应的清洗,硅片清洗相对于普通材料清洗不同,如果清洗不当,很容易将硅片表面划伤或者磕伤,因此超声波清洗时相对较为温和的清洗方法,但是现有的技术中,利用超声波技术进行清洗的清洗剂一般都是普通的清洗试剂,或为酸性,或为碱性,直接应用于硅片表面,很容易对硅片本身造成一定的腐蚀,影响实际的硅片性质。
技术实现思路
:本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种配方合 ...
【技术保护点】
一种用于硅片清洗的混合型超声波清洗剂,其特征在于,由以下重量份的原料制成:丙醇52‑54份、苯酚10‑20份、胶体粒子5‑7份、氯化亚锡6‑8份、抗坏血酸6‑8份、乙酸钠2‑4份、腐植酸钠2‑4份、三聚磷酸钠3‑5份、六偏磷酸钠2‑4份、表面活性剂5‑7份、拉丝粉6‑8份、滑石粉3‑5份、去离子水260‑270份。
【技术特征摘要】
1.一种用于硅片清洗的混合型超声波清洗剂,其特征在于,由以下重量份的原料制成:丙醇52-54份、苯酚10-20份、胶体粒子5-7份、氯化亚锡6-8份、抗坏血酸6-8份、乙酸钠2-4份、腐植酸钠2-4份、三聚磷酸钠3-5份、六偏磷酸钠2-4份、表面活性剂5-7份、拉丝粉6-8份、滑石粉3-5份、去离子水260-270份。2.根据权利要求1所述的一种用于硅片清洗的混合型超声波清洗剂,其特征在于,丙醇53份、苯酚15份、胶体粒子6份、氯化亚锡7份、抗坏血酸7份、乙酸钠3份、腐植酸钠3份、三聚磷酸钠4份、六偏磷酸钠3份、表面活性剂6份、拉丝粉7份、滑石粉4份、去离子水265份。3.根据权利要求1所述的一种用于硅片清洗的混合型超声波清洗剂,其特征在于:所述的表面活性剂是十二烷基苯磺酸盐、脂肪醇聚氧...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕凤岗,程林,曹来福,戴珍旭,胡正田,
申请(专利权)人:安徽正田能源科技有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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