硅片的临时键合和解离工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种硅片的临时键合和解离工艺方法，包括步骤如下：(1)提供一第一载片；(2)提供一第二载片，并在第二载片的第一表面涂布第一粘结剂，和/或在第一载片的键合面涂布第一粘结剂，并对其烘烤；(3)将第一载片和第二载片进行临时键合；(4)将第一载片和第二载片进行解离，清洗去除第一粘结剂；(5)在第二载片的第二表面涂布第二粘结剂，和/或在一硅片的键合面涂布第二粘结剂，并对其烘烤；(6)将第二载片和硅片进行临时键合；(7)将硅片的非键合面减薄，并在非键合面进行所需工艺；(8)将第二载片和减薄后的硅片进行解离，清洗去除第二粘结剂。该工艺方法解决了传统临时键合和解离工艺中载片和硅片的翘曲问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅片的临时键合和解离工艺方法，其特征在于，包括步骤如下：(1)提供一第一载片；(2)提供一第二载片，并在第二载片的第一表面涂布第一粘结剂，和/或在第一载片的键合面涂布第一粘结剂，并对其烘烤；(3)将第一载片和第二载片进行临时键合，形成翘曲的第二载片；(4)将第一载片和第二载片进行解离，清洗去除第一粘结剂；(5)在翘曲的第二载片的第二表面涂布第二粘结剂，和/或在一硅片的键合面涂布第二粘结剂，并对其烘烤；(6)将翘曲的第二载片和硅片进行临时键合，翘曲的第二载片恢复平整状态；(7)将硅片的非键合面减薄，并在非键合面进行所需工艺；(8)将第二载片和减薄后的硅片进行解离，清洗去除第二粘结剂。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭晓波，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31